技術(shù)編號(hào):111550
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域?yàn)榘雽?dǎo)體光電子器件,是一種由光源控制的對(duì)光輻射敏感的半導(dǎo)體器件,光源能控制該器件的電容值。半導(dǎo)體分立器件大致有兩類(lèi)MOS型和結(jié)型,而且都作成了非線性電容器,但把這兩種電容器結(jié)合在一起,也即把MOS型和結(jié)型結(jié)合起來(lái)構(gòu)成MINP(金屬-絕緣體-N型半導(dǎo)體-P型半導(dǎo)體)四層結(jié)構(gòu)的非線性電容器未見(jiàn)有報(bào)道。在這種MINP四層結(jié)構(gòu)的器件中具有這樣的光致變?nèi)菪?yīng)器件的電容值隨光強(qiáng)的變化而變化,并且這方面的變化情況隨所加偏置電壓的極性和大小而不同,所以有非常廣闊的應(yīng)用場(chǎng)合。本發(fā)明的目的在于提供一種利用MINP四層...
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