技術編號：12474171
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于功率半導體技術領域，特別涉及一種逆導型IGBT。背景技術IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)因其兼具MOSFET的驅(qū)動功率小、開關速度快以及BJT的導通壓降小、電流大等諸多優(yōu)勢而在眾多功率器件中備受青睞，現(xiàn)已被廣泛應用于電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)對電能的控制與轉(zhuǎn)化。說明書附圖1所示為采用了IGBT的橋式逆變電路，為了給感性負載向直流電源反饋的無功能量提供泄放通道，需要給每個IGBT都反并聯(lián)一個二極管。出于降低成本以及減少封裝帶來的各種寄生效應的考慮，業(yè)界的一般做法是將IGBT和反并聯(lián)的二極管集成在一...
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