高頻信號線路以及包括該高頻信號線路的電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能容易地折彎的高頻信號線路以及具備該高頻信號線路的電子設(shè)備。電介質(zhì)主體(12)是具有區(qū)域(A1～A3)的層疊體，由具有撓性的多個電介質(zhì)片材(18)層疊而成。信號導(dǎo)體層(20)設(shè)置在電介質(zhì)主體(12)上。接地導(dǎo)體層(22、23)設(shè)置在電介質(zhì)主體(12)上，且與信號導(dǎo)體層(20)相對。區(qū)域(A1)中接地導(dǎo)體層(23)與信號導(dǎo)體層(20)的間隔(D1)比區(qū)域(A2、A3)中接地導(dǎo)體層(22)與信號導(dǎo)體層(20)的間隔(D2)小。電介質(zhì)主體(12)在區(qū)域(A1)處折彎。
【專利說明】高頻信號線路以及包括該高頻信號線路的電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高頻信號線路以及包括該高頻信號線路的電子設(shè)備，尤其涉及由信號導(dǎo)體層和接地導(dǎo)體層構(gòu)成的高頻信號線路以及包括該高頻信號線路的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為現(xiàn)有的高頻信號線路，已知有例如專利文獻(xiàn)I所記載的信號線路。圖20是專利文獻(xiàn)I所記載的信號線路500的分解圖。
[0003]信號線路500包括絕緣片材522a?522d、接地導(dǎo)體530、534以及信號線532。絕緣片材522a?522d從上到下依次層疊。接地導(dǎo)體530、534分別設(shè)置在絕緣片材522b、522d上。信號線532設(shè)置在絕緣片材522c上。由此，信號線532被絕緣片材522b、522d從上下方向夾持。如上述那樣構(gòu)成的信號線路500與通常的同軸電纜相比能實(shí)現(xiàn)薄型化。由此，能在移動通信終端等高頻設(shè)備的殼體內(nèi)的較小間隙中配置該信號線路500。
[0004]然而，在專利文獻(xiàn)I所記載的信號線路500中，存在難以將信號線路500彎折來使用的問題。更詳細(xì)而言，在信號線路500中，接地導(dǎo)體530、534以及信號線532由銅等金屬制作而成，因此與由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣片材522a?522d相比更難變形。因此，若如信號線路500那樣在層疊方向上使接地導(dǎo)體530、534以及信號線532重疊，則信號線路500的彎曲會變得困難。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2011 - 71403號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0006]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能容易地折彎的高頻信號線路及具備該高頻信號線路的電子設(shè)備。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0007]本發(fā)明的一個方式所涉及的高頻信號線路的特征在于，包括:層疊體，該層疊體具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，并由具有撓性的多個絕緣體層層疊而成；信號導(dǎo)體層，該信號導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體；以及第一接地導(dǎo)體層，該第一接地導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體，并與所述信號導(dǎo)體層相對，所述第一區(qū)域中所述第一接地導(dǎo)體層與所述信號導(dǎo)體層的間隔比所述第二區(qū)域中該第一接地導(dǎo)體層與該信號導(dǎo)體層的間隔要小，所述層疊體在所述第一區(qū)域處折彎。
[0008]本發(fā)明的一個方式所涉及的電子設(shè)備的特征在于，包括高頻信號線路以及殼體，所述高頻信號線路包括:層疊體，該層疊體具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，并由具有撓性的多個絕緣體層層疊而成；信號導(dǎo)體層，該信號導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體；以及第一接地導(dǎo)體層，該第一接地導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體，并與所述信號導(dǎo)體層相對，在所述高頻信號線路中，所述第一區(qū)域中所述第一接地導(dǎo)體層與所述信號導(dǎo)體層的間隔比所述第二區(qū)域中該第一接地導(dǎo)體層與該信號導(dǎo)體層的間隔要小，所述層疊體在所述殼體內(nèi)的所述第一區(qū)域處折彎。
發(fā)明效果
[0009]根據(jù)本發(fā)明，能容易地使高頻信號線路彎曲。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻信號線路的外觀立體圖。
圖2是圖1的高頻信號線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖3是圖1的高頻信號線路的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖4是高頻信號線路的連接器的外觀立體圖及剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖5是表示將高頻信號線路安裝到電子設(shè)備中的示例的圖。
圖6是變形例I所涉及的高頻信號線路的分解圖。
圖7是變形例2所涉及的高頻信號線路的分解圖。
圖8是變形例2所涉及的高頻信號線路的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖9是變形例3所涉及的高頻信號線路的分解圖。
圖10是變形例4所涉及的高頻信號線路的分解圖。
圖11是變形例5所涉及的高頻信號線路的分解圖。
圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻信號線路的外觀立體圖。
圖13是圖12的高頻信號線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖14是圖12的高頻信號線路的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖15是表示將高頻信號線路安裝到電子設(shè)備中的示例的圖。
圖16是變形例所涉及的高頻信號線路的電介質(zhì)主體的分解圖。
圖17是本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻信號線路的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖18是圖17的高頻信號線路的谷折部分的分解圖。
圖19是圖17的高頻信號線路的山折部分的分解圖。
圖20是專利文獻(xiàn)I所記載的信號線路的分解圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻信號線路及包括該高頻信號線路的電子設(shè)備進(jìn)行說明。
[0012](實(shí)施方式I)
(高頻信號線路的結(jié)構(gòu))
下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的用作為扁狀電纜的高頻信號線路10的外觀立體圖。圖2是圖1的高頻信號線路10的電介質(zhì)主體12的分解圖。圖3是圖1的高頻信號線路10的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖4是高頻信號線路10的連接器IOOb的外觀立體圖及剖面結(jié)構(gòu)圖。在圖1至圖4中，將高頻信號線路10的層疊方向定義為z軸方向。此外，將高頻信號線路10的長邊方向定義為X軸方向，將正交于X軸方向及z軸方向的方向定義為y軸方向。[0013]例如在移動電話等電子設(shè)備內(nèi)，聞頻/[目號線路10用于將2個聞頻電路相連接。如圖1至圖3所示，高頻信號線路10包括電介質(zhì)主體12、保護(hù)層14 (14a、14b)、外部端子16(16a、16b)、信號導(dǎo)體層20、接地導(dǎo)體層22、23、24、通孔導(dǎo)體bl?b4、BI?B8及連接器100a、IOOb0
[0014]從z軸方向俯視時，電介質(zhì)主體12沿X軸方向延伸，且包含線路部12a及連接部12b、12c。電介質(zhì)主體12是將電介質(zhì)片材(絕緣體層)18 (18a?18e)按照從z軸方向的正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)的順序依次進(jìn)行層疊而構(gòu)成的層疊體。下面，將電介質(zhì)主體12的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面SI，將電介質(zhì)主體12的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面S2。
[0015]線路部12a沿X軸方向延伸，如圖2及圖3所示，具有區(qū)域Al?A3。區(qū)域A2、A1、A3依次排列在X軸方向上，且彼此相鄰。連接部12b、12c分別連接至線路部12a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部及X軸方向的正方向側(cè)端部，且呈矩形。連接部12b、12c的y軸方向?qū)挾缺染€路部12a的y軸方向?qū)挾纫獙?。連接部12b、12c的形狀也可以不是矩形。此外，連接部12b、12c的y軸方向?qū)挾炔⒉灰欢ㄒ染€路部12a的y軸方向?qū)挾葘?，例如也可以與線路部12a的y軸方向?qū)挾认嗤?br> [0016]從z軸方向俯視時，電介質(zhì)片材18沿X軸方向延伸,且其形狀與電介質(zhì)主體12相同。電介質(zhì)片材18由聚酰亞胺、液晶聚合物等具有撓性的熱塑性樹脂來構(gòu)成。電介質(zhì)片材18a?18e的厚度在層疊后為50?400 μ m。下面,將電介質(zhì)片材18的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面，將電介質(zhì)片材18 (18a?18e)的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面。
[0017]此夕卜，電介質(zhì)片材18a由線路部18a — a及連接部18a — b、18a — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18b由線路部18b — a及連接部18b — b、18b — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18c由線路部18c — a及連接部18c — b、18c — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18d由線路部18d — a及連接部18d — b、18d — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18e由線路部18e — a及連接部18e — b、18e — c構(gòu)成。線路部 18a — a、18b — a、18c — a、18d-a、18e-a 構(gòu)成線路部 12a。連接部 18a — b、18b — b、18c — b、18d_b、18e_b 構(gòu)成連接部 12b。連接部 18a — c、18b — c、18c — c、18d_c、18e_c構(gòu)成連接部12c。
[0018]如圖1及圖2所不，夕卜部端子16a是設(shè)置在連接部18a — b的表面中央附近的矩形導(dǎo)體。如圖1及圖2所示，外部端子16b是設(shè)置在連接部18a — c的表面中央附近的矩形導(dǎo)體。外部端子16a、16b由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。此外，在外部端子16a、16b的表面上鍍金。
