專利名稱：基板制造方法、布線基板的制造方法、玻璃基板以及布線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板制造方法、布線基板的制造方法、玻璃基板以及布線基板。
背景技術(shù)：
近年來,對安裝MEMS (Micro Electro Mechanical System :微機電系統(tǒng))等電子部件的布線基板要求確保較高的連接可靠性并且能夠進行電子部件等的高密度安裝。為了與此對應(yīng)，本申請發(fā)明者提出關(guān)于布線基板，不使用樹脂基板，而使用平滑性、硬質(zhì)性、絕緣性、耐熱性等良好的玻璃基板作為核心基板，與該玻璃基板的表面和背面連通的貫通孔的孔內(nèi)填充金屬，從而能夠使形成在基板表面和背面的各電布線可靠地導(dǎo)通，由此，能夠與微細化、高密度化等對應(yīng)的方案(例如參照專利文獻I)。由這樣的玻璃基板構(gòu)成的布線基板以下述順序制造。具體而言，例如專利文獻I中公開的那樣，進行在玻璃基板形成貫通孔的工序之后，進行通過電鍍法在貫通孔內(nèi)填充金屬的工序。而且，在填充金屬的工序中，在其初始階段，利用金屬將玻璃基板的表面和背面的貫通孔的開口部的任意一方閉塞，之后，在通過閉塞而形成的孔內(nèi)的底部從另一方開口部側(cè)堆積金屬而使之向該另一方開口部生長，從而在貫通孔內(nèi)填充金屬。專利文獻1:國際公開第2005 / 027605號這樣，在使金屬填充到貫通孔內(nèi)的情況下，包圍貫通孔的孔內(nèi)的側(cè)壁與填充的金屬的氣密性(氣體阻隔性等)低。若氣密性低，則從氣密性低處產(chǎn)生氣(gas)等氣體通過的泄漏。例如，對在貫通孔內(nèi)填充金屬的玻璃基板形成布線圖案等的情況下等，在規(guī)定的氣體環(huán)境中對玻璃基板的表面和背面層疊金屬層。然而，招來受上述的氣密性低和氣體的泄漏所帶來的影響而妨礙金屬層的層疊控制等問題。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明是為了解決上述的課題而提出的，提供一種能夠提高包圍貫通孔的孔內(nèi)的側(cè)壁與填充到貫通孔的孔內(nèi)的金屬材料的氣密性，并防止氣體的泄漏的基板制造方法、布線基板的制造方法、玻璃基板以及布線基板。本說明書中公開的一個發(fā)明是基板的制造方法。本基板制造方法是制造與使用含有硅氧化物的玻璃形成的玻璃基板的表面和背面連通的貫通孔的孔內(nèi)填充有金屬材料的基板的基板制造方法。本基板制造方法的特征在于，具備蝕刻工序，在填充上述金屬材料前，通過選擇性地蝕刻處于包圍上述貫通孔的孔內(nèi)的側(cè)壁附近的硅氧化物而形成錨定部；填充工序，在上述蝕刻工序后，在上述貫通孔的孔內(nèi)填充金屬材料。此處所說的“硅氧化物”表示由組成式“ SixOy ”表示的物質(zhì)，例如例示二氧化硅(SiO2)0 SixOy并未僅限定為二氧化硅的結(jié)晶質(zhì)物質(zhì)，也包括作為SixOy的非晶體構(gòu)造的石英玻璃。另外，以硅氧化物為主體的構(gòu)造的Si位的一部分置換Al、其他的元素的情況也包括在此處所說的“硅氧化物”。在該基板制造方法中，優(yōu)選上述玻璃是結(jié)晶化玻璃。在結(jié)晶化玻璃中，在結(jié)晶質(zhì)部分與非晶體部分分子構(gòu)造不同。另外，結(jié)晶質(zhì)成分也并不是單一的結(jié)晶體分散，也存在多個種類的結(jié)晶體分散的情況。換句話說，一般認為在結(jié)晶化玻璃中，具有不同的構(gòu)造(結(jié)晶構(gòu)造或者非晶體構(gòu)造)的多個簇(cluster)隨機地分散。根據(jù)本發(fā)明，能夠選擇性地蝕刻露出在貫通孔側(cè)壁的硅氧化物部分，并能夠形成復(fù)雜的錨定部。