專利名稱：具有通孔矩陣夾層連接的多層電路及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及多層電路，尤其涉及一種降低了夾層的定位要求的多層電路及其制造方法。具體地說，本發(fā)明涉及一種具有通孔矩陣夾層連接的多層軟性電路及其制造方法。
2．現(xiàn)有技術(shù)的描述一般現(xiàn)有技術(shù)中的集成電路芯片載體，例如單芯片模塊(SCM)和多芯片模塊(MCM)，包括一固定在多層軟性電路上的集成電路芯片，多層軟性電路在集成電路芯片和其它電路(諸如，固定在印刷電路卡上的其它集成電路器件，其中印刷電路卡與集成電路芯片載體相連)之間提供相互連接。一般，集成電路芯片載體內(nèi)的軟性電路包括一電絕緣的軟性薄膜，它由諸如聚酰亞胺等有機(jī)聚合物材料形成。軟性薄膜起襯底的作用，用于支持一個或多個集成電路芯片，每片芯片都通過焊球或其它類似的連接裝置與軟性薄膜上表面上的一組接觸焊接片電氣連接和機(jī)械固定。軟性薄膜上表面上的每個接觸焊接片通過一金屬化電路跡線與穿過軟性薄膜延伸的單個金屬化通孔相連。金屬化通孔在軟性薄膜的下表面又連接至信號跡線或銅質(zhì)背面，這里信號跡線與集成電路芯片相互傳送電信號，而銅質(zhì)背面則為集成電路芯片提供參考(地)電壓或電力。
在許多用于制造軟性電路的傳統(tǒng)工藝中，在軟性電路的至少一面沉積了一層金屬層之后，在襯底中形成通孔。例如，在一種傳統(tǒng)的工藝中，在軟性薄膜襯底的上下表面上汽相沉積可以提高粘性的籽晶層。然后，在籽晶層上薄鍍一層銅。接下來，用光敏抗蝕劑層合襯底的上下表面，并通過光掩模對襯底的上下表面曝光，以便在襯底上表面上勾勒出電路跡線，在襯底下表面上勾勒出相應(yīng)的通孔圖案。在對光敏抗蝕劑顯影后，對上表面電鍍，以形成金屬化電路跡線。接下來，在下表面形成圖案的位置上，用化學(xué)方法蝕刻通孔，使之貫穿軟性薄膜。在形成通孔之后，從上下表面剝離光敏抗蝕劑，并使軟性薄膜經(jīng)歷多次烘焙和清潔步驟，以制備通孔供后續(xù)工藝使用。必須小心確保在進(jìn)行進(jìn)一步的處理步驟之前適當(dāng)清潔通孔，以避免與污染相關(guān)的問題(例如，水泡)。然后，在通孔側(cè)壁和襯底的下表面上沉積一層薄的籽晶層。然后，在通孔側(cè)壁和下表面上鍍銅，形成金屬化通孔和銅質(zhì)背面，或者下表面電路。
盡管在金屬化之前在軟性薄膜中預(yù)制通孔可以較佳地使制造工藝合理化(例如，允許對襯底的上下表面同時金屬化)，并且避免通孔發(fā)生與污染有關(guān)的問題，但是在金屬化之前在襯底中預(yù)制通孔也會產(chǎn)生一些困難。具體地說，與籽晶層汽相沉積相關(guān)聯(lián)的高溫會使軟性薄膜出現(xiàn)明顯的熱變形。將軟性薄膜加熱至這樣的溫度極限會使軟性薄膜在橫帶(橫向)方向有規(guī)則地收縮，而在順帶方向上伸長。軟性薄膜熱變形引起的通孔移位是不希望有的，因?yàn)榻酉聛碓谲浶员∧ど媳砻嫔蠈饘倩E線進(jìn)行光刻圖案形成必須考慮通孔的移位，以便實(shí)現(xiàn)上表面金屬化跡線與軟性薄膜背面或下表面信號跡線之間的電氣連接。盡管在某種程度上，可以用對金屬化跡線制備圖案的光掩模補(bǔ)償通孔有規(guī)則的熱位移，但是通孔的隨機(jī)位移也是很普遍的，對于這種位移，靜態(tài)光掩模是不能補(bǔ)償?shù)?。由于通孔存在隨機(jī)熱位移，所以由具有預(yù)制通孔的軟性薄膜制造出來的軟性電路會存在缺陷。