[0019]如圖2所示，信號導(dǎo)體層20是設(shè)置在電介質(zhì)主體12內(nèi)的線狀導(dǎo)體層，且在電介質(zhì)片材18c的表面上沿X軸方向延伸。從z軸方向俯視時,信號導(dǎo)體層20的兩端分別與外部端子16a、16b重疊。信號導(dǎo)體層20的線寬為例如100?500 μ m。在本實(shí)施方式中，信號導(dǎo)體層20的線寬是240 μ m。信號導(dǎo)體層20由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0020]通孔導(dǎo)體bl在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — b。通孔導(dǎo)體b2在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b的連接部18b — bo通孔導(dǎo)體bl、b2彼此相連從而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體，將外部端子16a與信號導(dǎo)體層20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部相連。通孔導(dǎo)體bl、b2由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0021]通孔導(dǎo)體b3在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — C。通孔導(dǎo)體b4在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b的連接部18b — Co通孔導(dǎo)體b3、b4彼此相連從而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體，將外部端子16b與信號導(dǎo)體層20的X軸方向的正方向側(cè)端部相連。
[0022]如圖2所示，接地導(dǎo)體層22設(shè)置在電介質(zhì)主體12上，且與信號導(dǎo)體層20相對。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體層22在電介質(zhì)主體12中離電介質(zhì)主體12的表面SI最近的電介質(zhì)片材18a的表面上沿X軸方向延伸。由此，接地導(dǎo)體層22在電介質(zhì)主體12內(nèi)較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的正方向側(cè)，并隔著電介質(zhì)片材18a、18b與信號導(dǎo)體層20相對。接地導(dǎo)體層22由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。另外，對接地導(dǎo)體層22的表面鍍金等來防銹。
[0023]此外，接地導(dǎo)體層22由線路部22a、22b、端子部22d、22d構(gòu)成。線路部22a設(shè)置在線路部18a — a表面的區(qū)域A2中，且沿x軸方向延伸。但線路部22a略微突出到線路部18a-a表面的區(qū)域Al。線路部22b設(shè)置在線路部18a — a表面的區(qū)域A3中，且沿x軸方向延伸。線路部22a、22b夾著區(qū)域Al相對，且相互不連接。這里，線路部22b略微突出到線路部18a_a表面的區(qū)域Al。
[0024]端子部22c設(shè)置在連接部18a — b的表面上，且呈包圍外部端子16a周圍的矩形環(huán)。端子部22c連接至線路部22a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部22d設(shè)置在線路部18a - c的表面上，且呈包圍外部端子16b周圍的環(huán)狀矩形。端子部22d連接至線路部22b的X軸方向的正方向側(cè)端部。
[0025]如圖2所示，接地導(dǎo)體層23設(shè)置在電介質(zhì)主體12內(nèi)，且與信號導(dǎo)體層20相對。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體層23在電介質(zhì)主體12內(nèi)電介質(zhì)片材18b表面的區(qū)域Al中沿X軸方向延伸。由此，接地導(dǎo)體層23位于電介質(zhì)主體12內(nèi)較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的正方向偵牝且較接地導(dǎo)體層22更靠z軸方向的負(fù)方向側(cè)，并隔著電介質(zhì)片材18b與信號導(dǎo)體層20相對。由此，如圖3所示，接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20的間隔Dl比接地導(dǎo)體層22與信號導(dǎo)體層20的間隔D2小。此外，由于線路部22a、22b略微突出到區(qū)域Al，因此接地導(dǎo)體層23的X軸方向兩端分別與線路部22a、22b的端部重疊。接地導(dǎo)體層23由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0026]本實(shí)施方式中，以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有4個通孔導(dǎo)體B9，該通孔導(dǎo)體B9在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a。通孔導(dǎo)體B9將線路部22a的x軸方向的正方向側(cè)端部和接地導(dǎo)體層23的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部相連接。此外，本實(shí)施方式中，以在Y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有4個通孔導(dǎo)體B10，該通孔導(dǎo)體BlO在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a。通孔導(dǎo)體BlO將線路部22b的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部和接地導(dǎo)體層23的X軸方向的正方向側(cè)端部相連接。由此，接地導(dǎo)體層22、23構(gòu)成設(shè)置在電介質(zhì)主體12上且與信號導(dǎo)體層20相對的第一接地導(dǎo)體層。
[0027]如圖2所示，接地導(dǎo)體層24設(shè)置在電介質(zhì)主體12內(nèi)，且夾著信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層22相對。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體層24在電介質(zhì)主體12中離電介質(zhì)主體12的背面S2最近的電介質(zhì)片材18e的表面上沿X軸方向延伸。由此，接地導(dǎo)體層24位于電介質(zhì)主體12內(nèi)較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的負(fù)方向側(cè)，并隔著電介質(zhì)片材18d與信號導(dǎo)體層20相對。接地導(dǎo)體層24由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。[0028]此外，接地導(dǎo)體層24由線路部24a、24b、端子部24c、24d構(gòu)成。線路部24a設(shè)置在線路部18e — a表面的區(qū)域A2中，且沿X軸方向延伸。這里，線路部24a略微突出到線路部18e-a表面的區(qū)域Al。線路部24b設(shè)置在線路部18e — a表面的區(qū)域A3中，且沿x軸方向延伸。線路部24a、24b夾著區(qū)域Al相對，且相互不連接。這里，線路部24b略微突出到線路部18e-a表面的區(qū)域Al。如上所述，區(qū)域Al至少有一部分未設(shè)置接地導(dǎo)體層24。
[0029]端子部24c設(shè)置在連接部18e — b的表面上，且呈與端子部22c相同的矩形環(huán)。端子部24c連接至線路部24a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部24d設(shè)置在連接部18e —c的表面上，且呈與端子部22d相同的環(huán)狀矩形。端子部24d連接至線路部24b的X軸方向的正方向側(cè)端部。
[0030]如上所述，信號導(dǎo)體層20被接地導(dǎo)體層22、23、24從z軸方向的兩側(cè)夾持。S卩，信號導(dǎo)體層20及接地導(dǎo)體層22、23、24除了區(qū)域Al的一部分以外，呈三板帶狀線結(jié)構(gòu)。
[0031]另外，本實(shí)施方式中，高頻信號線路10具備接地導(dǎo)體層24，但也不一定要具備接地導(dǎo)體層24。即，也可以由接地導(dǎo)體層22、23和信號導(dǎo)體層20來構(gòu)成微帶線結(jié)構(gòu)的高頻信號線路。然而，出于抑制不必要的輻射產(chǎn)生的觀點(diǎn)，優(yōu)選采用高頻信號線路10那樣的三板帶狀線結(jié)構(gòu)。
[0032]通孔導(dǎo)體BI?B4分別沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a?18d的線路部18a —a?18d — a,在線路部18a — a?18d — a上分別設(shè)有多個通孔導(dǎo)體BI?B4。而且,通孔導(dǎo)體BI?B4彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，將線路部22a和線路部24a相連接。通孔導(dǎo)體BI?B4由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0033]通孔導(dǎo)體B5?B8分別沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a?18d的線路部18a —a?18d — a,在線路部18a — a?18d — a上分別設(shè)有多個通孔導(dǎo)體BI?B4。而且,通孔導(dǎo)體B5?B8彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，將線路部22b和線路部24b相連接。通孔導(dǎo)體B5?B8由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0034]保護(hù)層14a覆蓋連接部18a_b的表面。其中，在保護(hù)層14a上設(shè)有開口 Ha?Hd。開口 Ha是設(shè)置在連接部14a中央的矩形開口。外部端子16a經(jīng)由開口 Ha露出至外部。此夕卜，開口 Hb是設(shè)置在開口 Ha的y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 He是設(shè)置在開口 Ha的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的矩形開口。開口 Hd是設(shè)置在開口 Ha的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22 c經(jīng)由開口 Hb?Hd露出至外部，從而實(shí)現(xiàn)作為外部端子的功能。保護(hù)層14a由例如抗蝕材料等柔性樹脂形成。
[0035]保護(hù)層14b覆蓋連接部18a_c的表面。這里，在保護(hù)層14b上設(shè)有開口 He?Hh。開口 He是設(shè)置在保護(hù)層14b中央的矩形開口。外部端子16b經(jīng)由開口 He露出至外部。此夕卜，開口 Hf是設(shè)置在開口 He的y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hg是設(shè)置在開口 He的X軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hh是設(shè)置在開口 He的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22d經(jīng)由開口 Hf?Hh露出至外部，從而實(shí)現(xiàn)作為外部端子的功能。保護(hù)層14b由例如抗蝕材料等柔性樹脂形成。
[0036]連接器100a、IOOb分別安裝在連接部12b、12c的表面上。連接器100a、IOOb的結(jié)構(gòu)相同，因此，下面以連接器IOOb的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明。
[0037]如圖1及圖4所示，連接器IOOb包括連接器主體102、外部端子104、106、中心導(dǎo)體108及外部導(dǎo)體110。連接器主體102的形狀是在矩形的板狀構(gòu)件上連結(jié)有圓筒形構(gòu)件，由樹脂等絕緣材料來制作。
