技術(shù)編號:10688893
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本文提供的背景描述的目的是總體上呈現(xiàn)本公開的背景。本發(fā)明署名的發(fā)明人的工作,就其在該背景技術(shù)部分以及可能不符合作為提交時的現(xiàn)有技術(shù)的說明書的一些方面中所描述的工作而言,既不明確也不暗示地被承認作為本公開的現(xiàn)有技術(shù)。諸如半導(dǎo)體晶片之類的襯底的金屬污染物導(dǎo)致器件性能的下降和產(chǎn)量的損失。國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖(ITRS)保持對包含關(guān)于半導(dǎo)體晶片的可接受的金屬污染水平的準則在內(nèi)的半導(dǎo)體處理的技術(shù)需求的預(yù)測。隨著特征尺寸的不斷減小,金屬污染的可接受的水平也降低。在例如光...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。