一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法，工藝組成：材料--切割--倒角--粗磨--退火--DMP--CMP--清洗--鍍膜--絲印--成品檢驗(yàn)，所述工藝組成1.切割：對(duì)晶體塊狀進(jìn)行切割成片料方便后道加工；2.倒角：將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度，避免應(yīng)力集中造成缺陷；3.粗磨：去除切片時(shí)造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度；4.退火：改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大；5.DMP：改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度；6.CMP：改善晶片粗糙度，使其表面達(dá)到納米級(jí)的精度；7.鍍膜：對(duì)晶片進(jìn)行防指紋鍍膜處理；8.絲印：對(duì)晶片單面進(jìn)行絲印處理加強(qiáng)光吸收。該方法可以獲得表面無損傷層、粗糙度達(dá)到納米級(jí)藍(lán)寶石手機(jī)面板，而且大大縮短制備周期，節(jié)約生產(chǎn)成本，提高勞動(dòng)生產(chǎn)率。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法，屬于手機(jī)材料科學(xué)【技術(shù)領(lǐng)域】。 一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法

【背景技術(shù)】
[0002] 藍(lán)寶石Sapphire，又稱白寶石，是人造單晶材料，分子式為A1203,為六方晶體結(jié) 構(gòu)。硬度極高（莫氐硬度：9. 2?9. 4)、耐高溫、耐磨損、抗腐蝕和透光波段寬（光譜范圍： 0.3?6μπι)的優(yōu)質(zhì)光功能材料。具有集優(yōu)良光學(xué)性能、物理性能和化學(xué)性能的獨(dú)特結(jié)合 體。作為最硬（單晶純度彡99. 99%，硬度9mohs)的氧化物晶體，藍(lán)寶石由于其光學(xué)和物理 特性而被運(yùn)用于各種要求苛刻的領(lǐng)域。藍(lán)寶石可以在高溫下保持其高強(qiáng)度、優(yōu)良的熱屬性 和透過率。它有著很好的熱特性，極好的電氣特性和介電特性，并且防化學(xué)腐蝕。隨著手機(jī) 技術(shù)的迅猛發(fā)展，藍(lán)寶石（A1203)晶體已經(jīng)成為現(xiàn)代工業(yè)極為重要的基礎(chǔ)材料。隨著藍(lán)寶 石材料手機(jī)面板的應(yīng)用需求，作為制作藍(lán)寶石手機(jī)面板的加工成為人們研究的焦點(diǎn)，由于 其硬度高且脆性大，機(jī)械加工困難。研究表明藍(lán)寶石手機(jī)面板的加工效率低成本高。為了 滿足藍(lán)寶石手機(jī)面板發(fā)展的需求，藍(lán)寶石手機(jī)面板加工機(jī)理及技術(shù)成為急待解決的重要問 題。


【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出了 一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法，該方法具有 制備周期短，生產(chǎn)成本低，勞動(dòng)生產(chǎn)率高的優(yōu)勢(shì)。
[0003] 本發(fā)明涉及藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工制備方法【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是整個(gè)制備加工方 法，工藝組成：材料一切割一倒角一粗磨一退火--DMP-CMP-清洗一鍍膜一絲印一成 品檢驗(yàn)，所述工藝組成1.切割：對(duì)晶體塊狀進(jìn)行切割成片料方便后道加工；2.倒角：將晶 片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度，避免應(yīng)力集中造成缺陷；3.粗磨：去除切 片時(shí)造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度；4.退火：改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集 中B0W偏大；5. DMP :改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度；6. CMP :改善晶片粗糙 度，使其表面達(dá)到納米級(jí)的精度；7.鍍膜：對(duì)晶片進(jìn)行防指紋鍍膜處理；8.絲印：對(duì)晶片單 面進(jìn)行絲印處理加強(qiáng)光吸收；所述工藝可以獲得表面無損傷層、粗糙度達(dá)到納米級(jí)藍(lán)寶石 手機(jī)面板，而且大大縮短制備周期，從而節(jié)約生產(chǎn)成本，又達(dá)到提高勞動(dòng)生產(chǎn)率的目的。
[0004] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：整個(gè)制備加工方法，工藝組成：材 料一切割一倒角一粗磨一退火--DMP--CMP--清洗一鍍膜一絲印一成品檢驗(yàn)。
[0005] 所述工藝組成切割：對(duì)晶體塊狀進(jìn)行切割成片料方便后道加工。
[0006] 所述工藝組成倒角是將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度，避免 應(yīng)力集中造成缺陷。
[0007] 所述工藝組成粗磨是去除切片時(shí)造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度。
[0008] 所述工藝組成退火是改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中B0W偏大。
[0009] 所述工藝組成DMP是改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度。
【權(quán)利要求】
1. 一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法，其特征在于：所述的整個(gè)制備加工方法，工藝 組成為材料--切割--倒角--粗磨--退火--DMP--CMP--清洗一鍍膜一絲印一成品檢 驗(yàn)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法其，其特征在于：所述切 割是對(duì)晶體塊狀進(jìn)行切割成片料方便后道加工。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法其，其特征在于：所述倒 角是將晶片邊緣修整成圓弧狀，改善薄片邊緣的機(jī)械強(qiáng)度，避免應(yīng)力集中造成缺陷。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法其，其特征在于：所述粗 磨是去除切片時(shí)造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法其，其特征在于：所述退 火是改善因機(jī)械加工造成的應(yīng)力集中BOW偏大。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法其，其特征在于：所述DMP 是改善因粗磨造成的破壞層降低晶片表面粗糙度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法其，其特征在于：所述CMP 是改善晶片粗糙度，使其表面達(dá)到納米級(jí)的精度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法其，其特征在于：所述鍍 膜是對(duì)晶片進(jìn)行防指紋鍍膜處理。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)寶石材料手機(jī)面板加工方法其，其特征在于：所述絲 印是對(duì)晶片單面進(jìn)行絲印處理加強(qiáng)光吸收。
【文檔編號(hào)】C30B33/00GK104088017SQ201410294265
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月20日
【發(fā)明者】潘相成 申請(qǐng)人:常州市好利萊光電科技有限公司