技術(shù)編號：11100729
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實施例涉及用于FINFET的柵極替代工藝。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)增長。IC材料和設(shè)計的技術(shù)進步產(chǎn)生了數(shù)代IC，其中，每代都具有比前代更小且更復(fù)雜的電路。在IC發(fā)展過程中，功能密度(即每芯片面積上互連器件的數(shù)量)通常增大了而幾何尺寸(即，使用制造工藝可以做出的最小的元件(或線))減小了。這種按比例縮小工藝通常通過增加產(chǎn)量效率和降低相關(guān)成本來提供很多益處。這種按比例縮小還增加了處理和制造IC的復(fù)雜程度，并且為了實現(xiàn)這些進步，需要在IC處理和制造中有類似的發(fā)展。例如，已經(jīng)引...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。