一種采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法
【專利摘要】一種采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，包括如下步驟：a)制備介質(zhì)層，在介質(zhì)層上層壓粗糙面的粗糙度小于4μm的銅箔形成銅箔導(dǎo)電層，形成復(fù)合結(jié)構(gòu)基板；b)將銅箔導(dǎo)電層厚度降至0.2～5μm；c)在介質(zhì)層與銅箔導(dǎo)電層上制作出通孔或盲孔；d)在銅箔導(dǎo)電層及盲孔或通孔的孔壁進行導(dǎo)電化處理，形成種子層；e)在基板表面貼感光薄膜，通過圖形轉(zhuǎn)移在基板上形成電鍍阻擋層；f)對基板進行電鍍；g)用化學鍍或電鍍的方法，在線路圖形表面形成金屬保護層；h)去除電鍍阻擋層；i)采用閃蝕方法去除裸露的種子層、銅箔導(dǎo)電層，保留電鍍形成的線路圖形；j)去除金屬保護層；K)在線路板上重復(fù)步驟a)～j)，制成多層線路板。
【專利說明】一種采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及印制電路板的制作方法，特別涉及一種采用新型改良的半加成法制作 印制電路板（含1C載板）的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子產(chǎn)品向輕薄短小的方向發(fā)展，對產(chǎn)品精細化程度的要求也越來越高。在 印制電路板的制作中，除了減小導(dǎo)通孔孔徑外，縮小線路尺寸也是提高產(chǎn)品密度，減小完成 板尺寸的一個重要方向。
[0003] 目前在線路板制造工藝中，三種典型的圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)為：減成法、全加成法與半加 成法工藝。
[0004] (1)減成法
[0005] 在減成法中，一般采用光敏性抗蝕材料來完成圖形轉(zhuǎn)移，并利用該材料來保護不 需蝕刻去除的區(qū)域，隨后采用酸性或堿性蝕刻藥水將未保護區(qū)域的銅層去除。對于減成法 工藝，最大的缺點在于：在蝕刻過程中，裸露銅層在往下蝕刻的過程中也向側(cè)面蝕刻（即側(cè) 蝕），由于側(cè)蝕的存在，減成法在精細線路制作中的應(yīng)用受到限制。
[0006] (2)全加成法
[0007] 全加成法工藝是指采用含光敏催化劑的絕緣基板，在按線路圖形曝光后，通過選 擇性化學沉銅得到導(dǎo)體圖形的工藝。全加成法工藝比較適合制作精細線路，但由于其對基 材、化學沉銅均有特殊要求，目前采用該工藝進行生產(chǎn)的線路板工廠極少。
[0008] (3)半加成法
[0009] 半加成法工藝是指在基板上進行化學銅，在其上形成抗蝕圖形，經(jīng)過電鍍工藝將 基板上圖形加厚，去除抗蝕圖形，然后再經(jīng)過閃蝕（Flash etching)將多余的化學銅層去 除。半加成工藝路線圖如圖1?圖5所示。
