技術編號：11925101
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于微電子加工技術領域，具體涉及一種深硅刻蝕工藝。背景技術干法等離子體深硅刻蝕工藝逐漸成為MEMS加工領域和TSV技術中最炙手可熱的工藝之一。所謂深硅刻蝕工藝是指刻蝕深度要求一般為幾十微米甚至達到上百微米的刻蝕工藝，而一般的硅刻蝕工藝是指刻蝕深度要求小于1微米的刻蝕工藝。目前，主流的深硅刻蝕工藝為Bosch工藝，其通過刻蝕步驟與沉積步驟的交替循環(huán)直至實現所需的刻蝕深度。典型的工藝配方包括：第一，沉積步驟的工藝參數，其工藝壓強Pressure為15mT，激勵功率SRF為1200W，偏壓功率B...
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