填充到孔內(nèi)的金屬進入該復(fù)雜的錨定部而嚙合，所以玻璃基板與填充的金屬的氣體阻隔性提高。在該基板制造方法中，優(yōu)選在上述蝕刻工序中，使用酸性氟化銨與強酸性銨鹽的混合液作為蝕刻液。若使用在酸性氟化銨上加入了強酸性銨鹽的蝕刻液，對硅氧化物的蝕刻選擇性提聞，所以優(yōu)選。作為強酸性銨鹽，例舉硫酸銨、硝酸銨、高氯酸銨、以及，鹵化銨。其中優(yōu)選硫酸銨。此處公開的其他發(fā)明是布線基板的制造方法。具體而言，是在前述的構(gòu)成的玻璃基板的至少一面形成布線的構(gòu)成。此處公開的其他發(fā)明是玻璃基板。該玻璃基板的特征在于，是與使用含有硅氧化物的玻璃形成的基板的表面和背面連通的貫通孔的孔內(nèi)填充有金屬材料的玻璃基板，在包圍上述貫通孔的孔內(nèi)的側(cè)壁形成有錨定部，上述填充的金屬進入該錨定部的凹凸的至少一部分。此處公開的其他發(fā)明是布線基板。該布線基板的特征在于，在前述的構(gòu)成的玻璃基板的一面?zhèn)扰c另一面?zhèn)戎械闹辽僖环叫纬捎胁季€圖案。根據(jù)本發(fā)明，能夠提高包圍貫通孔的孔內(nèi)的側(cè)壁與填充到貫通孔的孔內(nèi)的金屬材料的氣密性，防止氣體的泄漏。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的布線基板的構(gòu)成例的剖視圖。圖2是說明本發(fā)明的實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖(其I)。圖3是說明本發(fā)明的實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖(其2)。圖4是表示貫通孔的剖面形狀的放大圖。圖5是說明本發(fā)明的實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖(其3)。圖6是說明本發(fā)明的實施方式所涉及的布線基板的制造方法的工序圖(其4)。圖7是表示本發(fā)明的變形例的布線基板的構(gòu)成例的剖視圖。
具體實施例方式最初對本說明書所記載的幾個實施方式的特征進行整理。(特征I)作為玻璃基板的材料的結(jié)晶化玻璃是感光性玻璃。(特征2)蝕刻液使用酸性氟化銨與硫酸銨的混合溶液。酸性氟化銨與硫酸銨的比率是1:1 1:5左右，特別是優(yōu)選1:3。(特征3)蝕刻的目標是硅氧化物，特別是硅氧化物的非晶體成分。
(特征4)對由結(jié)晶化玻璃構(gòu)成的玻璃基板的上表面以及/或者下面進行粗化來形成錨定(anchor)部。利用錨定部發(fā)揮的錨定效果，能夠直接在玻璃基板上層疊與玻璃基板的粘著力弱的金屬材料作為布線圖案。由此，不需要粘著層，能夠以低成本制造布線基板。
以下，參照附圖，詳細地說明本發(fā)明的實施方式。在本發(fā)明的實施方式中，以如下的順序進行說明。1.布線基板的簡要結(jié)構(gòu)2.布線基板的制造方法的順序2—1.貫通孔形成工序2 — 2.玻璃基板改性工序2 — 3.蝕刻工序(側(cè)壁面粗化工序)2 — 4.貫通孔填充工序( I)電鍍基底層形成工序(2)開口部閉塞工序(3)孔內(nèi)金屬填充工序( 4 )基板面露出工序(5)基板平坦化工序2-5.布線圖案形成工序3.本實施方式的效果4.變形例等<1.布線基板的簡要結(jié)構(gòu)>圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的布線基板的構(gòu)成例的剖視圖。圖示的布線基板I使用玻璃基板2而構(gòu)成。玻璃基板2作為布線基板I的核心基板來使用。在玻璃基板2設(shè)置有多個(圖1中僅表示一個)的貫通孔3。