[0010] 半加成法目前是生產(chǎn)精細線路的主要方法，它的特點在于圖形形成主要靠電鍍和 閃蝕。在閃蝕前抗電鍍阻擋層已經(jīng)去除，閃蝕時同時對化學銅層和圖形電鍍的銅層進行蝕 亥IJ，由于蝕刻的化學銅層非常薄，因此蝕刻時間非常短，對線路側(cè)向的蝕刻很小。在閃蝕時， 必須采用特殊的閃蝕藥水來控制蝕刻后線路的形狀，采用普通的DES、SES或微蝕藥水都無 法滿足上述要求。與減成法相比，采用該方法線路的寬度不會受到電鍍銅厚的影響，比較容 易控制，提高了成品率。但是在半加成法中介質(zhì)層上的導(dǎo)電層是通過化學鍍的方法形成化 銅層，然后在化銅層上用電鍍加厚的方法得到的?；瘜W銅層與介質(zhì)材料之間的結(jié)合力一般 比較差，特別是對于目前普遍使用的FR4材料更是如此。在進行元器件貼裝時，線路板一般 要經(jīng)過230-260攝氏度左右的高溫，如果結(jié)合力比較差非常容易出現(xiàn)銅層與介質(zhì)層之間的 分離，最終造成完成后的線路板熱可靠性表現(xiàn)不佳。
[0011]目前解決半加成工藝中介質(zhì)層材料與導(dǎo)體層之間的結(jié)合力存在問題的方法有以 下幾種：
[0012] 第一，介質(zhì)材料不采用傳統(tǒng)的FR-4環(huán)氧樹脂，RCC，BT材料，而采用特殊的材料（如 ABF，日本Ajinomoto公司生產(chǎn)），這種介質(zhì)材料在去鉆污的過程中（Desmear)，容易被咬蝕 形成均勻、粗糙的表面，并且這種材料的熱性能穩(wěn)定，和銅之間的結(jié)合力優(yōu)良，不容易產(chǎn)生 分層。這種方法的缺點是：必須使用特殊的材料，如ABF，而這種特殊的材料比傳統(tǒng)的FR-4， RCC等材料昂貴得多，因此制作成本很高。
[0013] 第二，采用載體銅箔層壓的方式，這種銅箔只有1.5 μ m-3 μ m，由于這么薄的銅箔 容易起皺，因此這種載體銅箔是在1. 5-3 μ m的銅箔背面增加一金屬載體起到支撐的作用， 利于搬運等操作。但是這種銅箔由于增加了金屬載體，價格也比較昂貴，只在高附加值的產(chǎn) 品中使用，如1C載板，而在一般的印制電路板上使用很少。
[0014] 針對上述問題，中國專利（200910045924. 2)采用層壓導(dǎo)電層的方法來進行改良 的半加成工藝的制作，成本比較低，其工藝路線如圖6?圖13所示。但是該專利仍有以下 問題需要解決：
[0015] (1)層壓普通的銅箔導(dǎo)電層，該銅箔粗糙面的粗糙度大，牙根比較大（如圖14所 示），在閃蝕過程不易蝕刻干凈，容易出現(xiàn)短路等缺陷。如果增加閃蝕量，銅牙能蝕刻干凈， 但是由于蝕刻量大，將出現(xiàn)線路過細或線路底部側(cè)蝕增加的問題，不利于精細線路的制作。
[0016] (2)在閃蝕過程中，由于閃蝕藥水不僅對裸露的種子層和其下的導(dǎo)電層有蝕刻作 用，對圖形電鍍的銅線路也有蝕刻作用，因此在閃蝕完成后，圖形電鍍的銅厚度明顯下降。 如圖13所示，圖形電鍍的銅線路在經(jīng)過閃蝕后，銅厚度明顯下降。而客戶對于線路的銅厚 度有明確的規(guī)定，因此為了滿足客戶要求，在圖形電鍍時就需要增加電鍍時間，增加線路的 厚度，這樣增加了成本。
[0017] (3)另外，在閃蝕過程中，閃蝕藥水對于通孔的孔口和孔壁銅也有蝕刻作用，而且 由于通孔處閃蝕的藥水流速大，藥水交換比較快，導(dǎo)致通孔孔口處和孔壁的銅被減薄，銅厚 度明顯下降，電路板的可靠性下降。在實際生產(chǎn)中，嘗試用一種方法來解決這個問題，即：在 閃蝕之前在通孔位置貼上抗蝕薄膜，防止閃蝕藥水對孔口和孔壁銅的蝕刻，但是這種方法 存在兩個問題：第一：貼抗蝕薄膜時涉及到對位問題，很難將抗蝕薄膜的曝光位置和通孔 位置對準；第二：通孔貼上抗蝕薄膜后，由于孔內(nèi)和孔外壓力不一致，薄膜很容易破損，一 旦薄膜破損，則通孔孔壁孔角的電鍍層得不到保護，又會造成通孔孔口和孔壁的電鍍銅層 厚度減小。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0018] 本發(fā)明的目的在于提供一種采用新型改良的半加成法制作印制電路板的（含1C 載板）方法，使用這種方法可以制作線寬20um，線間距20 μ m以上精細線路，同時又易于對 線路以及孔壁銅厚的控制。
