技術(shù)編號(hào)：11516635
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電力半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管，本發(fā)明還涉及該種逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管的制備方法。背景技術(shù)電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展，特別是新型器件的出現(xiàn)和應(yīng)用，都會(huì)以自己獨(dú)有的特性占有不同的相關(guān)領(lǐng)域，使應(yīng)用范圍不斷的拓展。同時(shí)，電力電子技術(shù)的發(fā)展對(duì)器件提出更高的要求，又會(huì)促進(jìn)器件性能的提高和新器件的研究與發(fā)展。在大部分的IGBT應(yīng)用電路中，都會(huì)給它反并聯(lián)續(xù)流二極管以作保護(hù)。早期做法是分別制作IGBT和二極管，再將它們集成封裝在一起，做成IGBT、二極管對(duì)。早期的IGBT與二...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。