在貫通孔3填充有金屬4。在玻璃基板2的第I面以及第2面分別經(jīng)由粘著層5形成有布線圖案6。因此，布線基板I構(gòu)成兩面布線基板。玻璃基板2的第I面與第2面相互成為表里的關(guān)系。圖1中，將玻璃基板2的下表面設(shè)為第I面，將玻璃基板2的上表面設(shè)為第2面。布線圖案6形成為與布線路徑對應(yīng)的圖案形狀。玻璃基板2使用感光性玻璃基板而構(gòu)成。從平滑性、硬質(zhì)性、絕緣性、加工性等方面考慮，使用于玻璃基板2的感光性玻璃基板適合作為布線基板I的核心基板。這樣的性質(zhì)除了感光性玻璃之外，鈉鈣玻璃等化學(xué)強化玻璃、無堿玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等也同樣具有這種性質(zhì)，也可以將這些玻璃用于布線基板I的核心基板。貫通孔3俯視形成為近似圓形。當(dāng)實施本發(fā)明時，對貫通孔3的配置并未特別限制。因此，貫通孔3例如可以與所希望的布線圖案6的圖案形狀配合地隨機配置，也可以以預(yù)先決定的間隔配置成矩陣狀，也可以以矩陣狀以外的排列進行配置。包圍貫通孔3的孔內(nèi)的側(cè)壁的壁面(以下，稱為側(cè)壁面。)在填充金屬4之前的階段通過蝕刻表面而被粗化。由此，貫通孔3的側(cè)壁面與填充于貫通孔3的金屬4的粘著力被強化。因此，能夠提高填充有金屬4的貫通孔3部分的氣密性(氣體阻隔性等)，防止氣體的泄漏。對貫通孔3的側(cè)壁面實施的粗化處理以后詳細地說明。金屬4是如上述那樣使形成在玻璃基板2的兩面(第I面、第2面)的布線圖案6彼此電連接。因此，優(yōu)選金屬4是電阻低的金屬材料(導(dǎo)電材料)。另外，在本發(fā)明的實施方式中，利用電解電鍍，作為利用金屬4填入貫通孔3的手法。因此，優(yōu)選金屬4是適于電解電鍍的金屬材料。具體而言，金屬4是由銅、鎳、金、銀、白金、鈀、鉻、鋁、銠中的任意一種構(gòu)成的金屬或者由2種以上構(gòu)成的合金。在本實施方式中，由銅構(gòu)成金屬4。粘著層5是強化布線圖案6相對于玻璃基板2的粘著力的層。粘著層5呈與布線圖案6相同的圖案形狀。在本實施方式中，與金屬4相同由銅構(gòu)成布線圖案6。若在玻璃基板2上直接層疊該銅，則得不到足夠的粘著力。因此，在玻璃基板2與布線圖案6之間夾設(shè)粘著層5。粘著層5可以是鉻層與銅層的雙層構(gòu)造，也可以是在它們層間夾設(shè)鉻銅層而形成的3層構(gòu)造，也可以是4層以上的多層構(gòu)造。在本實施方式中，作為一個例子，將粘著層5形成為3層構(gòu)造。具體而言，將粘著層5的構(gòu)造形成為在玻璃基板2上依次層疊鉻層5a、鉻銅層5b以及銅層5c的3層構(gòu)造。布線圖案6以層疊的狀態(tài)形成在粘著層5上。更具體而言，布線圖案6形成在成為粘著層5的最上層的銅層5c上。形成在玻璃基板2的第I面的布線圖案6的一部分、與形成在玻璃基板2的第2面的布線圖案6的一部分經(jīng)由填充到貫通孔3的金屬4而電連接(導(dǎo)通)。< 2.布線基板的制造方法的順序>接下來，對本發(fā)明的實施方式所涉及的布線基板的制造方法進行說明。在布線基板的一系列的制造工序中包括貫通孔形成工序、玻璃基板改性工序、蝕刻工序、貫通孔填充工序、以及布線圖案形成工序。其中，除了布線圖案形成工序之外的一系列工序成為本發(fā)明的實施方式所涉及的基板制造方法所包含的工序。(2 —1.貫通孔形成工序)貫通孔形成工序是在玻璃基板2形成貫通孔3的工序。貫通孔形成工序相當(dāng)于準備通過在具有處于表里關(guān)系的第I面以及第2面的板狀的玻璃基材上形成將第I面?zhèn)茸鳛榈贗開口部、并且將第2面?zhèn)茸鳛榈?開口部的貫通孔而構(gòu)成的玻璃基板的工序。