技術(shù)編號：11867505
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種基于電容機構(gòu)的一次性可編程器件及編程實現(xiàn)方法。背景技術(shù)OTP(onetimeprogrammable,一次可編程器件)是常見的一種NVM(非易失性存儲器)，一次性編程在編程過程中不可逆轉(zhuǎn)，只允許寫一次。STT-MRAM是一種非易失的存儲器，它的存儲結(jié)構(gòu)采用MTJ磁性隧道結(jié)，中間的稱為勢壘層，上下為自由層和參考層。針對MTJ(磁性隧道結(jié))的一次性編程通常采用加高壓的方式擊穿勢壘層，擊穿后的勢壘層表現(xiàn)為低阻抗(約100歐姆左右)。勢壘層的擊穿電壓比普通的編程電...
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