[0019] 為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：
[0020] 本發(fā)明印制電路板制作方法，基于改良的半加成方法，層壓表面粗糙度低的銅箔 導(dǎo)電層，減薄，并在圖形電鍍后，采用化學鍍或電鍍金屬保護層對線路和通孔進行保護，在 閃蝕后去除該保護層，并且不損傷介質(zhì)層和銅層。
[0021] 具體地，本發(fā)明的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，包括如下步 驟：
[0022] a)制備一介質(zhì)層，在介質(zhì)層上層壓粗糙面的粗糙度（Rz)小于4μπι的銅箔形成銅 箔導(dǎo)電層，形成包含介質(zhì)層與銅箔導(dǎo)電層的復(fù)合結(jié)構(gòu)的基板：
[0023] b)將銅箔導(dǎo)電層的厚度降低到0. 2?5 μ m ;
[0024] c)在介質(zhì)層與銅箔導(dǎo)電層上制作出通孔或盲孔；
[0025] d)在銅箔導(dǎo)電層及盲孔或通孔的孔壁進行導(dǎo)電化處理，形成種子層；
[0026] e)在基板表面貼感光薄膜，通過圖形轉(zhuǎn)移在基板上形成電鍍阻擋層；
[0027] f)對上述含電鍍阻擋層的基板進行電鍍，在形成線路圖形的同時，也對通、盲孔進 行電鍍，或通、盲孔由電鍍填充形成實心導(dǎo)電柱；
[0028] g)用化學鍍或電鍍的方法，在線路圖形表面形成金屬保護層；
[0029] h)去除上述電鍍阻擋層；
[0030] i)用閃蝕方法去除裸露的種子層和其下的銅箔導(dǎo)電層，保留電鍍形成的線路圖 形；
[0031] j)去除金屬保護層；
[0032] k)在線路板上重復(fù)以上步驟a)?j)，制成多層線路板。
[0033] 進一步，步驟a)中所述的銅箔為無棱線銅箔、低棱線銅箔、或反轉(zhuǎn)銅箔。
[0034] 步驟b)將銅箔導(dǎo)電層的厚度降低到0.2?5μπι的方法為：采用機械、化學或兩者 相結(jié)合的方法，其中機械方法包括：磨板、拋光；化學方法為減薄、蝕刻、超粗化、棕化、或黑 化處理。
[0035] 步驟c)中，采用機械或激光鉆孔的方式形成通孔或盲孔。
[0036] 步驟d)中，采用化學沉積或物理沉積的方法在通孔或盲孔的孔壁上形成導(dǎo)電種 子層。
[0037] 步驟d)中，在沉積之前對孔壁進行清潔處理。
[0038] 步驟f)中，電鍍只在裸露的銅箔導(dǎo)電層上進行。
[0039] 步驟e)中，在圖形電鍍中同時完成導(dǎo)體生長與盲孔填充電鍍，通、盲孔可由電鍍 填充形成實心導(dǎo)電柱，實心導(dǎo)電柱可用以實現(xiàn)疊孔。
[0040] 步驟g)中，金屬保護層選用鈀、銀、鎳、錫中的一種，或選用鎳磷合金、錫鉛合金。
[0041] 步驟h)中，采用閃蝕方法去除裸露的種子層和其下的銅箔導(dǎo)電層。
[0042] 步驟j)中去除金屬保護層的方法為：采用水平噴灑或垂直浸沒的設(shè)備以及選擇 性蝕刻藥水，即用對銅溶解性小，對金屬保護層溶解度大的藥水除去金屬保護層，使銅線路 圖形露出。
[0043] 所述的選擇性蝕刻藥水包括去鈀藥水、去銀藥水、去鎳和鎳磷合金藥水或去錫和 錫鉛合金藥水。
[0044] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點在于：