第二個與當(dāng)今經(jīng)濟(jì)制造軟性電路相關(guān)的更普遍的問題是接合區(qū)(land)、跡線和其它上表面金屬化與金屬化通孔和下表面金屬化之間的夾層對準(zhǔn)。由于不斷增長的超小型化要求，尤其在助聽器和蜂窩式電話等約束包裝應(yīng)用中，所以在電路金屬化與軟性電路中金屬化通孔之間的對準(zhǔn)必須極為精密。為了使夾層對準(zhǔn)令人滿意，諸如金屬化跡線和金屬化通孔等軟性電路特征的對準(zhǔn)需要昂貴的對準(zhǔn)設(shè)備，該設(shè)備使用復(fù)雜的機(jī)械視覺技術(shù)。
制造軟性電路所伴隨的第三個問題是通過金屬化通孔在軟性電路層之間建立可靠的連接。當(dāng)使用的制造工藝在進(jìn)行后續(xù)處理步驟之前形成通孔但不填充通孔時，在電鍍期間，通孔內(nèi)會帶入污物，從而使夾層連接不良。當(dāng)使用含水的處理方法時，這種對可靠性的考慮特別普遍，因?yàn)樗郧鍧崉┑谋砻鎻埩柚雇诐駶櫼约捌渌呖v橫比電路特征。另外，由于上下表面金屬化之間的連接一般通過單個通孔建立，所以如果在電源平面或下表面信號跡線與上表面金屬化之間的單個通孔互連失敗，那么就會造成集成電路芯片發(fā)生故障。
由此可見，需要一種用于集成電路芯片載體的軟性電路，它允許制造具有較小幾何尺寸和較大密度的電路特征，并且可以降低夾層的對準(zhǔn)要求。另外，需要一種軟性電路夾層連接，以提高可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種改進(jìn)的多層電路。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種改進(jìn)的降低了夾層對準(zhǔn)要求的多層電路及其制造方法。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種改進(jìn)的具有通孔矩陣夾層連接的多層軟性電路及其制造方法。
以下敘述如何實(shí)現(xiàn)上述目的。揭示了一種用于電氣連接第一和第二導(dǎo)電元件并且降低夾層對準(zhǔn)要求的夾層連接。該夾層連接包括第一層，包括第一導(dǎo)電元件；第二層，包括第二導(dǎo)電元件；和第三層，它位于第一層和第二層之間。第三層包括一電絕緣部分，由直接相鄰的通孔組成的矩陣從電絕緣部分穿過。矩陣內(nèi)選定的多個直接相鄰的通孔位于第一導(dǎo)電元件和第二導(dǎo)電元件之間，并且包含導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料在第一導(dǎo)電元件和第二導(dǎo)電元件之間形成一導(dǎo)電通路。
通過閱讀以下詳細(xì)描述將清楚本發(fā)明的上述及其附加的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。
附圖概述后附的權(quán)利要求書敘述了本發(fā)明的新穎特征。但是，當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時，通過參考以下對說明性實(shí)施例的詳細(xì)描述將更好地理解發(fā)明本身、其較佳使用方式以及進(jìn)一步的目的和優(yōu)點(diǎn)，附圖有

圖1A和1B分別示出了依照本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的軟性電路的通孔矩陣互連的平面和截面圖；圖2示出了依照本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的通孔矩陣互連，其中矩陣中的通孔沿軟性電路的非臨界尺寸取向；圖3是一流程圖，示出了用于制造本發(fā)明軟性電路的方法的較佳實(shí)施例；和圖4示出了在對通孔和軟性薄膜襯底的上下表面金屬化之前，依照本發(fā)明的軟性電路的截面圖。
