技術(shù)編號(hào)：12129683
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于Ga2O3/SiC異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光電NPN晶體管及其制備方法。背景技術(shù)20世紀(jì)50年代起PN結(jié)晶體管的發(fā)明奠定了電子技術(shù)和集成電路的基礎(chǔ)，PN結(jié)是在一塊半導(dǎo)體材料上通過(guò)摻雜做出導(dǎo)電類型不同的兩部分，又稱為同質(zhì)結(jié)；而之后發(fā)展的異質(zhì)結(jié)是把兩種不同的材料做成一個(gè)單晶的技術(shù)，兩種材料禁帶寬度及其他材料特性的不同使其具有一系列同質(zhì)結(jié)所沒(méi)有的特性，在器件設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)獨(dú)有的功能，尤其在光電領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，例如光電PNP晶體管用兩個(gè)異質(zhì)結(jié)PN結(jié)和NP結(jié)形成、光電探測(cè)器等。目前...
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