因此，作為得到帶有貫通孔3的玻璃基板2的手法，除了進行貫通孔形成工序以外，例如也可以從其他制造商購入帶有貫通孔3的玻璃基板2。例如能夠使用激光加工法、光刻法作為貫通孔3的形成方法。在本實施方式中，在高精度地形成貫通孔3這一方面，選擇使用比激光加工法有利的光刻法。經(jīng)過曝光以及顯影的各處理來進行光刻法。因此，作為成為貫通孔3的形成對象的玻璃基材，使用使感光性的物質(zhì)在玻璃中分散的感光性玻璃。該情況下，對于玻璃基板2而言，只要是顯現(xiàn)感光性的就不作特別限制。在玻璃基板2中優(yōu)選含有金(Au)、銀(Ag)、氧化亞銅(Cu2O)或者氧化鋪(CeO2)中的至少I種作為感光性成分，更優(yōu)選含有2種以上作為感光性成分。作為這種玻璃基板2，可以使用例如以質(zhì)量 ％計，將 SiO2 :55% 85%、氧化鋁(Al2O3) :2% 20%、氧化鋰(Li2O) :5% 15%、SiO2 + Al2O3 + Li2O > 85%作為基本成分，將 Au :0. 001% 0. 05%,Ag 0. 001% 0.5%, Cu2O 0. 001% I %作為感光性金屬成分，并進一步將CeO2 :0. 001% 0. 2%作為光增感劑含有的玻璃基板。以下，對通過光刻法在玻璃基板2形成貫通孔3的情況下的具體順序進行說明。首先，對玻璃基板2的形成貫通孔3部分(以下稱為“貫通孔形成部分”。)進行曝光。在該曝光處理中，使用具有掩膜開口的光掩模(未圖示)。光掩模例如是，以所希望的圖案形狀在透明的薄玻璃基板上形成遮光膜(鉻膜等)、并利用該遮光膜遮擋曝光用光(在本方式例子中，是紫外線)的通過的掩膜。在上述曝光處理中，使該光掩模與玻璃基板2的第I面或者第2面粘著而配置。接下來，經(jīng)由光掩模向玻璃基板2照射紫外線。這樣，通過與玻璃基板2的貫通孔形成部分對應(yīng)地形成在光掩模的掩膜開口來向玻璃基板2照射紫外線。接下來，對玻璃基板2進行熱處理。熱處理優(yōu)選在感光性玻璃基板的轉(zhuǎn)移點與屈服點之間的溫度下進行。這是因為，在低于轉(zhuǎn)移點的溫度下得不到充分的熱處理效果，在高于屈服點的溫度下導(dǎo)致感光性玻璃基板的收縮，曝光尺寸精度有可能降低。作為熱處理時間，優(yōu)選30分鐘 5小時左右。通過進行這樣的紫外線照射與熱處理，經(jīng)紫外線照射的貫通孔形成部分被結(jié)晶化。其結(jié)果，如圖2 (A)所示，在玻璃基板2的貫通孔形成部分形成曝光結(jié)晶化部3a。之后，對如上述那樣形成有曝光結(jié)晶化部3a的玻璃基板2進行顯影。通過將適當(dāng)?shù)臐舛鹊南浞岬任g刻液作為顯影液向玻璃基板2噴射等而進行顯影處理。通過該顯影處理，選擇性地溶解去除曝光結(jié)晶化部3a。其結(jié)果，如圖2 (B)所示，在玻璃基板2形成貫通孔3。該貫通孔3成為分別在玻璃基板2的下表面(第I面)與上表面(第2面)開口的狀態(tài)。在以下的說明中，將在玻璃基板2的下表面?zhèn)乳_口的貫通孔3的開口部(第I開口部)作為下開口部，將在玻璃基板2的上表面?zhèn)乳_口的貫通孔3的開口部(第2開口部)作為上開口部。根據(jù)使用了上述光刻法的貫通孔3的形成方法，能夠在玻璃基板2同時形成所希望數(shù)目的縱橫比為10左右的貫通孔3。例如，在使用了厚度0. 3mm 1. 5mm左右的玻璃基板2的情況下，能夠在所希望的位置同時形成多個孔徑(直徑)為30 y m 150 y m左右的貫通孔3。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)布線圖案的微細化、貫通孔形成工序的效率化。并且，為了布線的高密度化而采用使孔環(huán)(land)寬度極小、或者使孔環(huán)寬度為零的無孔環(huán)(landless)構(gòu)造的情況下，能夠確保貫通孔3之間的空間充分大。