較佳實(shí)施例的詳細(xì)描述現(xiàn)參照附圖，特別是圖1A和1B，它們分別示出了依照本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的軟性電路內(nèi)通孔矩陣夾層連接的平面圖和截面圖。圖1B所示的截面圖是沿圖1A中直線1-1截得。如圖所示，軟性電路10包括一襯底12，襯底最好包含諸如聚酰亞胺等薄的、軟性的電絕緣有機(jī)材料。一種合適的襯底材料是杜邦公司以商標(biāo)Kapton E出售的聚酰亞胺。
貫穿襯底12形成包括多個直接相鄰?fù)?6的通孔矩陣14。依照本發(fā)明，通孔矩陣14包括一列或多列通孔16，每列有多個通孔，或者包括一行或多行通孔16，每行有多個通孔。另一種形式是，通孔矩陣14包括許多通孔16，它們以組織性較差的形式分布在襯底12的規(guī)定區(qū)域中。與傳統(tǒng)軟性電路通孔互連中使用的通孔相比，通孔矩陣14中的每個通孔16最好具有較小的直徑。例如，每個通孔16的直徑在10至15微米之間，而傳統(tǒng)軟性電路通孔互連中使用的通孔，其直徑為25-250微米。依照本發(fā)明，用諸如銅等導(dǎo)電材料填充多個選中的直接相鄰的通孔16(在第一較佳實(shí)施例中，它們包括通孔矩陣14內(nèi)所有的通孔16)。相反，通孔矩陣14內(nèi)未選中的通孔包括襯底中的空通道，它們不提供夾層電氣連接。為了本發(fā)明的目的，術(shù)語“直接相鄰”是指限制一組通孔的周長不包含任何該組未包括的通孔。
如圖所示，軟性電路10還包括金屬化跡線20、22和24。在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，這些跡線包括接觸焊接片或其它電路金屬化。如虛線所示，金屬化跡線20覆蓋在通孔矩陣14內(nèi)多個選中的直接相鄰的通孔16上，以便在金屬化跡線20和軟性電路10之下表面上的背面30之間提供電氣連接。例如，背面30可用來將參考(地)電壓或電力提供給與金屬化跡線20電氣相連的集成電路芯片(未示出)。金屬化跡線22和24為固定在軟性電路10上的集成電路芯片的輸入或輸出信號提供了信號傳導(dǎo)通路。與金屬化跡線20一樣，每條金屬化跡線22和24都通過襯底12內(nèi)未示出的通孔矩陣和襯底12下表面上的接觸焊接片與其它電路電氣連接。
通孔矩陣14的尺寸最好選擇成能夠提高(放寬)在制造軟性電路10期間的夾層對準(zhǔn)容限。在諸如圖1A所示的通道受約束的應(yīng)用中，電路金屬化相對通孔矩陣的夾層對準(zhǔn)容限被定義為間隔容限(即，通道26和28的最小許可寬度)和焊接片(或跡線)對準(zhǔn)容限中較小的一個，可以表示為TPadReg=1/2(WPad-WMatrix)+(WMatrix-Wvia)=1/2WPad+1/2WMatrix-WVia,其中W是電路臨界尺寸(critical dimension)中被指定為電路特性的寬度。
為了使電路金屬化在通道受約束的應(yīng)用中具有最大的夾層對準(zhǔn)容限，通孔矩陣14沿軟性電路10之臨界尺寸的大小，最好選擇成使焊接片對準(zhǔn)容限等于間隔容限。例如，在圖1A所示的第一較佳實(shí)施例中，如果間隔容限為40微米，并且金屬化跡線20的寬度為50微米，那么可以用10微米直徑的通孔和20微米的間距形成通孔矩陣14，使焊接片對準(zhǔn)容限為40微米。與本發(fā)明相反，出于可靠性的考慮，傳統(tǒng)的單通孔互連一般使用不小于25-50微米的通孔，因此其最大夾層對準(zhǔn)容限為TPadReg=1/2(Wpad-WMatrix)=12.5微米。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)中單通孔互連相比所獲得的夾層對準(zhǔn)容限的提高在通道不受約束的應(yīng)用中尤為明顯，在這些應(yīng)用中，夾層對準(zhǔn)容限僅受所選通孔矩陣14之尺寸的限制。因此，在通道不受約束的應(yīng)用中，可將通孔矩陣14的寬度選擇成大于金屬化跡線20的寬度，以便通孔矩陣14覆蓋通道的大部分寬度和長度。
