技術(shù)編號(hào)：11230365
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明系關(guān)于硅晶體的生長方法，尤其是關(guān)于單晶硅的生長方法。背景技術(shù)在柴氏拉晶法(Czochralskimethod)(以下有時(shí)稱直拉法)的單晶硅生長過程中，由于石英坩堝的熔解，會(huì)使得部分氧進(jìn)入單晶硅中，這些氧主要存在于硅晶格的間隙位置。當(dāng)間隙氧的濃度超過氧在硅中的溶解度時(shí)即發(fā)生沉淀，從而形成單晶硅中常見的氧沉淀缺陷，進(jìn)而對(duì)集成電路裝置造成損害。內(nèi)質(zhì)吸除(intrinsicgettering)技術(shù)，即，藉由一定程序于硅片內(nèi)形成高密度氧沉淀，而可在該硅片表面形成一定深度的無缺陷的潔凈區(qū)，該潔凈區(qū)則可...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。