[0045] 1.本發(fā)明在介質(zhì)層上層壓表面粗糙度低的銅箔形成銅箔導(dǎo)電層，銅箔的粗糙度 (Rz)小于4 μ m，有利于閃蝕藥水對銅層的處理，有利于降低閃蝕量，適合制作精細線路（線 寬20um，線間距20 μ m以上）。
[0046] 2.本發(fā)明可以減小圖形電鍍中電鍍層的厚度。
[0047] 半加成工藝中，不經(jīng)過金屬保護的電鍍層在閃蝕過程中需要損失一部分的線路圖 形銅厚度，因此圖形電鍍過程中需要多鍍一段時間，以補充閃蝕中被蝕刻的銅，而圖形電鍍 鍍層越厚，其均勻性越差，電鍍層厚度的極差越大，對精細線路的制作不利，而且由于銅厚 度不均勻會導(dǎo)致介厚不均勻，進而導(dǎo)致印制線路板的阻抗差異大和可靠性問題。本發(fā)明利 用化學鍍或電鍍的方法，在線路圖形表面形成金屬保護層，使線路在閃蝕過程中不會被閃 蝕藥水腐蝕，線路圖形的高度不會降低。
[0048] 3.本發(fā)明可以保護通孔孔壁和孔口的銅厚。
[0049] 在閃蝕過程中，通孔的藥水交換比較充分，因此對通孔孔壁和孔口的蝕刻會比表 面的蝕刻速度快，對通孔孔壁和孔口的影響尤其大，如不加保護，很有可能會造成通孔孔壁 電鍍層過薄或者電鍍層被完全蝕刻掉而引起的可靠性問題。采用本發(fā)明方法，通孔的孔口 和孔壁均得到保護，不會發(fā)生由通孔孔壁孔口銅厚度偏薄引起的可靠性問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0050] 圖1?圖5是已有半加成法的制作工藝流程圖。
[0051] 圖1為化學銅層2a和基材la的剖面示意圖；
[0052] 圖2為形成電鍍阻擋層3a后的化學銅層2a和基材la的剖面示意圖；
[0053] 圖3為圖形電鍍后的銅層4a和基材la的剖面示意圖；
[0054] 圖4為去掉電鍍阻擋層3a后的電鍍銅層4a，化學銅層2a和基材la剖面示意圖；
[0055] 圖5為去除多余化學銅層后的導(dǎo)體圖形和基材la的剖面示意圖。
[0056] 圖6?圖13是中國專利200910045924. 2的工藝流程圖。
[0057] 其中，lb為基板，2b為介質(zhì)層，3b為普通銅箔導(dǎo)電層，3b'為減薄后的普通銅箔導(dǎo) 電層，4b為種子層，5b為電鍍阻擋層，6b為圖形電鍍的銅層，7b為內(nèi)層導(dǎo)通孔，8b為盲孔，9b 為通孔,91b為通孔的孔口，92b為通孔的孔壁，10b為實心導(dǎo)電柱。
[0058] 圖14是中國專利200910045924. 2使用的普通銅箔牙根部分的橫截面示意圖。
[0059] 圖15是本發(fā)明使用的Rz小于4μ m的銅箔牙根部分的橫截面示意圖。
[0060] 圖16?圖25是本發(fā)明的工藝流程圖。
[0061] 圖24為去除裸露的種子層和多余的導(dǎo)電層，保留線路和導(dǎo)電過孔，形成所需要的 導(dǎo)電圖形示意圖。
[0062] 圖25為用化學方法選擇性蝕刻去除金屬保護層示意圖。

【具體實施方式】
[0063] 以下結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的制作方法做進一步說明。
[0064] 實施例1
[0065] 參見圖16?圖25,本發(fā)明基于改良的半加成方法，層壓粗糙面的粗糙度低（Rz小 于4 μ m)的銅箔（銅箔有光面和粗糙面，其中粗糙面與介質(zhì)層層壓），減薄至0. 2?5 μ m， 形成減薄后的Rz小于4 μ m銅箔，并在圖形電鍍后，采用金屬保護層對線路圖形和通孔進行 保護，在閃蝕后去除該保護層。