本發(fā)明通孔矩陣夾層連接的另一個優(yōu)點(diǎn)是提高了可靠性。盡管通孔矩陣14中每個通孔16具有大于較大單通孔(25-150微米)的固有失效率，但由于冗余，依照本發(fā)明的通孔矩陣夾層連接的總的可靠性高于傳統(tǒng)的單通孔互連。因此，例如如果單通孔16的失效率為0.1％，而金屬化跡線20與背面30之間的連接通過通孔矩陣14內(nèi)9個通孔16中的6個來建立，那么預(yù)期連接的失效率將為(0.001)6即10-18。相反，50微米的單通孔互連的失效率一般約為10-5。
現(xiàn)參照圖2，該圖示出了依照本發(fā)明第二實(shí)施例的軟性電路，在該電路中，通孔矩陣的取向基本上沿著軟性電路的非臨界尺寸，以便在通道受約束的應(yīng)用中獲得較大的通孔冗余。在圖2中，相同標(biāo)號表示的軟性電路特征對應(yīng)于圖1A和圖1B中所示的特征。如金屬化跡線20與金屬化跡線22和24之間的較窄寬度的通道26和28所示，軟性電路40的臨界尺寸沿直線2-2。因此，通孔矩陣42的取向使得通孔矩陣42的最大尺寸基本上對準(zhǔn)金屬化跡線20的非臨界尺寸。因此，如圖2所示，即使在電路金屬化間距較密的應(yīng)用中，通過改變通孔矩陣42相對于金屬化跡線20寬度的取向，也可以提高軟性電路40的可靠性和夾層對準(zhǔn)容限。圖2還示出了許多未選中的通孔18，如上所述，它們包括襯底12中未覆蓋在金屬化跡線20下面的空通道。盡管未選中的通孔18不給夾層提供電氣連接，但未選中通孔18通過降低金屬化跡線20與金屬化跡線22和24之間的互電容，提高了電路性能。
現(xiàn)參照圖3，它是一流程圖，示出了依照圖1A和圖1B所示的本發(fā)明第一實(shí)施例，用于在軟性電路中制造通孔矩陣互連的方法的較佳實(shí)施例。過程從方框50開始，最好以卷動(帶)形式提供諸如聚酰亞胺等軟性薄膜襯底材料。過程從方框50進(jìn)入方框52，在上表面電路金屬化與下表面電路金屬化之間每一個希望互連的地方形成貫穿襯底12的通孔矩陣14。用激光鉆孔技術(shù)或者能在襯底12內(nèi)形成小直徑(25微米或更小)通孔的任何其它技術(shù)，貫穿襯底12形成通孔矩陣14。襯底12內(nèi)形成的通孔最小直徑受最大縱橫比的限制，最大縱橫比允許在后續(xù)處理步驟中對通孔16作可靠的電鍍。
過程從方框52進(jìn)入方框54，它利用汽相沉積法(例如，濺射或電子束蒸發(fā))在襯底12的上下表面和通孔16的側(cè)壁上形成一層或多層由被選中高粘度金屬(諸如鉻和銅等)構(gòu)成的薄晶種。金屬化籽晶層可以提高而后沉積的電路金屬化與襯底12之間的粘性。在襯底上汽相沉積籽晶層一般在高溫真空的條件下進(jìn)行，由于襯底12伴有熱膨脹，因此它是通孔16發(fā)生熱位移的主要原因。
接下來，過程從方框54進(jìn)入方框56，它在襯底12的上下表面和通孔16的側(cè)壁上薄鍍一層薄銅，用以提高光敏抗蝕劑的粘性。然后，過程進(jìn)入方框58，它用標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝確定金屬化跡線20、22和24。依照傳統(tǒng)的光刻工藝，用光敏抗蝕劑與襯底12的上表面層合。在襯底12之上表面的附近放一個具有所需電路金屬化負(fù)片圖象的光掩模，然后用紫外線照射。由于本發(fā)明允許相對較大的夾層對準(zhǔn)容限，所以通過單獨(dú)地或在可選的光傳感器的幫助下對襯底12手動控制，可以將通孔矩陣14與對應(yīng)于金屬化跡線20的光掩模圖案對準(zhǔn)。在任何一種情況下，光掩模與襯底12適當(dāng)對準(zhǔn)都不必使用復(fù)雜而昂貴的機(jī)械視覺對準(zhǔn)工具。在曝光光敏抗蝕劑后，光敏抗蝕劑化學(xué)顯影，以便從襯底20上將要沉積金屬化跡線20、22和24的位置上除去光敏抗蝕劑。
