技術(shù)編號：12129609
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體裝置與半導體裝置的柵極堆疊的制作方法，特別涉及垂直通道半導體裝置。背景技術(shù)半導體裝置如金氧半場效晶體管(MOSFET)在過去數(shù)十年中，集成電路的速度、效能、密度、與每單位功能的成本均持續(xù)改進。垂直/水平通道裝置的改良，有利于進一步縮小集成電路。發(fā)明內(nèi)容本公開一實施例提供的半導體裝置包括通道區(qū)以及柵極堆疊。柵極堆疊包含柵極絕緣物、一對分隔的第一金屬柵極層、與第二金屬柵極層。柵極絕緣物沿著通道區(qū)的長度方向延伸。第一金屬柵極層具有第一功函數(shù)，且自柵極絕緣物延伸。第二金屬柵極層位于第一金...
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