技術(shù)編號：10608013
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。MoS2(二硫化鉬)薄膜在結(jié)構(gòu)和性能上類似于石墨烯，但與石墨烯不同，二硫化鉬薄膜存在一個(gè)可調(diào)控的帶隙。塊狀晶體MoS2(二硫化鉬)的帶隙為1.2eV，其電子躍迀方式為間接躍迀；當(dāng)厚度為單層時(shí)，MoS2的帶隙可以達(dá)到1.8eV，且其電子躍迀方式轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯榆S迀。因此，MoS2薄膜獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理性能以及可調(diào)節(jié)的能帶隙使其在電子器件領(lǐng)域比石墨烯更具有應(yīng)用潛力，它將是一種在電學(xué)、光學(xué)、半導(dǎo)體領(lǐng)域具有十分重要應(yīng)用前景的二維納米材料。憑借其納米尺寸的層狀結(jié)構(gòu)，使...
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