技術(shù)編號(hào)：11377922
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種雙芯片垂直并聯(lián)方式的二極體封裝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)受封裝外形尺寸的限制，在一定的封裝尺寸內(nèi)能夠封入的芯片面積最大值是一定的。為了在一定的封裝外形尺寸內(nèi)，使TVS等二極體器件實(shí)現(xiàn)更大的電流能力和功率能力，目前在TVS等二極體器件的制造中有人采用芯片串聯(lián)的方法，但這種方法存在兩個(gè)弊端：其一，對(duì)于TVS器件來說，必須采用兩個(gè)半額定電壓值的芯片串聯(lián)，對(duì)于額定電壓值≤12V的低電壓TVS器件是無法實(shí)現(xiàn)的，原因是低電壓TVS芯片當(dāng)電壓≤6V時(shí)、其漏電流特別大；其二，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。