技術(shù)編號：1800
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種離子束注入系統(tǒng)，并更詳細地涉及使離子束接受控軌跡在靶上掃描的方法和設(shè)備。一種用于對硅晶片摻雜的技術(shù)是操縱落在這種晶片上的離子束，使此晶片內(nèi)摻入雜質(zhì)的濃度得到控制。半導體晶片離子注入過程的一個重要參量是整個晶片注入量的空間均勻度。另一重要參量是離子束相對于晶片和硅晶體內(nèi)部晶格結(jié)構(gòu)(或砷化鎵晶格或其它結(jié)晶的基片)的入射角。入射角之所以重要是因為它在溝道現(xiàn)象中所起的作用。如果束的入射角沿晶片表面變化的話，那末摻雜物深度的斷面圖將隨該晶片表面位置的變化而變化。在一些中低電流的離子注入機中，一般是使離子束按光柵...
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