技術編號：12725284
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及功率半導體器件領域，更具體地，涉及快恢復二極管及其制造方法。背景技術功率半導體器件亦稱為電力電子器件，包括功率二極管、晶閘管、VDMOS(垂直雙擴散金屬氧化物半導體)場效應晶體管、LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)場效應晶體管以及IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等。IGBT是由BJT(雙極型三極管)和FET(場效應晶體管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。二極管器件作為一種基礎的功率半導體器件，廣泛的應用于各種電路之后，特別是在逆變器，變頻器以及電機驅動領域，快恢復二極管器件...
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