技術(shù)編號：12357347
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及表面探測與分析技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TEM樣品的制備方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的尺寸正在逐步成比例縮小，其關(guān)鍵尺寸變得越來越小，逐漸從90nm到45nm再到28nm。對于關(guān)鍵尺寸越來越小的半導(dǎo)體器件而言，通常采用聚焦等離子束(FIB)和納米操作器(Omniprobe)來制備透射電鏡(TEM)樣品，這是因?yàn)椴捎肙mniprobe配合FIB來進(jìn)行制樣，樣品可以被制得很薄，使得電子束可以透過樣品，達(dá)到TEM觀測關(guān)鍵尺寸的形貌分析要求。FIB制樣過程包括一系列FIB研磨和樣...
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