因此，能夠在貫通孔3間形成布線，也能夠?qū)崿F(xiàn)布線圖案的設(shè)計自由度的擴大、布線密度的提高。另外，通過以窄間距形成多個貫通孔3，從而也能夠?qū)崿F(xiàn)布線密度的提高。(2 — 2.玻璃基板改性工序)利用貫通孔形成工序在玻璃基板2形成貫通孔3后，進行玻璃基板改性工序。通常，感光性的玻璃基板2中含有鋰離子(Li +)、鉀離子(K +)等堿金屬離子。若這些堿金屬離子泄漏至布線基板I的布線金屬，并吸水，則在施加電壓的電路間，布線金屬離子化，產(chǎn)生該離子化的金屬再次接受電荷，被還原析出的離子遷移。因該離子遷移，在最壞的情況下，通過析出的金屬而形成從一個電路朝向另一個電路的布線，有可能電路間短路。在布線間隔小的情況下，這樣的短路不良顯著。因此，為了高密度地形成微細的布線而需要抑制離子遷移。玻璃基板改性工序中，例如對形成有貫通孔3的玻璃基板2整體照射約700mJ /cm2的紫外線，之后，在約850°C的溫度下進行約2小時的熱處理，從而使玻璃基板2結(jié)晶化。通過這樣使感光性的玻璃基板2整體結(jié)晶化，與結(jié)晶化前相比，玻璃基板2所含有的堿金屬離子難以移動。因此，能夠有效地抑制離子遷移。(2 — 3.蝕刻工序(側(cè)壁面粗化工序))在玻璃基板改性工序使玻璃基板2結(jié)晶化而形成結(jié)晶化玻璃之后，進行蝕刻工序(側(cè)壁面粗化工序)。蝕刻工序是，至少對形成在玻璃基板2的貫通孔3的側(cè)壁進行其表面(側(cè)壁面)的粗化的工序。所謂表面的粗化是指，使該表面變化為粗糙的面狀態(tài)，更具體而言，進行帶來以SEM (電子顯微鏡)觀察能夠識別的差異程度以上的面粗糙的變化的面處理。在側(cè)壁面粗化工序中，至少對貫通孔3的側(cè)壁面進行粗化即可，所以除了該側(cè)壁面也可以包括玻璃基板2的表面和背面、側(cè)端面等作為粗化對象面。表面的粗化通過以下的手法進行。在本實施方式中，對形成有貫通孔3且結(jié)晶化后的玻璃基板2進行利用以規(guī)定的比率混合酸性氟化銨(NH4F HF)和硫酸銨((NH4) 2S04)而成的蝕刻液實施的蝕刻。若進行這樣的蝕刻處理，則構(gòu)成玻璃基板2的各種材料中、容易溶于上述蝕刻液的硅氧化物優(yōu)先被選擇性地溶解去除。具體而言，酸性氟化銨與硫酸銨之比率為1:1 1:5左右，特別是優(yōu)選1:3。其結(jié)果，在經(jīng)過蝕刻處理的表面(包括貫通孔3的孔內(nèi)的側(cè)壁的表面)形成多個微細的蝕刻痕。通過該蝕刻痕的形成，玻璃基板2的表面被粗化。 通過玻璃基板改性工序而被結(jié)晶化的玻璃基板2由硅氧化物與二硅酸鋰(LiO 2Si02)構(gòu)成。換句話說，經(jīng)過結(jié)晶化的玻璃基板2含有簇狀的硅氧化物。作為這種硅氧化物的構(gòu)造，可以考慮非晶體的石英玻璃(silica glass)、結(jié)晶質(zhì)的石英、磷石英以及方英石。如圖2 (B)所示，若使形成有貫通孔3的玻璃基板2結(jié)晶化后，利用上述蝕刻液對玻璃基板2的包圍貫通孔3的孔內(nèi)的側(cè)壁面進行蝕刻，則如圖2 (C)所示，被粗化，形成凹凸。這樣，經(jīng)過粗化的表面與未進行粗化的情況相比，提高在后述的貫通孔填充工序中填充至貫通孔3的孔內(nèi)的金屬材料的濕潤性，所以促進良好的填充。另外，與未進行粗化的情況相比較，金屬材料進入到通過粗化而形成的蝕刻痕的底部，從而發(fā)揮錨定(anchor)效果，所以與未進行粗化的情況相比較，金屬材料相對于被粗化的表面的粘著強度提聞。該蝕刻工序的粗化并不單單是使形成在玻璃基板2的貫通孔3的側(cè)壁面變得粗糙。