現(xiàn)參照圖4，該圖示出了在圖3方框58所示的形成光敏抗蝕劑之圖案的步驟后，軟性電路10的截面圖。如圖所示，與圖3方框52所描述的一樣，已貫穿襯底12形成了通孔矩陣14。另外，用籽晶層70和薄鍍層72涂覆襯底12的兩個表面和通孔矩陣14內(nèi)通孔16的側(cè)壁。另外，在圖3方框58中形成了圖案的光敏抗蝕劑接合區(qū)74，確定了通道26和28。參照圖4可知，與制造傳統(tǒng)的單通孔夾層連接相比，通孔矩陣14提高了光刻期間允許的夾層對準(zhǔn)容限，因?yàn)楣饷艨刮g劑接合區(qū)74之間的通道76的位置可以相對通孔矩陣14改變到允許通孔矩陣14內(nèi)的單通孔16與通道76對準(zhǔn)的程度。
再參照圖3，在方框58形成光敏抗蝕劑圖案后，過程進(jìn)入方框60，它用銅對軟性電路10的上下表面和曝露的通孔16的側(cè)壁進(jìn)行電鍍。除了對通道76內(nèi)曝露的通孔16金屬化外，方框60所示的電鍍步驟還在軟性電路10下表面上形成背面30，并在軟性電路10之上表面上形成金屬化跡線20、22和24。然后，過程進(jìn)入方框62，它用諸如稀釋的(3-5％)氫氧化鉀(KOH)等剝離劑將剩余的光敏抗蝕劑從軟性電路10上剝離。最后，如方框64所示，用諸如過硫酸銨((CNH4)2S2O3)等化學(xué)蝕刻劑對軟性電路10進(jìn)行淺蝕，以便從襯底12上表面的曝露部分以及不用來互連金屬化跡線20和背面30的任何曝露的通孔16上除去薄鍍銅層和濺射籽晶層。淺蝕使得曝露的通孔16不導(dǎo)電。然后，過程在方框66終止。在結(jié)束制造軟性電路10的最后的拋光操作后，可以將一個或多個集成電路芯片固定在軟性電路10上，并用例如焊球或絲焊劑等將芯片與金屬化跡線20、22和24電氣連接。所得的集成電路器件可以包括例如單芯片模塊或多芯片模塊。
如上所描，本發(fā)明提供了一種經(jīng)改進(jìn)的在多層電路中使用的夾層連接，可以提高夾層的對準(zhǔn)容限。另外，依照本發(fā)明的夾層連接通過通孔矩陣中的多個通孔建立了冗余電氣連接，從而提高了可靠性。另外，在制造工藝中的任何濕處理步驟之前，在通孔矩陣內(nèi)形成并填充選中的通孔，由此提高夾層連接的可靠性。
盡管已就集成電路芯片載體內(nèi)軟性電路的較佳實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員知道，本發(fā)明還可應(yīng)用于其它電路。另外，盡管描述了用于制造本發(fā)明軟性電路互連結(jié)構(gòu)的方法，但本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員知道，還可以使用其它的處理方法。例如，在金屬化之后，在襯底內(nèi)形成本發(fā)明的通孔矩陣。另外，也可以使用諸如美國專利第5,227,008號的含水制造工藝。
盡管參照較佳實(shí)施例具體描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員應(yīng)該理解，不脫離本發(fā)明的精神和范圍，可以在形式和內(nèi)容上進(jìn)行各種變化。
權(quán)利要求
