技術(shù)編號(hào)：11516628
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種石墨烯FinFET晶體管及其制造方法。背景技術(shù)在尋求更高的器件密度、更高的性能以及更低的費(fèi)用的過程中，隨著集成電路工藝持續(xù)發(fā)展到納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，為了克服短溝道效應(yīng)和提高單位面積的驅(qū)動(dòng)電流密度，一些制造廠商已經(jīng)開始考慮如何從平面CMOS晶體管向三維FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件結(jié)構(gòu)的過渡問題。FinFET器件是一種多柵MOS器件，這種結(jié)構(gòu)由于具有更多的柵控面積，更窄的溝道耗盡區(qū)域而擁有非常突出的短溝道控制力和很高的驅(qū)動(dòng)電流。與平面晶體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。