對于上述蝕刻液而言，將硅氧化物，特別是硅氧化物的非晶體成分(例如，石英玻璃等)作為目標進行溶解去除，所以如圖2 (C)的區(qū)域A、B、C所示，以形成從表面深度進入的蝕刻痕的方式進行蝕刻。這樣，在區(qū)域A、B、C中，錨定效果極顯著，進一步提高與金屬材料的粘著強度。這樣，通過蝕刻工序而表面被粗化的位置的錨定效果極其變高，能夠提高直接使用粘著力較弱的、與金屬材料的粘著強度。由此，如后述，能夠提高填充有金屬的貫通孔3部分的氣密性(氣體阻隔性等)，而防止氣體的泄漏。此外，如形成在圖2 (C)所示的玻璃基板2的貫通孔3的側(cè)壁面，通過蝕刻工序被粗化而形成有凹凸的表面顯現(xiàn)錨定效果，所以在以下的說明中，稱為錨定部。(2 — 4.貫通孔填充工序)利用側(cè)壁面粗化工序至少對貫通孔3的側(cè)壁面進行粗化后，進行貫通孔填充工序。在貫通孔填充工序中，依次進行(I)電鍍基底層形成工序、(2 )開口部閉塞工序、(3 )孔內(nèi)金屬填充工序、(4)基板面露出工序、以及(5)基板平坦化工序。
( I)電鍍基底層形成工序電鍍基底層形成工序是在玻璃基板2的下表面?zhèn)刃纬山饘俚碾婂兓讓?的工序。在該工序中，不在玻璃基板2的上表面?zhèn)刃纬呻婂兓讓?，而只在玻璃基板2的下表面?zhèn)刃纬呻婂兓讓?。另外，如圖3 (A)所示，在電鍍基底層形成工序中，與玻璃基板2的下表面一起，從貫通孔3的下開口部(第I開口部)的邊緣至貫通孔3的側(cè)壁面的一部分也形成電鍍基底層7。由此，相對于位于玻璃基板2的下表面?zhèn)鹊呢炌?的側(cè)壁面部分被電鍍基底層7覆蓋，而位于玻璃基板2的上表面?zhèn)鹊呢炌?的側(cè)壁面部分未被電鍍基底層7覆蓋而處于露出的狀態(tài)。順便說一下，此處所描述的“貫通孔3的側(cè)壁面的一部分”是指，占據(jù)貫通孔3的深度方向的一部分的側(cè)壁面部分，并且從貫通孔3的下開口部的邊緣朝向貫通孔3的里側(cè)(上開口部)連續(xù)的側(cè)壁面部分。在貫通孔3的深度方向上形成電鍍基底層7的范圍優(yōu)選確保至與玻璃基板2的去除預(yù)定區(qū)域8相比更進入貫通孔3的里側(cè)的位置。所謂玻璃基板2的去除預(yù)定區(qū)域8是指，在后述的基板平坦化工序中利用機械加工將玻璃基板2的表層部去除時，預(yù)定玻璃基板2的去除的區(qū)域。在圖3 (A)中，預(yù)定利用機械加工將玻璃基板2的表層部去除至由2條雙點劃線表示的位置。因此，在完成玻璃基板2的機械加工(平坦化加工)的階段，與2條雙點劃線相比更靠內(nèi)側(cè)的基板部分2a最終成為作為玻璃基板2而剩余的部分。在玻璃基板2的兩面分別設(shè)定有玻璃基板2的去除預(yù)定區(qū)域8。其中，關(guān)于設(shè)定在玻璃基板2的下表面?zhèn)鹊娜コA(yù)定區(qū)域8，形成電鍍基底層7，以便在通過機械加工去除玻璃基板2的表層部之后，貫通孔3的下開口部也成為通過電鍍基底層7以及第I電鍍層4a(后述)而閉塞的狀態(tài)。具體而言，電鍍基底層7形成至與去除預(yù)定區(qū)域8的邊界位置(由雙點劃線表示的位置)相比更靠貫通孔3的里側(cè)。電鍍基底層7優(yōu)選通過與玻璃基板2的粘著性良好的派射(sputtering)來形成。具體而言，在玻璃基板2的下表面?zhèn)韧ㄟ^濺射依次層疊例如厚度約為0. 05iim的鉻層7a和厚度約為1. 5pm的銅層7b，從而形成雙層構(gòu)造的電鍍基底層7。此時，因濺射從目標彈起的金屬原子(以下，記為“濺射原子”)的一部分從貫通孔3的下開口部進入貫通孔3內(nèi)，并附著于貫通孔3的側(cè)壁面。因此，為了使濺射原子高效地附著于貫通孔3的側(cè)壁面，在上述貫通孔形成工序中，優(yōu)選以貫通孔3的下開口部側(cè)的剖面形狀成為擴口狀(喇叭狀)的方式在玻璃基板2形成貫通孔3。