[0066] 具體步驟是：
[0067] 第1步，如圖16所示，首先制備一介質(zhì)層1，在介質(zhì)層1上熱壓一 Rz小于4μπι的 銅箔導(dǎo)電層2。所述介質(zhì)層1可以制作在包含絕緣載體和表面導(dǎo)電層的復(fù)合基板上，也可以 直接制備在導(dǎo)電層上。在本實施例中，選用在包含介質(zhì)層與導(dǎo)電層的基板3上層壓形成介 質(zhì)層1與銅箔導(dǎo)電層2。其中，介質(zhì)層1為含玻璃布的環(huán)氧樹脂材料，銅箔導(dǎo)電層2厚度是 12 μ m的低棱線銅箔，Rz = 2 μ m ;31為內(nèi)層導(dǎo)通孔。
[0068] 第2步，參見圖17,將上述的銅箔導(dǎo)電層2進行厚度減薄處理，形成減薄后的銅箔 導(dǎo)電層2'。本步驟中，減薄處理可以采用機械研磨工藝，化學蝕刻工藝或兩者相結(jié)合的方 法。本實施例中采用化學蝕刻的方法將厚度降低為2 μ m。
[0069] 第3步，參見圖18,在上述的減薄后的銅箔導(dǎo)電層2'與介質(zhì)層1上形成盲孔4。形 成盲孔的方法可以采用激光鉆孔的方式也可以采用機械鉆孔的方式，或者采用等離子體蝕 刻或者感光成孔的方式。本實施例中采用激光鉆孔的方式形成盲孔。在本實施例中，該步 驟也采用機械鉆孔的方式形成通孔5, 51為通孔的孔口，52為通孔的孔壁。
[0070] 第4步，參見圖19,在上述通孔的孔壁進行導(dǎo)電化處理，形成種子層6。該制程中 的種子層可以采用化學沉積的方式，或者使用濺射方式；該種子層可以是以銅為主要成分 的導(dǎo)電載體，也可以是其它金屬導(dǎo)電體的結(jié)構(gòu)。在本實施例中，優(yōu)先采用化學沉積銅層的方 法制成導(dǎo)電的種子層6,化學沉積銅的厚度是0. 8 μ m。
[0071] 第5步，參見圖20,在上述導(dǎo)電的種子層6上貼附感光薄膜，通過圖形轉(zhuǎn)移形成電 鍍阻擋層7,露出線路圖形。在本實施例中采用感光薄膜材料，并經(jīng)過貼膜、曝光與顯影形成 所需要的電鍍阻擋層7。
[0072] 第6步，參見圖21，對上述含電鍍阻擋層7的基板3進行電鍍，在形成線路圖形的 同時，盲孔由電鍍填充形成實心導(dǎo)電柱8,如圖21所示，其中，9為線路圖形與通孔5的電鍍 層。圖形電鍍采用陶氏化學的電鍍填孔藥水，其中硫酸銅濃度是220g/L，硫酸濃度是45ml/ L〇
[0073] 第7步，對含電鍍阻擋層7的基板3繼續(xù)進行化學鍍，在線路圖形和通孔5的電鍍 層9上再鍍一層金屬保護層10-鈀，如圖22所示，金屬保護層10為化學鍍的鈀，藥水為膠 體鈀藥水，流程為：微蝕、預(yù)浸、活化、促化。
[0074] 第8步，參見圖23,去掉電鍍阻擋層7。
[0075] 第9步，參見圖24,去除裸露的種子層和多余的銅箔導(dǎo)電層，保留線路圖形和通 孔。去除裸露的種子層與銅箔導(dǎo)電層的方法采用化學蝕刻的方式。在本實施例中，采用閃 蝕的方法去除裸露的種子層和銅箔導(dǎo)電層，閃蝕藥水為硫酸和雙氧水混合物以及相應(yīng)的添 加劑。
[0076] 第10步，參見圖25,用化學方法選擇性蝕刻去除金屬保護層10(鈀），在本實施例 中采用去鈀藥水，以此去除線路圖形和通孔5內(nèi)的鈀，對線路圖形和通孔內(nèi)的銅的蝕刻量 小。
[0077] 第11步，根據(jù)疊層的需要，重復(fù)以上步驟1-10制作上一層線路，實現(xiàn)疊孔結(jié)構(gòu)的 層間互連和精細線路制作。
