技術(shù)編號(hào)：11092589
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于碳納米材料的合成制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種新穎的還原氧化石墨烯薄膜的制備工藝。背景技術(shù)石墨烯是一種新型的二維納米晶體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)性能、力學(xué)性能、熱學(xué)性能以及光學(xué)性能。這些優(yōu)異的性能使得石墨烯可以在透明導(dǎo)電薄膜、柔性電子器件、場(chǎng)發(fā)射、晶體管、儲(chǔ)氫、超級(jí)電容器和傳感器等方面具有著廣闊的應(yīng)用前景。然而如何經(jīng)濟(jì)有效的獲得大尺寸石墨烯薄膜是一個(gè)突出問題。近些年來，氧化石墨烯被認(rèn)為是得到石墨烯薄膜最重要的前驅(qū)體，當(dāng)前制備氧化石墨烯的方法普遍采用Hummers法或改進(jìn)的Hummers法。此法簡(jiǎn)單...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。