具體而言，在上述貫通孔形成工序中，在利用蝕刻液溶解曝光結(jié)晶化部3a的情況下，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整蝕刻液的濃度，從而在貫通孔3的深度方向上使離玻璃基板2的下開口部的邊緣近的部分比遠的部分較多地溶化。由此，以貫通孔3的孔徑從深度方向的中心部朝向上下的開口部緩緩變大的方式形成貫通孔3。如果這樣形成貫通孔3，則在上述鉻層7a以及銅層7b的濺射時，如圖4所示，貫通孔3的下開口部側(cè)的側(cè)壁面以相對于貫通孔3的中心軸(點劃線)傾斜成喇叭狀的狀態(tài)配置。因此，通過濺射從貫通孔3的下開口部進入到貫通孔3內(nèi)的濺射原子容易附著于貫通孔3的側(cè)壁面。貫通孔3的深度方向上的電鍍基底層7的形成范圍例如設(shè)為貫通孔3的深度尺寸(玻璃基板2的厚度尺寸)的至少I / 20以上，更優(yōu)選I / 10以上，進而優(yōu)選I / 5 I / 2左右的范圍，以該范圍利用電鍍基底層7覆蓋貫通孔3的側(cè)壁面即可。此外，在圖4中，為了避免附圖變得復(fù)雜，省略對包圍貫通孔3的孔內(nèi)的側(cè)壁面進行粗化后的模樣，實際上，如圖2 (C)所示，被粗化而形成有錨定部。(2)開口部閉塞工序開口部閉塞工序是，通過電解電鍍在玻璃基板2的下表面?zhèn)刃纬山饘俚牡贗電鍍層4a，從而通過第I電鍍層4a將貫通孔3的下開口部閉塞的工序。在該工序中，如圖3(B)所示，在玻璃基板2的下表面，使第I電鍍層4a從電鍍基底層7的表面開始生長，并且在貫通孔3的內(nèi)部，也使第I電鍍層4a從電鍍基底層7的表面開始生長，從而通過第I電鍍層4a來閉塞貫通孔3的下開口部。在本實施方式中，通過銅的電解電鍍來形成第I電鍍層4a。在開口部閉塞工序的電解電鍍中，例如，在加入有作為電鍍液的硫酸銅水溶液的電鍍浴中，將銅板作為陽極，將玻璃基板2的電鍍基底層7作為陰極，分別配置。此時，為了從形成有電鍍基底層7的玻璃基板2的下表面?zhèn)?第I面?zhèn)?開始進行電解電鍍，使玻璃基板2的下表面?zhèn)扰c陽極(銅板)對置。在該狀態(tài)下，在陽極與陰極連接直流電源來施加規(guī)定的電壓，從而使得在電鍍基底層7的表面析出銅。第I電鍍層4a的形成也取決于貫通孔3的孔徑，在比通常的電流密度更高的電流密度的條件下(例如，IA / dm2 5A / dm2左右)進行。另外，該電流密度也取決于電鍍浴的pH、銅離子濃度，所以要適當(dāng)?shù)卦O(shè)定該值。一般地，在電鍍液濃度高的情況下與低的情況相比，能夠設(shè)定為更高電流密度。通過在這樣的電流密度條件下進行電解電鍍，從而能夠利用第I電鍍層4a來閉塞貫通孔3的下開口部。此時，使通過電解電鍍而層疊于電鍍基底層7上的第I電鍍層4a的一部分攀到貫通孔3的側(cè)壁面，生長到比電鍍基底層7更靠貫通孔3的里側(cè)。另外，貫通孔3內(nèi)的第I電鍍層4a的表面成為在貫通孔3的中心部分凹陷成剖面近似U字狀的形狀。( 3)孔內(nèi)金屬填充工序孔內(nèi)金屬填充工序是通過從玻璃基板2的上表面?zhèn)鹊碾娊怆婂兌谪炌?內(nèi)堆積金屬的第2電鍍層4b，從而利用金屬填充貫通孔3的工序。這里所描述的“從玻璃基板2的上表面?zhèn)鹊碾娊怆婂儭笔侵?，玻璃基?的上表面以及下表面中、在玻璃基板2的上表面?zhèn)扰c此對置地配置陽極來進行的電解電鍍。另外，“利用金屬填充貫通孔3”是指，在前述的開口部閉塞工序中在利用第I電鍍層4a閉塞了貫通孔3的下開口部的情況下，利用金屬填滿在貫通孔3內(nèi)未被第I電鍍層4a填充的部分(未填充部分)。在孔內(nèi)金屬填充工序中，如圖3 (C)所示，在貫通孔3的內(nèi)部，使第2電鍍層4b從第I電鍍層4a的表面朝向貫通孔3的上開口部生長，從而利用金屬填充貫通孔3。