技術(shù)編號(hào)：11101962
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，并且尤其涉及用于自對(duì)準(zhǔn)源極/漏極(S/D)接觸件的結(jié)構(gòu)及制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的尺寸的減小，例如，自對(duì)準(zhǔn)接觸件(SAC)廣泛地用于制造更靠近場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)中的柵極結(jié)構(gòu)布置的源極/漏極接觸件。通常，通過(guò)圖案化層間介電(ILD)層來(lái)制造SAC，在該層間介電層下面，接觸蝕刻停止層(CESL)形成在具有側(cè)壁間隔件的柵極結(jié)構(gòu)上方。ILD層的最初的蝕刻停止在CESL處，并且然后，蝕刻CESL以形成SAC。隨著器件密度增加(即，半導(dǎo)體器件的尺寸減小)，...
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