技術(shù)編號：12129270
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體元件的制造方法，且特別是涉及一種具有金屬柵極結(jié)構(gòu)的半導體元件的功函數(shù)調(diào)整方法。背景技術(shù)隨著半導體元件的尺寸的日益縮小，柵極結(jié)構(gòu)的尺寸與柵介電層的厚度也隨之縮小。然而，以氧化硅為材料的柵介電層在厚度減小時會有漏電流(LeakageCurrent)的現(xiàn)象。為了減少漏電流的發(fā)生，現(xiàn)有的作法是以高介電常數(shù)(HighDielectricConstant；high-k)材料取代氧化硅來作為柵介電層。在使用高介電常數(shù)材料作為柵介電層的情況下，以多晶硅為材料的柵極會與高介電常數(shù)材料反應產(chǎn)生費...
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