技術(shù)編號：1547474
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種拋光后清洗液，可有效應(yīng)用于硫系化合物相變材料GexSbyTe(1_x_y) 的化學(xué)機(jī)械拋光后清洗工藝。背景技術(shù)相變存儲器因具有高速讀取、高可擦寫次數(shù)、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強(qiáng)震動和抗輻射等優(yōu)點，而被國際半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會認(rèn)為最有可能取代目前的閃存存儲器而成為未來存儲器主流產(chǎn)品和最先成為商用產(chǎn)品的器件。相變存儲器技術(shù)的基本原理是以硫系化合物為存儲介質(zhì)，利用電能(熱量)使材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間相互轉(zhuǎn)換實現(xiàn)信息的寫入與擦除，信...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。