薄膜電阻激光自動修刻機(jī)機(jī)架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電阻阻值自動修刻機(jī)，具體為一種基于激光技術(shù)的全自動電阻阻值修刻機(jī)機(jī)架。
【背景技術(shù)】
[0002]高精度導(dǎo)電塑料角位移傳感器廣泛應(yīng)用于石油、化工、機(jī)械、航天航空、軍工等需要角度量控制的場合，其核心技術(shù)是膜電阻阻值的精確修刻。目前，在膜電阻修刻技術(shù)方面，主要有接觸式修刻和非接觸式修刻兩大類，接觸式修刻技術(shù)利用刀具對電阻材料的切削作用來實現(xiàn)修刻，效率較低。非接觸式修刻主要利用激光對電阻材料的舜間加熱使其局部氣化來實現(xiàn)修刻。
[0003]國內(nèi)主要采用接觸式修刻技術(shù)，用數(shù)控系統(tǒng)來控制修刻刀具對膜電阻進(jìn)行機(jī)械修亥IJ，自動化程度和效率都比較低。雖然在科研上也有單位開發(fā)成功實驗性質(zhì)的數(shù)控自動修刻系統(tǒng)，如上海好光電阻式傳感器有限公司(前身為上海好光科工貿(mào)有限公司)研制生產(chǎn)的XK35H-2導(dǎo)電塑料電阻式傳感器全自動修刻機(jī)用于導(dǎo)塑角位移電阻式傳感器的修刻工作，可以在較短時間內(nèi)將角位移電阻式傳感器的線性度精度修刻至0.5%左右，最高可至
0.2%;廣州市康托利計算機(jī)科技有限公司的KLD 1000修調(diào)機(jī)可以將電阻式傳感器線性度修刻至0.5%，但是都還是處于技術(shù)保密階段和試驗性質(zhì)的，無法在公開的資料中找到可靠的信息。
[0004]國內(nèi)也有對激光修刻進(jìn)行研究的，如中國科學(xué)院物理研究院某研究所曾對碳膜電阻式傳感器激光修刻技術(shù)進(jìn)行了相關(guān)的實驗研究，并試制了激光修刻機(jī)，但效果并不理想，達(dá)到的精度較為有限，存在的副作用較多，如對碳膜和絕緣基體的損壞等。究其原因，就是激光的焦距不容易調(diào)準(zhǔn)確，而對焦不準(zhǔn)及功率控制不準(zhǔn)極易引發(fā)激光加工中的發(fā)熱灼傷。且目前現(xiàn)有的激光修刻機(jī)普遍存在著自動化程度不高、適應(yīng)性較差、修刻效率低等不足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種基于激光修刻技術(shù)的高精度全自動電阻阻值修刻機(jī)機(jī)架的結(jié)構(gòu)方案。具體技術(shù)方案如下:
[0006]—種薄膜電阻激光自動修刻機(jī)機(jī)架，所述機(jī)架是該薄膜電阻激光自動修刻機(jī)的支承結(jié)構(gòu)和外殼，所述機(jī)架的吊架上設(shè)置自動調(diào)焦激光器，帶阻值自動檢測系統(tǒng)工控機(jī)設(shè)于機(jī)架的平臺上。
[0007]進(jìn)一步的，所述機(jī)還包括小平臺，在小平臺上設(shè)置顯示與輸入輸出設(shè)備。
[0008]進(jìn)一步的，所述機(jī)架還包括設(shè)置與機(jī)架中間的大平臺，用于安裝工件自動裝卸裝置、工件自動升降裝置、工件出口、工件修刻臺，工件出口包括合格工件出口和不合格工件出口。
[0009]進(jìn)一步的，在下層靠左前側(cè)設(shè)置有修刻后工件存放箱，修刻后工件存放箱的內(nèi)部分兩格，分別與合格工件出口和不合格工件出口通過管道相連通。
[0010]進(jìn)一步的，所述機(jī)架還包括安裝氣栗的小平臺，機(jī)架上的前面上半部分開有兩扇透明的有機(jī)塑料門。
[0011]本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0012]1.采用型鋼、板材等較為普通的材料，通過合理設(shè)計機(jī)架結(jié)構(gòu)，使得修刻機(jī)的整體人機(jī)融合度大為提高，使得修刻機(jī)整體結(jié)構(gòu)布局更加合理高效；
[0013]2.機(jī)架中設(shè)置了兩個存放合格品與不合格品的抽屜，使得修刻完成后能將合格品與不合格品分開放置。
【附圖說明】
[0014]圖1-3為本發(fā)明機(jī)架的三面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖中:1-吊架、2-平臺、3-定位螺孔、4-螺孔、5-小平臺、6-大平臺、7_修刻后工件存放箱、8-安裝工件頂升缸的孔、9-修刻后工件出口的孔、10-修刻工作臺的孔、11-安裝氣栗的小平臺、12-聯(lián)接螺栓孔、13-有機(jī)塑料門。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步說明:
[0017]機(jī)架是修刻機(jī)的支承結(jié)構(gòu)和外殼，起支承和密封兩方面的作用，所有構(gòu)件都安裝在機(jī)架上，圖1-3是其整體結(jié)構(gòu)的三面示意圖。整個機(jī)架用角鋼、扁鋼和鋼板等型材來做，先用40mm X 40mm X 3mm的角鋼和40mm X 3mm扁鋼焊接一個長寬高分別為1200mm X 500mm X1500mm的架子；后面焊上4mm后的不銹鋼板，也可用螺栓聯(lián)接，這樣雖然可拆，但裝拆較慢；在機(jī)架的頂面靠右300mm、前200mm處焊接一個安裝自動調(diào)焦激光器的吊架I，吊架I通過扁鋼與機(jī)架相聯(lián);在機(jī)架的右后側(cè)，離頂面300_處設(shè)計一個用于安裝帶阻值自動檢測系統(tǒng)工控機(jī)的平臺2，平臺2的大小200mmX 200mm，帶安裝螺孔;在機(jī)架后面板的左下側(cè)開有兩個用于固定聯(lián)接工件出口管的定位螺孔3，這兩個孔的位置可以根據(jù)實際需要進(jìn)行調(diào)節(jié)，大小M12;在后面板的靠右300mm從上到下開有3個用于聯(lián)接電刷升降機(jī)構(gòu)的螺孔4，大小為M16;在機(jī)架的右側(cè)外面靠前面設(shè)計一個用于安裝顯示與輸入輸出設(shè)備的小平臺5，小平臺5離地高為1200 mm，便于對設(shè)備的操作，大小在150mmX 150mm左右;機(jī)架的中間用4mm厚的不銹鋼板和20mm X 20mm角鋼制作成一個大平臺6，用于安裝工件自動裝卸裝置、工件自動升降裝置、修刻后的工件出口、工件修刻臺等主要結(jié)構(gòu)。大平臺6將機(jī)架隔成上下兩層，上層高為900 _，下層高為500 mm。在下層靠左前側(cè)設(shè)置有修刻后工件存放箱7，修刻后工件存放箱7的內(nèi)部分兩格，左邊大右邊小，分別與合格工件出口和不合格工件出口通過管道相連通。修刻后的工件自動滑落到對應(yīng)的修刻后工件存放箱7內(nèi)部，底面為傾斜結(jié)構(gòu)，以使工件能向外滑移。修刻后工件存放箱7能存放200個合格工件和20個不合格工件，放滿后需要人工清空。大平臺6上分別要開出安裝工件頂升缸的孔8、修刻后工件出口的孔9和修刻工作臺的孔10，還有安裝工件自動裝卸裝置用的聯(lián)接螺栓孔12等結(jié)構(gòu)。下層靠右側(cè)的里面設(shè)計一個安裝氣栗的小平臺11，將氣栗安裝在上面。其余用I mm厚的不銹鋼板密封，機(jī)架上的前面上半部分開有兩扇透明的有機(jī)塑料門13，便于觀察和操作。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜電阻激光自動修刻機(jī)機(jī)架，所述機(jī)架是該薄膜電阻激光自動修刻機(jī)的支承結(jié)構(gòu)和外殼，其特征在于:所述機(jī)架的吊架(I)上設(shè)置自動調(diào)焦激光器，帶阻值自動檢測系統(tǒng)工控機(jī)設(shè)于機(jī)架的平臺(2)上； 所述機(jī)架還包括小平臺(5)，在小平臺(5)上設(shè)置顯示與輸入輸出設(shè)備； 所述機(jī)架還包括設(shè)置于機(jī)架中間的大平臺(6)，用于安裝工件自動裝卸裝置、工件自動升降裝置、工件出口、工件修刻臺，工件出口包括合格工件出口和不合格工件出口 ； 在機(jī)架的下層靠左前側(cè)設(shè)置有修刻后工件存放箱(7)，修刻后工件存放箱(7 )的內(nèi)部分兩格，分別與合格工件出口不合格工件出口通過管道相連通； 所述機(jī)架還包括安裝氣栗的小平臺(11)，機(jī)架上的前面上半部分開有兩扇透明的有機(jī)塑料門(13)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種薄膜電阻激光自動修刻機(jī)機(jī)架，所述機(jī)架是該薄膜電阻激光自動修刻機(jī)的支承結(jié)構(gòu)和外殼，所述機(jī)架的吊架上設(shè)置自動調(diào)焦激光器，帶阻值自動檢測系統(tǒng)工控機(jī)設(shè)于機(jī)架的平臺上。本實用新型具有以下優(yōu)點：1.采用型鋼、板材等較為普通的材料，通過合理設(shè)計機(jī)架結(jié)構(gòu)，使得修刻機(jī)的整體人機(jī)融合度大為提高，使得修刻機(jī)整體結(jié)構(gòu)布局更加合理高效；2.機(jī)架中設(shè)置了兩個存放合格品與不合格品的抽屜，使得修刻完成后能將合格品與不合格品分開放置。
【IPC分類】B23K26/70, B23K26/362
【公開號】CN205184061
【申請?zhí)枴緾N201520824511
【發(fā)明人】俞志根
【申請人】湖州職業(yè)技術(shù)學(xué)院
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2015年10月21日