[0038]外部端子104設(shè)置在連接器主體102的板狀構(gòu)件的z軸方向的負(fù)方向側(cè)表面上與外部端子16b相對的位置。外部端子106設(shè)置在連接器主體102的板狀構(gòu)件的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的表面上與經(jīng)由開口 Hf?Hh露出的端子部22d相對應(yīng)的位置處。
[0039]中心導(dǎo)體108設(shè)置在連接器主體102的圓筒形構(gòu)件的中心，且與外部端子104相連接。中心導(dǎo)體108是輸入或輸出高頻信號的信號端子。外部導(dǎo)體110設(shè)置在連接器主體102的圓筒內(nèi)周面上，且與外部端子106相連接。外部導(dǎo)體110是保持接地電位的接地端子。
[0040]具有如上結(jié)構(gòu)的連接器IOOb以外部端子104與外部端子16b相連接、外部端子106與端子部22d相連接的方式安裝在連接部12c的表面上。由此，信號導(dǎo)體層20與中心導(dǎo)體108進(jìn)行電連接。此外，接地導(dǎo)體層22、24與外部導(dǎo)體110進(jìn)行電連接。
[0041]高頻信號線路10彎折起來使用。圖5是表示將高頻信號線路10安裝到電子設(shè)備中的示例的圖。
[0042]電子設(shè)備包括高頻信號線路10、電池組206以及殼體。殼體將高頻信號線路10及電池組206收納在內(nèi)。如圖5所示，電介質(zhì)主體12在區(qū)域Al處彎折，并使得接地導(dǎo)體層22,23較信號導(dǎo)體層20更靠內(nèi)周側(cè)。即，電介質(zhì)主體12的表面SI較電介質(zhì)主體12的背面S2更靠內(nèi)周側(cè)。并且，電子設(shè)備的電池組206與表面SI接觸。電池組200例如為鋰離子充電電池，具有其表面被金屬覆層所覆蓋的結(jié)構(gòu)。由于金屬覆層保持在接地電位，因此，通過與接地導(dǎo)體層22接觸，接地導(dǎo)體層22也保持在接地電位。
[0043]由此，接地導(dǎo)體層22、23以位于內(nèi)周側(cè)的方式與保持在接地電位的電子設(shè)備相接觸，并以電子設(shè)備的彎曲部與區(qū)域Al —致的方式來折彎，由此能使接地導(dǎo)體層22、23穩(wěn)定地接地。另外，電子設(shè)備不限于電池組，也可以是金屬殼體、電路基板等。
[0044](高頻信號線路的制造方法)
下面，參照圖2，對高頻信號線路10的制造方法進(jìn)行說明。下面，以制作一個高頻信號線路10的情形為例進(jìn)行說明，但實(shí)際上是通過層疊和切割大型電介質(zhì)片材來同時制作多個高頻信號線路10。
[0045]首先，準(zhǔn)備電介質(zhì)片材18，該電介質(zhì)片材18由整個表面形成有銅箔的熱塑性樹脂形成。通過對電介質(zhì)片材18的銅箔表面例如鍍鋅以防銹，從而使表面平滑。電介質(zhì)片材18是厚度為20 μ m?80 μ m的液晶聚合物。此外，銅箔厚度為10 μ m?20 μ m。
[0046]接著，利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18a的表面上形成圖2所示外部端子16和接地導(dǎo)體層22。具體而言，在電介質(zhì)片材18a的銅箔上印刷其形狀與圖2所示的外部端子16(16a、16b)及接地導(dǎo)體層22相同的抗蝕劑。然后，通過對銅箔實(shí)施刻蝕處理，將未被抗蝕劑覆蓋的那部分銅箔去除。此后,去除抗蝕劑。由此,在電介質(zhì)片材18a的表面上形成如圖2所示的外部端子16及接地導(dǎo)體層22。
[0047]接著，利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18b的表面上形成圖2所示接地導(dǎo)體層23。此夕卜，利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18c的表面上形成圖2所示的信號導(dǎo)體層20。利用光刻工序，在電介質(zhì)片材18e的表面上形成圖2所示的接地導(dǎo)體層24。這些光刻工序與形成外部端子16及接地導(dǎo)體層22時的光刻工序相同，因此省略其說明。
[0048]接著,從背面?zhèn)葘﹄娊橘|(zhì)片材18a?18d中要形成通孔導(dǎo)體bl?b4、Bl?BlO的位置照射激光束，從而形成貫穿孔。之后，將導(dǎo)電性糊料填充到電介質(zhì)片材18a?18d上形成的貫穿孔中。
[0049]接著，從z軸方向正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)依次層疊電介質(zhì)片材18a?18e，以使接地導(dǎo)體22、23、信號導(dǎo)體層20及接地導(dǎo)體層24形成帶狀線結(jié)構(gòu)。然后，從z軸方向的正方向側(cè)及負(fù)方向側(cè)對電介質(zhì)片材18a?18e加熱加壓,從而將電介質(zhì)片材18a?18e軟化并進(jìn)行壓接/ 一體化，同時將填充至貫穿孔中的導(dǎo)電性糊料固化，從而形成圖2所示的通孔導(dǎo)體bl?b4、Bl?B10。另外,也可利用環(huán)氧類樹脂等粘接劑代替熱壓接來對各電介質(zhì)片材18進(jìn)行一體化。此外，可在使電介質(zhì)片材18 —體化后形成貫穿孔，并將導(dǎo)電性糊料填充至貫穿孔中或?qū)ω灤┛仔纬慑兡ぃ瑥亩纬赏讓?dǎo)體bl?b4、BI?B10。此外，對于通孔導(dǎo)體，不需要對整個貫穿孔都填充導(dǎo)電體，可以由沿著貫穿孔的壁面形成的薄膜狀導(dǎo)體等來構(gòu)成。即，只要向貫穿孔提供導(dǎo)體使得能將電介質(zhì)片材18的層間連接起來即可。
[0050]最后，通過涂布樹脂(抗蝕劑)糊料，從而在電介質(zhì)片材18a上形成保護(hù)層14a、14b。由此，得到圖1所示的高頻信號線路10。
[0051](效果)
若采用上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10，則能容易地折彎高頻信號線路10。更詳細(xì)而言，在專利文獻(xiàn)I記載信號線路500中，接地導(dǎo)體530、534以及信號線532由銅等金屬制作而成，因此與由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣片材522a?522d相比較難變形。因此，若如信號線路500那樣在層疊方向上使接地導(dǎo)體530、534以及信號線532重疊，則信號線路500的折彎會變得困難。
[0052]因此，在高頻信號線路10中，區(qū)域Al中接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20的間隔Dl比區(qū)域A2、A3中接地導(dǎo)體層22與信號導(dǎo)體層20的間隔D2小。另外，電介質(zhì)主體12在區(qū)域Al處彎折，并使得接地導(dǎo)體層22、23較信號導(dǎo)體層20更靠內(nèi)周側(cè)。由此，如以下說明的那樣，能容易地折彎高頻信號線路10。
[0053]當(dāng)高頻信號線路10被折彎時，位于內(nèi)周側(cè)的接地導(dǎo)體層被壓縮。并且，隨著接地導(dǎo)體層從信號導(dǎo)體層20向z軸方向的正方向側(cè)遠(yuǎn)離，接地導(dǎo)體層折彎的那部分半徑變小。因此，接地導(dǎo)體層的壓縮量變大，使高頻信號線路10折彎所需的力也變大。
[0054]因此，在高頻信號線路10中，電介質(zhì)主體12發(fā)生彎曲的區(qū)域Al中接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20的間隔Dl比電介質(zhì)主體12發(fā)生彎曲的區(qū)域A2、A3中接地導(dǎo)體層22與信號導(dǎo)體層20的間隔D2小。S卩，區(qū)域Al中的接地導(dǎo)體層23較區(qū)域A2、A3中的接地導(dǎo)體層22更靠外周側(cè)。由此，接地導(dǎo)體層23的壓縮量得以降低，使高頻信號線路10彎曲所需的力變小。另外，在高頻信號線路10中，接地導(dǎo)體層22、23彎曲而破損的情況得以抑制。
[0055]此外，在高頻信號線路10中，電介質(zhì)主體12發(fā)生彎曲的區(qū)域Al至少有一部分未設(shè)置會對電介質(zhì)主體12的區(qū)域Al變形造成妨礙的接地導(dǎo)體層24。其結(jié)果，能容易地彎曲高頻信號線路10。
[0056]另外，當(dāng)高頻信號線路10被彎曲時，位于外周側(cè)的接地導(dǎo)體層被拉伸。并且，隨著接地導(dǎo)體層從信號導(dǎo)體層20向z軸方向的負(fù)方向側(cè)遠(yuǎn)離，接地導(dǎo)體層彎曲的部分的半徑變大。因此，接地導(dǎo)體層的伸長量變大，接地導(dǎo)體層發(fā)生斷線的可能性變高。
[0057]因此，高頻信號線路10中，電介質(zhì)主體12發(fā)生彎曲的區(qū)域Al至少有一部分不設(shè)置接地導(dǎo)體層24。由此，在高頻信號線路10彎曲時，接地導(dǎo)體層24的斷線得以抑制。[0058]此外，根據(jù)高頻信號線路10，位于電介質(zhì)主體12發(fā)生彎曲的區(qū)域Al內(nèi)的接地導(dǎo)體層23設(shè)置在電介質(zhì)主體12內(nèi)。因此，接地導(dǎo)體層23的表面沒有像接地導(dǎo)體層22的表面那樣鍍金以用于防銹。這是因?yàn)?，通常，若對?dǎo)體層實(shí)施鍍金等鍍敷，則導(dǎo)體層會變硬，從而容易產(chǎn)生裂紋。由此，接地導(dǎo)體層23與接地導(dǎo)體層22相比，能容易地產(chǎn)生變形。其結(jié)果，能容易地使高頻信號線路10彎曲。
[0059]此外，如圖5所示，在信號導(dǎo)體層20與電池組206之間存在接地導(dǎo)體層22、23。由此，能抑制在信號線20與電池組206之間產(chǎn)生電磁場耦合。其結(jié)果是，在高頻信號線路10中，能抑制信號導(dǎo)體層20的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。
[0060]此外，在高頻信號線路10中，抑制了電介質(zhì)主體12發(fā)生彎曲的區(qū)域Al中的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗(例如50 Ω )。更詳細(xì)而言，區(qū)域Al中接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20的間隔Dl比區(qū)域A2中接地導(dǎo)體層22與信號導(dǎo)體層20的間隔D2小。因此，區(qū)域Al中接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20之間產(chǎn)生的電容比區(qū)域A2中接地導(dǎo)體層22與信號導(dǎo)體層20之間產(chǎn)生的電容要大。由此，區(qū)域Al中的特性阻抗與區(qū)域A2、A3中的特性阻抗相比較小，高頻信號線路10有可能從規(guī)定的特性阻抗偏離。
[0061]因此，在高頻信號線路10中，區(qū)域Al至少有一部分不設(shè)置接地導(dǎo)體層24。由此，在區(qū)域Al中，接地導(dǎo)體層24與信號導(dǎo)體層20之間不會產(chǎn)生電容。由此，區(qū)域Al中的特性阻抗比存在接地導(dǎo)體層24的區(qū)域的特性阻抗要高。其結(jié)果，通過調(diào)整接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20之間的間隔D2，能夠抑制高頻信號線路10中區(qū)域Al的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。
[0062](實(shí)施方式I的變形例I)
下面，參照附圖，對變形例I所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖6是變形例I所涉及的高頻信號線路IOa的分解圖。
[0063]高頻信號線路10與高頻信號線路IOa的不同點(diǎn)在于接地導(dǎo)體層23與接地導(dǎo)體層24相連。接下來，以上述不同點(diǎn)為中心來說明高頻信號線路10a。
[0064]高頻信號線路IOa包括通孔導(dǎo)體Bll?B16。通孔導(dǎo)體B11、B13、B15分別在z軸方向上貫穿線路部18b-a、18c-a、18d_a,與通孔導(dǎo)體B9—起構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體B11、B13、B15將接地導(dǎo)體層23與線路部24a相連。
[0065]通孔導(dǎo)體B12、B14、B16分別在z軸方向上貫穿線路部18b_a、18c_a、18d_a，與通孔導(dǎo)體BlO —起構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體B12、B14、B16將接地導(dǎo)體層23與線路部24b相連。
