技術編號：11587175
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于襯底制備技術領域，特別涉及一種圓角三角形圖形化襯底。背景技術氮化鎵（GaN）基高亮度發(fā)光二極管（HB-LED）具有廣泛用途，特別是因在固態(tài)照明方面的應用前景而迅速發(fā)展。雖然HB-LED已經商業(yè)化，但由于LED內量子效率（IQE）與光析出率（LEE）限制，制作高效HB-LED仍然困難。制約IQE提高的因素為GaN外延層與外延襯底之間存在較大的晶格失配度和熱膨脹系數(shù)失配度，因而平面襯底上GaN外延層內存在108～1010cm-2的位錯密度，致使LED的IQE不高。另外GaN層與空氣的折射率...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。