技術(shù)編號：11235708
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)工藝技術(shù)領域，尤其涉及一種太陽能電池減反射膜的制備方法。背景技術(shù)太陽能電池大規(guī)模生產(chǎn)中，常采用在硅片表面沉積減反射膜的方式增加光的利用率，提升電池轉(zhuǎn)換效率。常見的薄膜主要有氮化硅SiNx，其膜層一般是1-5層。氮化硅SiNx薄膜多采用等離子體增強化學的氣相沉積(PECVD，PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)沉積的方式進行制備，具有減反射性能和體鈍化效果好的特點，但不同膜層的氮化硅膜之間以及與硅基體結(jié)合界面態(tài)高則限制了電池轉(zhuǎn)化效率的...
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