[0066]另外，在高頻信號線路10中，通孔導(dǎo)體B9、BlO分別設(shè)有4個。然而，在高頻信號線路IOa中，通孔導(dǎo)體B9?B15分別僅設(shè)有兩個。這是為了防止通孔導(dǎo)體B13、B14與信號導(dǎo)體層20接觸。
[0067]根據(jù)高頻信號線路10a，接地導(dǎo)體層23與接地導(dǎo)體層22、24相連，因此更穩(wěn)定地保持在接地電位。
[0068]此外,通孔導(dǎo)體B9?B16與電介質(zhì)主體12相比較硬，更難以產(chǎn)生變形。因此，當(dāng)電介質(zhì)主體12在設(shè)有通孔導(dǎo)體B9?B16的區(qū)域Al中彎曲時，區(qū)域Al內(nèi)接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20的間隔不容易產(chǎn)生變動。其結(jié)果，在高頻信號線路IOa中，區(qū)域Al中的特性阻抗的變動得以抑制。[0069]另外，在變形例I所涉及的高頻信號線路IOa中，除了保護(hù)層14a、14b以外，還設(shè)有保護(hù)層14c，使其連接在保護(hù)層14a、14b之間，并覆蓋線路部22a、22b。由此，本發(fā)明的高頻信號線路除了保護(hù)層14a、14b以外還可以具備保護(hù)層14c。
[0070](實(shí)施方式I的變形例2)
下面，參照附圖，對變形例2所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖7是變形例2所涉及的高頻信號線路IOb的分解圖。圖8是變形例2所涉及的高頻信號線路IOb的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0071]高頻信號線路10與高頻信號線路IOb的不同點(diǎn)在于，在高頻信號線路IOb中，區(qū)域Al的至少一部分中電介質(zhì)主體12的厚度比區(qū)域A2中電介質(zhì)主體12的厚度要薄。接下來，以上述不同點(diǎn)為中心來說明電子元器件10b。
[0072]如圖7所示，在高頻信號線路IOb中，相對于信號導(dǎo)體層20位于接地導(dǎo)體層22、23相反側(cè)的電介質(zhì)片材18d、18e具有未形成于區(qū)域Al的至少一部分中的部分。由此，如圖8所示，在電介質(zhì)主體12的背面S2的區(qū)域Al中形成有凹部G。
[0073]高頻信號線路IOb的區(qū)域Al的厚度比高頻信號線路10的區(qū)域Al的厚度薄。由此，高頻信號線路IOb的區(qū)域Al與高頻信號線路10的區(qū)域Al相比容易產(chǎn)生變形。其結(jié)果，使得高頻信號線路IOb能更容易地產(chǎn)生變形。
[0074]另外，優(yōu)選在高頻信號線路IOb產(chǎn)生彎曲時，凹部G位于外周側(cè)。
[0075](實(shí)施方式I的變形例3)
下面，參照附圖，對變形例3所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖9是變形例3所涉及的高頻信號線路IOc的分解圖。
[0076]高頻信號線路10與高頻信號線路IOc的不同點(diǎn)在于，在高頻信號線路IOc中，區(qū)域Al中信號導(dǎo)體層20的線寬Wa比區(qū)域A2、A3中信號導(dǎo)體層20的線寬Wb要細(xì)。
[0077]區(qū)域Al中接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20的間隔Dl比區(qū)域A2、A3中接地導(dǎo)體層22與信號導(dǎo)體層20的間隔D2小。因此，區(qū)域Al中接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20之間產(chǎn)生的電容比區(qū)域A2、A3中接地導(dǎo)體層22與信號導(dǎo)體層20之間產(chǎn)生的電容要大。由此，區(qū)域Al中的特性阻抗可能從規(guī)定的特性阻抗偏離。
[0078]因此，在高頻信號線路IOc中，區(qū)域Al中信號導(dǎo)體層20的線寬Wa比區(qū)域A2、A3中信號導(dǎo)體層20的線寬Wb要細(xì)。由此，區(qū)域Al中信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層23每單位長度上相對的面積比區(qū)域A2、A3中信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層22每單位長度相對的面積要小。由此，信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層23之間產(chǎn)生的電容接近信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層22之間產(chǎn)生的電容。其結(jié)果，在高頻信號線路IOc中，抑制了區(qū)域Al中的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗偏離。
[0079](實(shí)施方式I的變形例4)
下面，參照附圖，對變形例4所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖10是變形例4所涉及的高頻信號線路IOd的分解圖。
[0080]高頻信號線路IOc與高頻信號線路IOd的不同點(diǎn)在于，在高頻信號線路IOd中，接地導(dǎo)體層24設(shè)置在區(qū)域Al中。
[0081]在高頻信號線路IOd中，區(qū)域Al中信號導(dǎo)體層20的線寬Wa比區(qū)域A2、A3中信號導(dǎo)體層20的線寬Wb要細(xì)。由此，區(qū)域Al中信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層23每單位長度相對的面積比區(qū)域A2、A3中信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層22每單位長度相對的面積要小。因此，在能將區(qū)域Al中的特性阻抗匹配成規(guī)定的特性阻抗的情況下，也可以在區(qū)域Al中設(shè)置接地導(dǎo)體層24。由此，抑制了從區(qū)域Al產(chǎn)生不需要的輻射。
[0082](實(shí)施方式I的變形例5)
下面，參照附圖，對變形例5所涉及的高頻信號線路進(jìn)行說明。圖11是變形例5所涉及的高頻信號線路IOe的分解圖。
[0083]高頻信號線路IOa與高頻信號線路IOe的不同點(diǎn)在于，在高頻信號線路IOe中設(shè)有接地導(dǎo)體25(第一不同點(diǎn))，此外，在接地導(dǎo)體層24、25上設(shè)有多個開口 30(第二不同點(diǎn))。接下來，以上述不同點(diǎn)為中心來說明高頻信號線路10e。
[0084]如圖11所不,接地導(dǎo)體層25設(shè)置在電介質(zhì)主體12內(nèi)，且與信號導(dǎo)體層20相對。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體層25在電介質(zhì)主體12內(nèi)于電介質(zhì)片材18d表面的區(qū)域Al中沿x軸方向延伸。由此，接地導(dǎo)體層25位于電介質(zhì)主體12內(nèi)較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的負(fù)方向側(cè)，且較接地導(dǎo)體層24更靠z軸方向的正方向側(cè)，并隔著電介質(zhì)片材18c與信號導(dǎo)體層20相對。由此，接地導(dǎo)體層25與信號導(dǎo)體層20的間隔比接地導(dǎo)體層24與信號導(dǎo)體層20的間隔要小。
[0085]此外，由于線路部24a、24b略微突出到區(qū)域Al，因此接地導(dǎo)體層25的x軸方向兩端分別與線路部24a、24b的端部重疊。接地導(dǎo)體層25由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0086]此外，接地導(dǎo)體層25通過通孔導(dǎo)體B9?B16與接地導(dǎo)體層22、23、24相連。由此，接地導(dǎo)體層25被保持在接地電位。
[0087]另外，如圖11所示，接地導(dǎo)體層24、25上設(shè)有沿X軸方向排列的多個開口 30。開口 30呈矩形，沿著信號導(dǎo)體層20在X軸方向上等間隔地排成一列。由此，在信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層24、25之間產(chǎn)生的電容大小呈周期性變動。其結(jié)果，高頻信號線路IOe的特性阻抗也呈周期性變動。
[0088]該多個開口 30與高頻信號線路10中未形成接地導(dǎo)體層24的部分同樣，能提高該部分的特性阻抗，因此，即使信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層24、25靠近也能維持規(guī)定的特性阻抗。因此，能使電介質(zhì)片材18c、18d的厚度較薄，其結(jié)果，能使高頻信號線路IOe整體的厚度較薄。此外，由此能獲得彎曲性更佳的高頻信號線路。
[0089]另外，具備多個開口 30的接地導(dǎo)體層24、25與高頻傳輸線路10那樣設(shè)有未形成接地導(dǎo)體層的部分的情況相比，抑制不需要的輻射產(chǎn)生的效果也變高。
[0090](實(shí)施方式2)
(高頻信號線路的結(jié)構(gòu))
下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的高頻信號線路IOf的外觀立體圖。圖13是圖12的高頻信號線路IOf的電介質(zhì)主體12的分解圖。圖14是圖12的高頻信號線路IOf的剖面結(jié)構(gòu)圖。在圖12至圖14中，將高頻信號線路IOf的層疊方向定義為z軸方向。此外，將高頻信號線路IOf的長邊方向定義為X軸方向，將正交于X軸方向及z軸方向的方向定義為I軸方向。
[0091]如圖12至圖14所示，高頻信號線路IOf包括電介質(zhì)主體12、保護(hù)層14 (14a?14b)、15、外部端子16 (16a、16b)、信號導(dǎo)體層20、接地導(dǎo)體層22、23、24、強(qiáng)化導(dǎo)體層27(27a、27b)、通孔導(dǎo)體 bll ?bl6、B21 ?B35、B40 ?B49 及連接器 100a、100b。[0092]從z軸方向俯視時，電介質(zhì)主體12沿X軸方向延伸，且包含線路部12a及連接部12b、12c。電介質(zhì)主體12是將電介質(zhì)片材(絕緣體層)18 (18a?18e)按照從z軸方向的正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)的順序依次進(jìn)行層疊而構(gòu)成的層疊體。下面，將電介質(zhì)主體12的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面SI，將電介質(zhì)主體12的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面S2。
[0093]線路部12a沿X軸方向延伸，如圖12及圖13所示，具有區(qū)域Al I?A13。區(qū)域All位于線路部12a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。區(qū)域A12位于線路部12a的x軸方向的正方向側(cè)端部。區(qū)域A13被區(qū)域A11、A12從x軸方向的兩側(cè)夾持。
[0094]連接部12b、12c分別連接至線路部12a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部及X軸方向的正方向側(cè)端部。由此，區(qū)域All與連接部12b相鄰接。此外，區(qū)域A12與連接部12c相鄰接。連接部12b、12c的y軸方向?qū)挾扰c線路部12a的y軸方向?qū)挾认嗟?。因此，從z軸方向俯視時，電介質(zhì)主體12呈在X軸方向上延伸的長方形。
[0095]從z軸方向俯視時，電介質(zhì)片材18沿X軸方向延伸,且其形狀與電介質(zhì)主體12相同。電介質(zhì)片材18由聚酰亞胺、液晶聚合物等具有撓性的熱塑性樹脂來構(gòu)成。電介質(zhì)片材18a?18c的厚度在層疊后為50 μ m。電介質(zhì)片材18d、18e的厚度在層疊后為25 μ m。下面，將電介質(zhì)片材18的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱作表面，將電介質(zhì)片材18 (18a?18e)的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱作背面。
