技術(shù)編號：11965447
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及靶材生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鈮管狀靶材及其生產(chǎn)方法。背景技術(shù)靶材是在濺射沉積技術(shù)中用作陰極的材料，該材料能夠在帶正電荷的陽離子撞擊下以分子、原子或離子的形式脫離陰極而在陽極表面重新沉積。靶材作為一種具有高附加值的特種電子材料，其被廣泛用于濺射尖端技術(shù)的薄膜材料。根據(jù)應(yīng)用，靶材主要包括半導(dǎo)體領(lǐng)域用靶材、記錄介質(zhì)用靶材、顯示薄膜用靶材、先進(jìn)觸控屏及顯示器、光學(xué)靶材和超導(dǎo)靶材等。磁控濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生離子，產(chǎn)生的離子在真空環(huán)境中經(jīng)過加速聚集，從而形成高速度能...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。