[0078] 實施例2
[0079] 第1步?第6步，與實施例1中相同。
[0080] 第7步，參見圖22,對含電鍍阻擋層7的基板3繼續(xù)進行電鍍，在線路圖形上和通 孔上再電鍍一層金屬保護層10-光亮鎳，如圖22所示，金屬保護層10為電鍍的光亮鎳，光 亮鎳的厚度為3 μ m。
[0081] 第8步，參見圖23,去掉電鍍阻擋層7。
[0082] 第9步，參見圖24,去除裸露的種子層和多余的銅箔導(dǎo)電層，保留線路圖形和通孔 5,形成所需要的導(dǎo)電圖形。去除裸露的種子層與銅箔導(dǎo)電層的方法采用化學蝕刻的方式。 在本實施例中，采用閃蝕的方法去除裸露的種子層和導(dǎo)電層，閃蝕藥水為硫酸和雙氧水混 合物以及相應(yīng)的添加劑。
[0083] 第10步，參見圖25,用化學方法選擇性蝕刻去除金屬保護層10 (光亮鎳），在本實 施例中采用去鎳藥水，該藥水為廈門麥特新科技有限公司生產(chǎn)的HN-256褪鎳劑，以此去除 線路圖形和通孔內(nèi)的鍍鎳層，對線路圖形和通孔內(nèi)的銅的蝕刻量小。
[0084] 第11步，根據(jù)疊層的需要，重復(fù)以上步驟1-10制作上一層線路，實現(xiàn)疊孔結(jié)構(gòu)的 層間互連和精細線路制作。
[0085] 實施例3
[0086] 第1步?第6步，與實施例1中相同。
[0087] 第7步，參見圖22,對含電鍍阻擋層7的基板3繼續(xù)進行化學鍍，在線路圖形上和 通孔上再鍍一層金屬保護層10--銀，如圖22所示，金屬保護層10為化學鍍的銀，銀的厚度 為 0· 15 μ m。
[0088] 第8步，參見圖23,去掉電鍍阻擋層7。
[0089] 第9步，參見圖24,去除裸露的種子層和多余的銅箔導(dǎo)電層，保留線路圖形和通孔 5,形成所需要的線路圖形。去除裸露的種子層與銅箔導(dǎo)電層的方法采用化學蝕刻的方式。 在本實施例中，采用閃蝕的方法去除裸露的種子層和銅箔導(dǎo)電層，閃蝕藥水為硫酸和雙氧 水混合物以及相應(yīng)的添加劑。
[0090] 第10步，參見圖25,用化學方法選擇性蝕刻去除金屬保護層10(銀），在本實施例 中采用去銀藥水，該藥水為深圳市迪斯恩科技有限公司生產(chǎn)DSE-22退銀液，以此去除線路 圖形和通孔內(nèi)的銀，去銀后的線路圖形和通孔銅表面平整光滑，對線路圖形和通孔內(nèi)的銅 的蝕刻量小。
[0091] 第11步，根據(jù)疊層的需要，重復(fù)以上步驟1-10制作上一層線路，實現(xiàn)疊孔結(jié)構(gòu)的 層間互連和精細線路制作。
[0092] 本發(fā)明基于改良的半加成方法，層壓表面粗糙度低的銅箔導(dǎo)電層，減薄，并在圖形 電鍍后，采用化學鍍或電鍍金屬保護層對線路圖形和通孔進行保護，在閃蝕后去除該保護 層，適用于印制電路板和1C封裝基板的制作。
【權(quán)利要求】
1. 一種采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，包括如下步驟： a) 制備一介質(zhì)層，在介質(zhì)層上層壓粗糙面的粗糙度（Rz)小于4μπι的銅箔形成銅箔導(dǎo) 電層，形成包含介質(zhì)層與銅箔導(dǎo)電層的復(fù)合結(jié)構(gòu)的基板； b) 將銅箔導(dǎo)電層的厚度降低到0. 