[0096]此夕卜，電介質(zhì)片材18a由線路部18a — a及連接部18a — b、18a — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18b由線路部18b — a及連接部18b — b、18b — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18c由線路部18c — a及連接部18c — b、18c — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18d由線路部18d — a及連接部18d — b、18d — c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18e由線路部18e — a及連接部18e — b、18e — c構(gòu)成。線路部 18a — a、18b — a、18c — a、18d-a、18e-a 構(gòu)成線路部 12a。連接部 18a — b、18b — b、18c — b、18d_b、18e_b 構(gòu)成連接部 12b。連接部 18a — c、18b — c、18c — c、18d_c、18e-c構(gòu)成連接部12c。
[0097]如圖12及圖13所示，外部端子16a是設(shè)置在連接部18a —b的表面中央附近的矩形導(dǎo)體。如圖12及圖13所示，外部端子16b是設(shè)置在連接部18a — c的表面中央附近的矩形導(dǎo)體。外部端子16a、16b由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。此夕卜，在外部端子16a、16b的表面上鍍金。
[0098]如圖13所示，信號導(dǎo)體層20是設(shè)置在電介質(zhì)主體12內(nèi)的線狀導(dǎo)體層，且在電介質(zhì)片材18d的表面上沿X軸方向延伸。從z軸方向俯視時,信號導(dǎo)體層20的兩端分別與外部端子16a、16b重疊。區(qū)域A13中，信號導(dǎo)體層20的線寬在線寬Wa與線寬Wb之間呈周期性變動。此外，區(qū)域All、A12中信號導(dǎo)體層20的線寬為線寬Wa。信號導(dǎo)體層20由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0099]通孔導(dǎo)體bll在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — b。通孔導(dǎo)體bl2在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b的連接部18b — b。通孔導(dǎo)體bl3在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c的連接部18c - b。通孔導(dǎo)體bll?bl3彼此相連從而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體，將外部端子16a與信號導(dǎo)體層20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部相連。通孔導(dǎo)體bll?bl3由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制作而成。
[0100]通孔導(dǎo)體bl4在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — C。通孔導(dǎo)體bl5在Z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b的連接部18b - C。通孔導(dǎo)體bl6在Z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c的連接部18c — C。通孔導(dǎo)體bl4?bl6彼此相連從而構(gòu)成一根通孔導(dǎo)體，將外部端子16b與信號導(dǎo)體層20的X軸方向的正方向側(cè)的端部相連。通孔導(dǎo)體bl4?bl6由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制作而成。
[0101]如圖13所不,接地導(dǎo)體層22設(shè)置在電介質(zhì)主體12上,且與信號導(dǎo)體層20相對。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體層22設(shè)置在電介質(zhì)主體12中離電介質(zhì)主體12的表面SI最近的電介質(zhì)片材18a的表面上。由此，接地導(dǎo)體層22位于電介質(zhì)主體12內(nèi)較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的正方向側(cè)，并隔著電介質(zhì)片材18a?18c與信號導(dǎo)體層20相對。接地導(dǎo)體層22由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。另外，對接地導(dǎo)體層22的表面實(shí)施了鍍金等來防銹。
[0102]此外，接地導(dǎo)體層22由線路部22a、端子部22c、22d構(gòu)成。線路部22a設(shè)置在線路部18a — a表面的區(qū)域A13中，且沿x軸方向延伸。端子部22c設(shè)置在連接部18a — b的表面上，且呈包圍外部端子16a周圍的矩形環(huán)。端子部22c不與線路部22a相連。端子部22d設(shè)置在線路部18a - c的表面上，且呈包圍外部端子16b周圍的環(huán)狀矩形。端子部22d不與線路部22a相連。
[0103]如圖13所示，接地導(dǎo)體層23設(shè)置在電介質(zhì)主體12內(nèi)，且與信號導(dǎo)體層20相對。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體層23設(shè)置在電介質(zhì)主體12中電介質(zhì)片材18c的表面。由此，接地導(dǎo)體層23位于電介質(zhì)主體12內(nèi)較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的正方向側(cè)，且較接地導(dǎo)體層22更靠z軸方向的負(fù)方向側(cè)，并隔著電介質(zhì)片材18c與信號導(dǎo)體層20相對。由此，如圖14所示，接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20的間隔Dll比接地導(dǎo)體層22與信號導(dǎo)體層20的間隔D12小。
[0104]此外，接地導(dǎo)體層23由線路部23a、23b、端子部23c、23d構(gòu)成。線路部23a設(shè)置在線路部18c — a表面的區(qū)域All中，且沿X軸方向延伸。這里，線路部23a略微突出到線路部18c_a表面的區(qū)域A13中。由此，從z軸方向俯視時，線路部23a與線路部22a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部重疊。線路部23b設(shè)置在線路部18c — a表面的區(qū)域A12中，且沿x軸方向延伸。這里，線路部23b略微突出到線路部18c-a表面的區(qū)域A13中。由此，從z軸方向俯視時，線路部23b與線路部22a的X軸方向的正方向側(cè)端部重疊。
[0105]端子部23c設(shè)置在連接部18c — b的表面上，且呈與端子部22c相同的矩形環(huán)。端子部23c連接至線路部23a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部23d設(shè)置在連接部18c —c的表面上，且呈與端子部22d相同的環(huán)狀矩形。端子部22d連接至線路部23b的X軸方向的正方向側(cè)端部。接地導(dǎo)體層23由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0106]強(qiáng)化導(dǎo)體層27a設(shè)置在電介質(zhì)片材18b的線路部18b_a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部附近。從z軸方向俯視時，強(qiáng)化導(dǎo)體層27a與線路部22a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部以及線路部23a的X軸方向的正方向側(cè)端部重疊。
[0107]強(qiáng)化導(dǎo)體層27b設(shè)置在電介質(zhì)片材18b的線路部18b_a的x軸方向的正方向側(cè)端部附近。從z軸方向俯視時，強(qiáng)化導(dǎo)體層27b與線路部22a的x軸方向的正方向側(cè)端部以及線路部23b的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部重疊。
[0108]通孔導(dǎo)體B26以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有3個，在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a。通孔導(dǎo)體B27以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有3個，在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b。通孔導(dǎo)體B26、B27彼此連接，將線路部22a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部、強(qiáng)化導(dǎo)體層27a、線路部23a的x軸方向的正方向側(cè)端部相連。
[0109]通孔導(dǎo)體B31以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有3個，在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a。通孔導(dǎo)體B32以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有3個，在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b。通孔導(dǎo)體B31、B32彼此連接，將線路部22a的x軸方向的正方向側(cè)端部、強(qiáng)化導(dǎo)體層27b、線路部23b的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部相連。由此，接地導(dǎo)體層22、23構(gòu)成設(shè)置在電介質(zhì)主體12上且與信號導(dǎo)體層20相對的第一接地導(dǎo)體層。
[0110]如圖13所示，接地導(dǎo)體層24設(shè)置在電介質(zhì)主體12內(nèi)，且夾著信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層22、23相對。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體層24在電介質(zhì)主體12中離電介質(zhì)主體12的背面S2最近的電介質(zhì)片材18e的背面上沿X軸方向延伸。由此，接地導(dǎo)體層24位于電介質(zhì)主體12內(nèi)較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的負(fù)方向側(cè)，并隔著電介質(zhì)片材18d、18e與信號導(dǎo)體層20相對。接地導(dǎo)體層24由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0111]此外，接地導(dǎo)體層24由線路部24a、端子部24c、24d構(gòu)成。線路部24a設(shè)置在線路部18e — a背面的區(qū)域A13中，且沿x軸方向延伸。此外，線路部24a上設(shè)有沿著信號導(dǎo)體層20在X軸方向上排列的多個開口 30。如圖13所示，開口 30呈十字形。S卩，開口 30在X軸方向中央的I軸方向?qū)挾认鄬^大，在X軸方向兩端的I軸方向?qū)挾认鄬^小。另外，圖13中僅排列了 3個開口 30，但實(shí)際上排列了多個開口 30。
[0112]端子部24c設(shè)置在連接部18e — b的背面上，且呈與端子部22c相同的矩形環(huán)。端子部24c未與線路部24a相連。端子部24d設(shè)置在連接部18e — c的背面上，且呈與端子部22d相同的環(huán)狀矩形。端子部24d未與線路部24a相連。
[0113]如上所述，信號導(dǎo)體層20被接地導(dǎo)體層22、23、24從z軸方向的兩側(cè)夾持。S卩，信號導(dǎo)體層20及接地導(dǎo)體層22、23、24除了區(qū)域A11、A12以外，呈三板帶狀線結(jié)構(gòu)。