1．一種用于電氣連接第一和第二導(dǎo)電元件并且降低夾層對準(zhǔn)要求的夾層連接，其特征在于，包括第一層，包括第一導(dǎo)電元件；第二層，包括第二導(dǎo)電元件；和第三層，它位于所述第一層和所述第二層之間，所述第三層包括一電絕緣部分，由直接相鄰的通孔組成的矩陣從所述電絕緣部分穿過，所述矩陣內(nèi)多個直接相鄰的通孔位于所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件之間，并且包含導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料在所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件之間形成一導(dǎo)電通路。
2．如權(quán)利要求1所述的夾層連接，其特征在于，所述第二導(dǎo)電元件的一種特定尺寸具有一選定寬度，并且所述矩陣沿所述第二導(dǎo)電元件之所述特定尺寸的寬度小于所述選定的寬度。
3．如權(quán)利要求1所述的夾層連接，其特征在于，所述第二導(dǎo)電元件的一種特定尺寸具有一選定寬度，并且所述矩陣沿所述第二導(dǎo)電元件之所述特定尺寸的寬度大于所述選定的寬度。
4．如權(quán)利要求3所述的夾層連接，其特征在于，只有位于所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件之間的所述多個直接相鄰的通孔包含導(dǎo)電材料。
5．如權(quán)利要求1所述的夾層連接，其特征在于，所述矩陣內(nèi)每個通孔的標(biāo)稱直徑小于25微米。
6．如權(quán)利要求1所述的夾層連接，其特征在于，所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件中至少有一個包括單條跡線。
7．如權(quán)利要求1所述的夾層連接，其特征在于，所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件中至少有一個包括電源平面或接地平面。
8．一種集成電路器件，其特征在于，包括一集成電路芯片；一電路，所述集成電路芯片與所述電路機(jī)械固定并電氣連接，所述電路包括第一層，包括第一導(dǎo)電元件；第二層，包括第二導(dǎo)電元件；和第三層，它位于所述第一層和所述第二層之間，所述第三層包括一電絕緣部分，由直接相鄰的通孔組成的矩陣從所述電絕緣部分穿過，所述矩陣內(nèi)多個直接相鄰的通孔位于所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件之間，并且包含導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料在所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件之間形成一導(dǎo)電通路。
9．如權(quán)利要求8所述的集成電路器件，其特征在于，所述第二導(dǎo)電元件的一種特定尺寸具有一選定寬度，并且所述矩陣沿所述第二導(dǎo)電元件之所述特定尺寸的寬度小于所述選定的寬度。
10．如權(quán)利要求8所述的集成電路器件，其特征在于，所述第二導(dǎo)電元件的一種特定尺寸具有一選定寬度，并且所述矩陣沿所述第二導(dǎo)電元件之所述特定尺寸的寬度大于所述選定的寬度。
11．如權(quán)利要求10所述的集成電路器件，其特征在于，只有位于所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件之間的所述多個直接相鄰的通孔包含導(dǎo)電材料。
12．如權(quán)利要求8所述的集成電路器件，其特征在于，所述矩陣內(nèi)每個通孔的標(biāo)稱直徑小于25微米。
