技術(shù)編號:11835999
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件的制造方法相關(guān)申請的交叉引用包括說明書、附圖和摘要的、于2015年5月14日提交的日本專利申請No.2015-099065的全部公開內(nèi)容以引用方式并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法,特別地講,涉及當(dāng)被應(yīng)用于使用液體浸沒曝光的半導(dǎo)體器件的制造方法時有效的技術(shù)。背景技術(shù)液體浸沒曝光是在透鏡和半導(dǎo)體晶片之間的微小間隙中利用水的表面張力來形成水膜(彎液面)的曝光系統(tǒng),由此致使透鏡和待照射表面(半導(dǎo)體晶片)之間的微小間隙具有高折射率,從而可以將透鏡的有效數(shù)值孔徑(NA)增大至比正...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。