[0114]另外，本實(shí)施方式中，高頻信號線路IOf具備接地導(dǎo)體層24，但也不一定要具備接地導(dǎo)體層24。即，也可以由接地導(dǎo)體層22、23和信號導(dǎo)體層20來構(gòu)成微帶線結(jié)構(gòu)的高頻信號線路。然而，出于抑制不需要的輻射產(chǎn)生的觀點(diǎn)，優(yōu)選采用高頻信號線路IOf那樣的三板帶狀線結(jié)構(gòu)。
[0115]通孔導(dǎo)體B21?B25分別沿z軸方向貫穿電介質(zhì)片材18a?18e的線路部18a —a?18e — a,在線路部18a — a?18e — a上分別設(shè)有多個通孔導(dǎo)體B21?B25。而且，通孔導(dǎo)體B21?B25彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，將線路部22a和線路部24a相連接。通孔導(dǎo)體B21?B25由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0116]通孔導(dǎo)體B28以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有2個，在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c。通孔導(dǎo)體B29以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有2個,在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18d。通孔導(dǎo)體B30以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有2個，在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18e。通孔導(dǎo)體B28?B30彼此連接，將線路部23a的x軸方向的正方向側(cè)端部與線路部24a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部相連。通孔導(dǎo)體B28?B30由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0117]通孔導(dǎo)體B33以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有2個，在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c。通孔導(dǎo)體B34以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有2個，在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18d。通孔導(dǎo)體B35以在y軸方向上排列成一直線的方式設(shè)有2個，在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18e。通孔導(dǎo)體B33?B35彼此連接，將線路部23b的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部與線路部24a的X軸方向的正方向側(cè)端部相連。通孔導(dǎo)體B33?B35由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0118]通孔導(dǎo)體MO在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a — b。通孔導(dǎo)體B41在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b的連接部18b — b。通孔導(dǎo)體B42在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c的連接部18c — b。通孔導(dǎo)體B43在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18d的連接部18d — b。通孔導(dǎo)體B44在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18e的連接部18e — b。通孔導(dǎo)體B40?B44彼此相連，將端子部22c、23c、24c連接起來。通孔導(dǎo)體MO?B44由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0119]通孔導(dǎo)體B45在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連結(jié)部18a — C。通孔導(dǎo)體B46在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b的連接部18b — C。通孔導(dǎo)體B47在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c的連接部18c — C。通孔導(dǎo)體B48在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18d的連接部18d — C。通孔導(dǎo)體B49在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18e的連接部18e — C。通孔導(dǎo)體B45?B49彼此相連，對端子部22d、23d、24d進(jìn)行連接。通孔導(dǎo)體B45?B49由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料來制作。
[0120]保護(hù)層14a覆蓋連接部18a_b的表面。其中，在保護(hù)層14a上設(shè)有開口 Ha?Hd。開口 Ha是設(shè)置在連接部14a中央的矩形開口。外部端子16a經(jīng)由開口 Ha露出至外部。此夕卜，開口 Hb是設(shè)置在開口 Ha的y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 He是設(shè)置在開口 Ha的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的矩形開口。開口 Hd是設(shè)置在開口 Ha的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22 c經(jīng)由開口 Hb?Hd露出至外部，從而實(shí)現(xiàn)作為外部端子的功能。保護(hù)層14a由例如抗蝕材料等柔性樹脂形成。
[0121]保護(hù)層14b覆蓋連接部18a_c的表面。這里，在保護(hù)層14b上設(shè)有開口 He?Hh。開口 He是設(shè)置在保護(hù)層14b中央的矩形開口。外部端子16b經(jīng)由開口 He露出至外部。此夕卜，開口 Hf是設(shè)置在開口 He的y軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hg是設(shè)置在開口 He的X軸方向的正方向側(cè)的矩形開口。開口 Hh是設(shè)置在開口 He的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的矩形開口。端子部22d經(jīng)由開口 Hf?Hh露出至外部，從而實(shí)現(xiàn)作為外部端子的功能。保護(hù)層14b由例如抗蝕材料等柔性樹脂形成。
[0122]保護(hù)層14c設(shè)置在線路部18a_a的表面，并覆蓋線路部18a_a。保護(hù)層14c由例如抗蝕材料等柔性樹脂形成。
[0123]保護(hù)層15設(shè)置在電介質(zhì)片材18e的背面，并覆蓋接地導(dǎo)體層24的整個面。保護(hù)層15由例如抗蝕材料等柔性樹脂形成。
[0124]本實(shí)施方式所涉及的高頻信號線路IOf的連接器IOOaUOOb的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式I所涉及的高頻信號線路10的連接器IOOaUOOb相同，因此省略說明。
[0125]高頻信號線路IOf彎折起來使用。圖15是表示將高頻信號線路IOf安裝到電子設(shè)備200中的示例的圖。
[0126]電子設(shè)備200包括高頻信號線路IOf、電路基板202a、202b、插座204a、204b、電池組(金屬體)206及殼體210。
[0127]在電路基板202a上設(shè)直有例如包含天線的發(fā)送電路或接收電路。電路基板202b上設(shè)有例如供電電路。電池組206例如為鋰離子充電電池，具有其表面被金屬覆層所覆蓋的結(jié)構(gòu)。電路基板202a、電池組206及電路基板202b依次從x軸方向的負(fù)方向側(cè)到正方向側(cè)排列。
[0128]電介質(zhì)主體12的表面(更確切而言，保護(hù)層14)與電池組206相接觸。而且，電介質(zhì)主體12的表面與電池組206通過粘接劑等進(jìn)行固定。
[0129]插座204a、204b分別設(shè)置在電路基板202a、202b的z軸方向的負(fù)方向側(cè)主面上。插座204a、204b分別與連接器100a、IOOb連接。由此，經(jīng)由插座204a、204b，向連接器100a、IOOb的中心導(dǎo)體108施加在電路基板202a、202b之間進(jìn)行傳輸?shù)睦缇哂?GHz頻率的高頻信號。此外，經(jīng)由電路基板202&、20213及插座204&、20413，將連接器100&、10(^的外部導(dǎo)體110保持在接地電位。由此，高頻信號線路IOf連接在電路基板202a、202b之間。 [0130]這里，電池組206的z軸方向的負(fù)方向側(cè)主面與插座204a、204b之間有高低差。因此，如圖14和圖15所示，通過使電介質(zhì)主體12的線路部12a的兩端(即區(qū)域All、A12)彎曲，使得連接器100a、IOOb分別與插座204a、204b相連。
[0131](效果)
若采用實(shí)施方式2所涉及的高頻信號線路IOf，則與高頻信號線路10同樣，能容易地彎曲高頻信號線路IOf。此外，根據(jù)高頻信號線路IOf，與高頻信號線路10同樣，在使高頻信號線路IOf彎曲時，能抑制接地導(dǎo)體層22、23發(fā)生斷線。此外，在高頻信號線路IOf中，與高頻信號線路10同樣，能抑制信號導(dǎo)體層20的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗偏離。此外，根據(jù)高頻信號線路10f，與高頻信號線路10同樣，能抑制區(qū)域All、A12中的特性阻抗從規(guī)定的特性阻抗偏離。
[0132]此外，高頻信號線路IOf能抑制信號導(dǎo)體層20的特性阻抗變動。更詳細(xì)而言，在高頻信號線路IOf中，區(qū)域A11、A12位于線路部12a的x軸方向的兩端。由此，線路部12a的結(jié)構(gòu)除線路部12a兩端以外的部分(即，區(qū)域A13)是均勻的。因此，抑制了線路部12a的區(qū)域A13中信號導(dǎo)體層20的特性阻抗的變動。另外，區(qū)域A11、A12與連接部12b、12c相鄰接。因此，通過調(diào)整連接部12b、12c的特性阻抗及連接器100a、IOOb的特性阻抗，從而能調(diào)整區(qū)域A11、A12中信號導(dǎo)體層20的特性阻抗。作為具體的調(diào)整方法，例如可以利用對區(qū)域A1UA12中信號導(dǎo)體層20的線寬進(jìn)行變更、對信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層23的距離進(jìn)行調(diào)整等，利用這些方法來調(diào)整連接部12b、12c的特性阻抗以及連接器100a、IOOb的特性阻抗，從而能使區(qū)域All、A12中信號導(dǎo)體層20的特性阻抗接近區(qū)域A13中信號導(dǎo)體層20的特性阻抗。如上所述，在高頻信號線路IOf中，能抑制信號導(dǎo)體層20的特性阻抗的變動，此外，能容易地調(diào)整(匹配)特性阻抗。
[0133]此外，高頻信號線路IOf基于以下理由，也能抑制信號導(dǎo)體層20的特性阻抗的變動。更詳細(xì)而言，若未設(shè)置接地導(dǎo)體層22、24的區(qū)域A11、A12與電池組206接觸，則信號導(dǎo)體層20的特性阻抗容易產(chǎn)生變動。因此，在高頻信號線路IOf中，區(qū)域Al 1、A12位于線路部12a的X軸方向的兩端。由此，如圖15所示，區(qū)域All、A12不會與電池組206接觸或者靠近。其結(jié)果，高頻信號線路IOf能抑制信號導(dǎo)體層20的特性阻抗的變動。