2?5 μ m ; c) 在介質(zhì)層與銅箔導(dǎo)電層上制作出通孔或盲孔； d) 在銅箔導(dǎo)電層及盲孔或通孔的孔壁進行導(dǎo)電化處理，形成種子層； e) 在基板表面貼感光薄膜，通過圖形轉(zhuǎn)移在基板上形成電鍍阻擋層； f) 對上述含電鍍阻擋層的基板進行電鍍，在形成線路圖形的同時，對通孔、盲孔孔壁進 行電鍍，或通孔、盲孔由電鍍填充形成實心導(dǎo)電柱； g) 用化學鍍或電鍍的方法，在線路圖形表面形成金屬保護層； h) 去除上述電鍍阻擋層； i) 用閃蝕方法去除裸露的種子層和其下的銅箔導(dǎo)電層，保留電鍍形成的線路圖形，形 成線路圖形； j) 去除金屬保護層； k) 在線路板上重復(fù)以上步驟a)?j)，制成多層印制線路板。
2. 如權(quán)利要求1所述的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，其特征是， 步驟a)中所述的銅箔為無棱線銅箔、低棱線銅箔、或反轉(zhuǎn)銅箔，該種銅箔粗糙面的粗糙度 (Rz)小于 4 μ m。
3. 如權(quán)利要求1所述的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，其特征是， 步驟b)將銅箔導(dǎo)電層的厚度降低到0. 2?5 μ m的方法為：采用機械、化學或兩者相結(jié)合的 方法；其中，機械方法包括：磨板、拋光；化學方法為減薄、蝕刻、超粗化、棕化或黑化處理。
4. 如權(quán)利要求1所述的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，其特征是， 步驟c)中，采用機械或激光鉆孔的方式形成通孔或盲孔。
5. 如權(quán)利要求1所述的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，其特征是， 步驟d)中，采用化學沉積或物理沉積的方法在通孔或盲孔的孔壁上形成導(dǎo)電種子層。
6. 如權(quán)利要求5所述的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，其特征是， 步驟d)中，在沉積之前對孔壁進行去鉆污、除油、微蝕等清潔處理。
7. 如權(quán)利要求1所述的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，其特征是， 步驟f)中，電鍍只在裸露的銅箔導(dǎo)電層上進行。
8. 如權(quán)利要求1所述的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，其特征是， 步驟g)中用化學鍍或電鍍的方法，在線路圖形表面形成的金屬保護層選用鈀、銀、鎳、錫中 的一種，或選用鎳磷合金、錫鉛合金。
9. 如權(quán)利要求1所述的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，其特征是， 步驟j)中去除金屬保護層的方法為：采用水平噴灑或垂直浸沒的設(shè)備以及選擇性蝕刻藥 水，即用對銅溶解度小、對金屬保護層溶解度大的藥水除去金屬保護層，使銅線路圖形露 出。
10. 如權(quán)利要求9所述的采用新型改良的半加成法制作印制電路板的方法，其特征是， 所述的選擇性蝕刻藥水包括去鈀藥水、去銀藥水、去鎳和鎳磷合金藥水或去錫和錫鉛合金 藥水。
【文檔編號】H05K3/42GK104113994SQ201310139462
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月22日
【發(fā)明者】付海濤, 羅永紅, 趙麗, 程凡雄, 陳培峰 申請人:上海美維科技有限公司