13．如權(quán)利要求8所述的集成電路器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件中至少有一個包括單條跡線。
14．如權(quán)利要求8所述的集成電路器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件中至少有一個包括電源平面或接地平面。
15．一種在襯底上制造一電路的方法，其特征在于，包括以下步驟貫穿所述襯底，形成由直接相鄰的通孔組成的矩陣；用導(dǎo)電材料填充所述矩陣內(nèi)被選中的多個直接相鄰的通孔；并且在所述襯底的第一表面上形成第一導(dǎo)電元件，并在所述襯底的第二表面上形成第二導(dǎo)電元件，其中所述被選中的多個直接相鄰的通孔位于所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件之間，從而在所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件之間建立一導(dǎo)電通路。
16．如權(quán)利要求15所述的制造電路的方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電元件的一種特定尺寸具有一選定寬度，并且所述矩陣沿所述第二導(dǎo)電元件之所述特定尺寸的寬度小于所述選定的寬度。
17．如權(quán)利要求15所述的制造電路的方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電元件的一種特定尺寸具有一選定寬度，并且所述矩陣沿所述第二導(dǎo)電元件之所述特定尺寸的寬度大于所述選定的寬度。
18．如權(quán)利要求15所述的制造電路的方法，其特征在于，貫穿所述襯底形成由直接相鄰的通孔組成的矩陣的所述步驟包括通過激光鉆孔獲得由直接相鄰的通孔組成的貫穿所述襯底的所述矩陣。
19．如權(quán)利要求15所述的制造電路的方法，其特征在于，貫穿所述襯底形成由直接相鄰的通孔組成的矩陣的所述步驟在形成所述第一和所述第二導(dǎo)電元件的所述步驟之前進(jìn)行。
20．如權(quán)利要求15所述的制造電路的方法，其特征在于，填充所述選定的多個直接相鄰的通孔的所述步驟包括用一種選定的金屬對所述選定的多個直接相鄰?fù)走M(jìn)行電鍍。
21．如權(quán)利要求15所述的制造電路的方法，其特征在于，還包括下述步驟在形成所述第一和所述第二導(dǎo)電元件的所述步驟之后，蝕刻所述矩陣內(nèi)不包括在所述被選定的多個直接相鄰?fù)變?nèi)的每個通孔。
22．如權(quán)利要求15所述的制造電路的方法，其特征在于，在形成所述第一和所述第二導(dǎo)電元件的所述步驟之前，用光刻法確定所述第一導(dǎo)電元件和所述第二導(dǎo)電元件中的至少一個。
全文摘要
揭示了一種用于電氣連接第一和第二導(dǎo)電元件并且降低夾層對準(zhǔn)要求的夾層連接。夾層連接包括;第一層,包括第一導(dǎo)電元件(20);第二層,包括第二導(dǎo)電元件(30);和第三層(12),它位于第一層和第二層之間。第三層(12)包括一電絕緣部分,由直接相鄰的通孔(16)組成的矩陣(14)從電絕緣部分穿過。矩陣(14)內(nèi)被選中的多個直接相鄰的通孔(16)位于第一和第二導(dǎo)電元件(20,30)之間,并且包含導(dǎo)電材料,該導(dǎo)電材料在所述第一和第二導(dǎo)電元件(20,30)之間形成一導(dǎo)電通路。
文檔編號H05K3/46GK1221551SQ97195395
公開日1999年6月30日 申請日期1997年5月5日 優(yōu)先權(quán)日1996年6月14日
發(fā)明者玻爾·麥蘭·哈維 申請人:美國3M公司