[0134]此外，在高頻信號線路IOf中，接地導(dǎo)體層24上設(shè)有開口 30。因此，為了防止信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層24之間產(chǎn)生的電容變得過小，將信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層24的間隔設(shè)定得比信號導(dǎo)體層20與接地導(dǎo)體層22的間隔要小。此時，較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的正方向側(cè)所設(shè)的電介質(zhì)片材18a~18c的厚度大于較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的負(fù)方向側(cè)所設(shè)的電介質(zhì)片材18c、18d的厚度。因此，在區(qū)域A11、A12中，較信號導(dǎo)體層20更靠接地導(dǎo)體層22 —側(cè)(B卩、z軸方向的正方向側(cè))所設(shè)的電介質(zhì)片材18a、18b有一部分缺損。由此，能更有效地使高頻信號線路IOf的區(qū)域All、A12中高頻信號線路IOf的厚度降低。其結(jié)果，能更容易地使高頻信號線路IOf彎曲。
[0135]此外，在高頻信號線路IOf中，設(shè)有強(qiáng)化導(dǎo)體層27a、27b。由此，抑制了線路部12a的X軸方向兩端的變形。
[0136](實(shí)施方式2的變形例)
下面，參照附圖，對變形例所涉及的高頻信號線路IOg進(jìn)行說明。圖16是變形例所涉及的高頻信號線路IOg的電介質(zhì)主體12的分解圖。
[0137]高頻信號線路IOg與高頻信號線路IOf的不同點(diǎn)在于設(shè)有端子部29c、29d、31c、31d。端子部29c設(shè)置在連接部18b — b的表面上，且呈與端子部22c相同的矩形環(huán)。端子部29d設(shè)置在連接部18b - c的表面上，且呈與端子部22d相同的矩形環(huán)。
[0138]端子部31c設(shè)置在連接部18d_b的表面上，呈X軸方向的正方向側(cè)開口的U字型。在從z軸方向俯視時,端子部31c與端子部29c重疊。端子部31d設(shè)置在連接部18d_c的表面上，呈X軸方向的負(fù)方向側(cè)開口的U字型。在從z軸方向俯視時，端子部31d與端子部29d重疊。
[0139]上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路IOg能起到與高頻信號線路IOf相同的作用效果。另夕卜，由于高頻信號線路IOg的連接部12b、12c上設(shè)有端子部29c、29d、31c、31d，因此連接部12b、12c不容易變形。其結(jié)果，在連接器IOOaUOOb安裝到插座204a、204b上時，抑制了連接部12b、12c因受到較大的力而產(chǎn)生較大變形發(fā)生破損。
[0140](實(shí)施方式3)
下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖17是本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的高頻信號線路IOh的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖18是圖17的高頻信號線路IOh的谷折部分的分解圖。圖19是圖17的高頻信號線路IOh的山折部分的分解圖。在圖17至圖19中，將高頻信號線路IOh的層疊方向定義為z軸方向。此外，將高頻信號線路IOh的長邊方向定義為X軸方向，將正交于X軸方向及z軸方向的方向定義為I軸方向。
[0141]如圖17至圖19所示，高頻信號線路IOh包括電介質(zhì)主體12、保護(hù)層14、15、信號導(dǎo)體層20、接地導(dǎo)體層22、23、24、25以及通孔導(dǎo)體BlOl?B108、B110?B115、B120?B123、B131 ?B134。
[0142]從z軸方向俯視時，電介質(zhì)主體12在X軸方向上延伸，是將電介質(zhì)片材(絕緣體層)18 (18a?18d)按照從z軸方向的正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)的順序依次進(jìn)行層疊而構(gòu)成的層疊體。
[0143]電介質(zhì)主體12沿X軸方向延伸，如圖18及圖19所示，具有區(qū)域A21?A23、A31?A33。區(qū)域A22、A2UA23依次排列在x軸方向上，且彼此相鄰。區(qū)域A32、A3UA33依次排列在X軸方向上，且彼此相鄰。
[0144]此外，如圖17所示，電介質(zhì)主體12在區(qū)域A21處谷折，在區(qū)域A31處山折。谷折是指將電介質(zhì)主體12的z軸方向的正方向側(cè)的主面谷折，山折是指將電介質(zhì)主體12的z軸方向的正方向側(cè)的主面山折。
[0145]信號導(dǎo)體層20由線路部20a?20c構(gòu)成。如圖17和圖18所示，線路部20a設(shè)置在電介質(zhì)片材18b的背面，并在X軸方向上延伸。這里，線路部20a設(shè)置在區(qū)域A22中。
[0146]如圖17和圖18所示，線路部20b設(shè)置在區(qū)域A21中電介質(zhì)片材18c的背面，并在X軸方向上延伸。
[0147]如圖17至圖19所示，線路部20c設(shè)置在電介質(zhì)片材18b的背面，并在x軸方向上延伸。這里，線路部20a設(shè)置在區(qū)域A23、A31?A33中。
[0148]通孔導(dǎo)體BllO在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c，將線路部20a的x軸方向的正方向側(cè)端部與線路部20b的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部相連。通孔導(dǎo)體Blll在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c，將線路部20b的X軸方向的正方向側(cè)端部與線路部20c的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部相連。由此，線路部20a?20c相連接，從而形成I個信號導(dǎo)體層20。
[0149]如圖17至圖19所示，接地導(dǎo)體層22設(shè)置在電介質(zhì)主體12中較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的負(fù)方向側(cè)，并與信號導(dǎo)體層20相對。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體層22由線路部22e?22g構(gòu)成。如圖17和圖18所示，線路部22e設(shè)置在電介質(zhì)片材18d的背面，并在x軸方向上延伸。這里，線路部22e設(shè)置在區(qū)域A22中。此外，線路部22e是實(shí)心導(dǎo)體層。由此，在線路部22e上與信號導(dǎo)體層20重疊的位置未設(shè)置開口。
[0150]如圖17和圖18所示，線路部22f設(shè)置在電介質(zhì)片材18d的背面，并在X軸方向上延伸。這里，線路部22f設(shè)置在區(qū)域A23、A32中。此外，線路部22f是實(shí)心導(dǎo)體層。由此，在線路部22f上與信號導(dǎo)體層20重疊的位置未設(shè)置開口。
[0151]如圖17至圖19所示，線路部22g設(shè)置在電介質(zhì)片材18d的背面，并在x軸方向上延伸。這里，線路部22g設(shè)置在區(qū)域A33中。此外，線路部22g是實(shí)心導(dǎo)體層。由此，在線路部22g上與信號導(dǎo)體層20重疊的位置未設(shè)置開口。
[0152]如圖17和圖19所示，接地導(dǎo)體層23設(shè)置在電介質(zhì)片材18c的背面，并在X軸方向上延伸。這里，接地導(dǎo)體層23設(shè)置在區(qū)域A31中。由此，接地導(dǎo)體層23配置在較接地導(dǎo)體層22更靠近信號導(dǎo)體層20的位置。此外，接地導(dǎo)體層23是實(shí)心導(dǎo)體層。由此，在接地導(dǎo)體層23上與信號導(dǎo)體層20重疊的位置未設(shè)置開口。
[0153]通孔導(dǎo)體B120在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c。通孔導(dǎo)體B121在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18d。通孔導(dǎo)體B120、B121彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，并將線路部22f和接地導(dǎo)體層23相連接。
[0154]通孔導(dǎo)體B122在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c。通孔導(dǎo)體B123在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18d。通孔導(dǎo)體B122、B123彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，將線路部22g和接地導(dǎo)體層23相連接。
[0155]如圖17至圖19所示，接地導(dǎo)體層24設(shè)置在電介質(zhì)主體12中較信號導(dǎo)體層20更靠z軸方向的正方向側(cè)，并與信號導(dǎo)體層20相對。更詳細(xì)而言，接地導(dǎo)體層24由線路部24e?24g構(gòu)成。如圖17和圖18所示，線路部24e設(shè)置在電介質(zhì)片材18a的表面，并在x軸方向上延伸。這里，線路部24e設(shè)置在區(qū)域A22中。此外，線路部24e上設(shè)有多個其長邊沿X軸方向延伸的長方形開口 30。多個開口 30沿X軸方向排成一列，且從z軸方向俯視時與信號導(dǎo)體層20重疊。
[0156]如圖17和圖18所示，線路部24f設(shè)置在電介質(zhì)片材18a的表面，并在x軸方向上延伸。這里，線路部24f設(shè)置在區(qū)域A23、A32中。此外，線路部24f上設(shè)有多個其長邊沿x軸方向延伸的長方形開口 30。多個開口 30沿X軸方向排成一列，且從z軸方向俯視時與信號導(dǎo)體層20重疊。
[0157]如圖17至圖19所示，線路部24g設(shè)置在電介質(zhì)片材18a的表面，并在x軸方向上延伸。這里，線路部24g設(shè)置在區(qū)域A33中。此外，線路部24g上設(shè)有多個其長邊沿X軸方向延伸的長方形開口 30。多個開口 30沿X軸方向排成一列，且從z軸方向俯視時與信號導(dǎo)
體層20重疊。
[0158]如圖17和圖18所示，接地導(dǎo)體層25設(shè)置在電介質(zhì)片材18b的背面，并在x軸方向上延伸。這里，接地導(dǎo)體層25設(shè)置在區(qū)域A21中。由此，接地導(dǎo)體層25配置在較接地導(dǎo)體層24更靠近信號導(dǎo)體層20的位置。此外，接地導(dǎo)體層25是實(shí)心導(dǎo)體層。由此，在接地導(dǎo)體層25上與信號導(dǎo)體層20重疊的位置未設(shè)置開口。
[0159]通孔導(dǎo)體BI 12在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a。通孔導(dǎo)體BI 13在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b。通孔導(dǎo)體B112、B113彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，將線路部24e和接地導(dǎo)體層25相連接。
[0160]通孔導(dǎo)體BI 14在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a。通孔導(dǎo)體BI 15在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b。通孔導(dǎo)體B114、B115彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，將線路部24f和接地導(dǎo)體層25相連接。
[0161]通孔導(dǎo)體BlOl在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a，從z軸方向俯視時，以等間隔地排列在X軸方向上的方式設(shè)置在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體B102在Z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b，從z軸方向俯視時，以等間隔地排列在X軸方向上的方式設(shè)置在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體B103在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c，從z軸方向俯視時，以等間隔地排列在X軸方向上的方式設(shè)置在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體B104在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18d，從z軸方向俯視時，以等間隔地排列在X軸方向上的方式設(shè)置在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體BlOl?B104彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，將線路部24e和線路部22e相連接。
[0162]通孔導(dǎo)體B105在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a，從z軸方向俯視時，等間隔地排列在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體B106在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b，從z軸方向俯視時，等間隔地排列在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體B107在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c，從z軸方向俯視時，等間隔地排列在信號導(dǎo)體層20的7軸方向兩偵U。通孔導(dǎo)體B108在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18d，從z軸方向俯視時，等間隔地排列在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體B105?B108彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，將線路部24f和線路部22f相連接。
[0163]通孔導(dǎo)體B131在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a，從z軸方向俯視時，等間隔地排列在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體B132在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18b，從z軸方向俯視時，等間隔地排列在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體B133在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18c，從z軸方向俯視時，等間隔地排列在信號導(dǎo)體層20的7軸方向兩偵U。通孔導(dǎo)體B134在z軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18d，從z軸方向俯視時，等間隔地排列在信號導(dǎo)體層20的y軸方向兩側(cè)。通孔導(dǎo)體B131?B134彼此相連接，從而構(gòu)成I根通孔導(dǎo)體，將線路部24g和線路部22g相連接。
[0164]在上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路IOh中，信號導(dǎo)體層20在區(qū)域A22、A23、A32、A33中被接地導(dǎo)體層22和接地導(dǎo)體層24從z軸方向的兩側(cè)夾持。由此，高頻信號線路IOe呈三板帶狀線結(jié)構(gòu)。
[0165]這里，如圖18所示，線路部22e與線路部22f的距離G2比線路部24e與線路部24f的距離Gl要長。此外，如圖19所示，線路部24f與線路部24g的距離G3比線路部22f與線路部22g的距離G4要長。
[0166]保護(hù)層14設(shè)置在電介質(zhì)片材18a的表面上，并覆蓋接地導(dǎo)體層24。保護(hù)層15設(shè)置在電介質(zhì)片材18d的背面上，并覆蓋接地導(dǎo)體層22。
[0167]如圖17所示，上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路IOh在區(qū)域A21、A31處彎曲來使用。并且，高頻信號線路IOe的背面(即，保護(hù)層15)貼附于電池組等的金屬體400。
[0168](效果)
在高頻信號線路IOh中，區(qū)域A31中接地導(dǎo)體層23與信號導(dǎo)體層20的間隔Dl比區(qū)域A32、A33中接地導(dǎo)體層22與信號導(dǎo)體層20的間隔D2小。由此，與高頻信號線路10同樣，能容易地使高頻信號線路IOe彎曲。
[0169]此外，若高頻信號線路IOh在區(qū)域A21處谷折，則接地導(dǎo)體層22較接地導(dǎo)體層24位于外周側(cè)。因此，在高頻信號線路IOe中，線路部22e與線路部22f的距離G2比線路部24e與線路部24f的距離Gl要長。由此，當(dāng)高頻信號線路IOh在區(qū)域A21處谷折時，接地導(dǎo)體層24不容易位于高頻信號線路IOe彎曲的部分。因此，抑制了接地層導(dǎo)體24給高頻信號線路IOh的彎曲帶來妨礙。
[0170]此外，若高頻信號線路IOh在區(qū)域A31處山折，則接地導(dǎo)體層24較接地導(dǎo)體層22位于外周側(cè)。因此，在高頻信號線路IOh中，線路部24f與線路部24g的距離G3比線路部22f與線路部22g的距離G4要長。由此，當(dāng)高頻信號線路IOh在區(qū)域A31處山折時，接地導(dǎo)體層22不容易位于高頻信號線路IOh彎曲的部分。因此，抑制了接地導(dǎo)體層24給高頻信號線路IOh的彎曲帶來妨礙。
[0171]另外，高頻信號線路10、10a?IOh并不限于扁狀電纜，也可用作天線前端模塊等RF電路基板中的高頻信號線路。
工業(yè)上的實(shí)用性
[0172]如上所述，本發(fā)明適用于高頻信號線路以及具備該高頻信號線路的電子設(shè)備，尤其在能容易地進(jìn)行彎曲這一點(diǎn)上較為優(yōu)異。
標(biāo)號說明
[0173]Al ?A3、All ?A13 區(qū)域
BI?B16、B21?B35、B40?B49、bl?b4 通孔導(dǎo)體
10、IOa?IOh高頻信號線路
12電介質(zhì)主體
18a?18e電介質(zhì)片材
20信號導(dǎo)體層
22、23、24、25 接地導(dǎo)體層
30 開口
【權(quán)利要求】
1.一種高頻信號線路，其特征在于，包括: 層疊體，該層疊體具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，并由具有撓性的多個絕緣體層層疊而成； 信號導(dǎo)體層，該信號導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體；以及 第一接地導(dǎo)體層，該第一接地導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體，并與所述信號導(dǎo)體層相對，所述第一區(qū)域中所述第一接地導(dǎo)體層與所述信號導(dǎo)體層的間隔比所述第二區(qū)域中該第一接地導(dǎo)體層與該信號導(dǎo)體層的間隔要小， 所述層疊體在所述第一區(qū)域處折彎。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻信號線路，其特征在于， 還包括第二接地導(dǎo)體層，該第二接地導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體，并夾著所述信號導(dǎo)體層與所述第一接地導(dǎo)體層相對。
3.如權(quán)利要求2所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第一區(qū)域的至少一部分中未設(shè)置所述第二接地導(dǎo)體層。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第一區(qū)域的至少一部分中所述層疊體的厚度比所述第二區(qū)域中該層疊體的厚度要薄。
5.如權(quán)利要求4所述的高頻信號線路，其特征在于， 相對于所述信號導(dǎo)體層位于所述第一接地導(dǎo)體層的相反方向的所述絕緣體層未形成在所述第一區(qū)域的至少一部分中。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第一區(qū)域中所述信號導(dǎo)體層的線寬比所述第二區(qū)域中該信號導(dǎo)體層的線寬要細(xì)。
7.如權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述層疊體在所述第一區(qū)域處折彎，使得所述第一接地導(dǎo)體層較所述信號導(dǎo)體層位于內(nèi)周側(cè)。
8.如權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第二接地導(dǎo)體層具有沿著所述信號導(dǎo)體層排列的多個開口。
9.如權(quán)利要求1至8的任一項(xiàng)所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述層疊體包括: 線路部，該線路部具有所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域；以及 連接部，該連接部與所述線路部的端部相連， 所述第一區(qū)域與所述連接部相鄰接。
10.如權(quán)利要求9所述的高頻信號線路，其特征在于， 還包括第二接地導(dǎo)體層，該第二接地導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體，并夾著所述信號導(dǎo)體層與所述第一接地導(dǎo)體層相對， 所述信號導(dǎo)體層與所述第一接地導(dǎo)體層的間隔比該信號導(dǎo)體層與所述第二接地導(dǎo)體層的間隔要大， 在所述第一區(qū)域中，較所述信號導(dǎo)體層更靠所述第一接地導(dǎo)體層一側(cè)的所述絕緣體層有一部分缺失。
11.如權(quán)利要求10所述的高頻信號線路，其特征在于，所述第二接地導(dǎo)體層上設(shè)有沿著所述信號導(dǎo)體層排列的多個開口。
12.如權(quán)利要求1所述的高頻信號線路，其特征在于， 還包括第二接地導(dǎo)體層，該第二接地導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體，并夾著所述信號導(dǎo)體層與所述第一接地導(dǎo)體層相對， 所述第一區(qū)域的至少一部分中未設(shè)置所述第二接地導(dǎo)體層， 未設(shè)置所述第二接地導(dǎo)體層的區(qū)域的長度比所述第一區(qū)域中所述第一接地導(dǎo)體層的長度要短， 所述層疊體在所述第一區(qū)域處折彎，使得所述第一接地導(dǎo)體層較所述信號導(dǎo)體層位于內(nèi)周側(cè)。
13.一種電子設(shè)備，包括高頻信號線路和殼體，其特征在于， 所述高頻信號線路包括: 層疊體，該層疊體具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，并由具有撓性的多個絕緣體層層疊而成； 信號導(dǎo)體層，該信號導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體；以及 第一接地導(dǎo)體層，該第一接地導(dǎo)體層設(shè)置于所述層疊體，并與所述信號導(dǎo)體層相對， 在所述高頻信號線路中， 所述第一區(qū)域中所述第一接地導(dǎo)體層與所述信號導(dǎo)體層的間隔比所述第二區(qū)域中該第一接地導(dǎo)體層與該信號導(dǎo)·體層的間隔要小， 所述層疊體在所述殼體內(nèi)于所述第一區(qū)域處折彎。
【文檔編號】H05K1/02GK103718656SQ201280038424
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2012年11月9日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月10日
【發(fā)明者】多胡茂, 佐佐木憐, 加藤登 申請人:株式會社村田制作所