在本實施方式中，與上述的第I電鍍層4a相同，通過銅的電解電鍍在貫通孔3內(nèi)形成第2電鍍層4b。該情況下，在貫通孔3的內(nèi)部存在構(gòu)成第I電鍍層4a以及第2電鍍層4b的銅和構(gòu)成電鍍基底層7 (鉻層7a、銅層7b)的鉻以及銅，貫通孔3被這些金屬填充。在孔內(nèi)金屬填充工序的電解電鍍中，例如，在加入作為電鍍液的硫酸銅水溶液的電鍍浴中，將銅板作為陽極，將玻璃基板2的第I電鍍層4a作為陰極，分別配置。此時，為了從未形成有第I電鍍層4a的玻璃基板2的上表面?zhèn)?第2面?zhèn)?開始進行電解電鍍，使玻璃基板2的上表面?zhèn)扰c陽極(銅板)對置。在該狀態(tài)下，在陽極與陰極連接直流電源來施加規(guī)定的電壓，從而使得在第I電鍍層4a的表面析出銅。由此，利用之前形成在貫通孔3內(nèi)的電鍍基底層7以及第I電鍍層4a、與層疊于第I電鍍層4a上的第2電鍍層4b填充貫通孔3。該電解電鍍在比較低的電流密度的條件下(例如，0. 2A / dm2 0. 8A / dm2左右)進行。在本工序中，在比在上述開口部閉塞工序的電解電鍍中適用的電流密度低的條件下(例如，0.5A / dm2通行。另外，在該電解電鍍時，也能夠使用所謂的脈沖電鍍法。脈沖電鍍法 在抑制貫通孔3內(nèi)的電鍍金屬的堆積速度的偏差這一點上很有效。另外，施加電壓設(shè)定為 氫過電壓以下這一點很重要。因為在貫通孔3的形狀是高縱橫比的情況下，去除產(chǎn)生的氫 氣泡非常困難。
通過在這樣的條件下進行電解電鍍，電鍍浴中的銅離子從貫通孔3的上開口部進 入貫通孔3內(nèi)，在第I電鍍層4a的表面析出。因此，在貫通孔3內(nèi)，第2電鍍層4b從之前 形成的第I電鍍層4a的表面朝向上開口部生長，從而貫通孔3被緩緩地填充。而且，若第2 電鍍層4b的表面到達貫通孔3的上開口部，則成為貫通孔3被完全填充的狀態(tài)。此處，為 了可靠地進行通過第2電鍍層4b的生長而填充貫通孔3，如圖5 (A)所示，進行電解電鍍， 直至第2電鍍層4b的表面突出于玻璃基板2的上表面?zhèn)取?br> ( 4 )基板面露出工序
基板面露出工序是，從玻璃基板2的下表面去除第I電鍍層4a以及電鍍基底層7 來使玻璃基板2的下表面露出的工序。在該工序中，對比圖5 (A)與圖5 (B)可知，去除覆 蓋玻璃基板2的下表面的第I電鍍層4a以及電鍍基底層7，并且使向玻璃基板2的上表面 側(cè)突出的第2電鍍層4b凹陷。
在基板面露出工序中，使用適于作為去除的對象的膜的構(gòu)成材料的藥液進行蝕刻 處理。在本實施方式中，改變藥液進行2次蝕刻處理。首先，在第一次的蝕刻處理中，例如 使用以氯化鐵為主成分的藥液，通過蝕刻去除(溶解)構(gòu)成第I電鍍層4a的銅、構(gòu)成電鍍基 底層7的銅層7b的銅。另外，在第一次的蝕刻處理中，通過蝕刻去除構(gòu)成第2電鍍層4b的 銅。接下來，在第二次的蝕刻處理中，例如使用以鐵氰化鉀為主成分的藥液，通過蝕刻去除 構(gòu)成電鍍基底層7的鉻層7a的鉻。
順便說一下，在第一次的蝕刻處理中，通過蝕刻去除銅，直至在玻璃基板2的下表 面?zhèn)嚷冻鲢t膜7b為止，以在貫通孔3內(nèi)，因蝕刻而產(chǎn)生的第I電鍍層4a的后退面Fl停留 于玻璃基板2的去除預(yù)定區(qū)域8 (參照圖3 (A))內(nèi)的方式調(diào)整蝕刻時間等。另外，在玻璃 基板2的上表面?zhèn)龋ㄟ^第一次的蝕刻處理使第2電鍍層4b的表面后退至貫通孔3內(nèi)，以 使第2電鍍層4b的表面不從玻璃基板2的上表面突出。該情況下，也以因蝕刻所產(chǎn)生的第 2電鍍層4b的后退面F2停留于玻璃基板2的去除預(yù)定區(qū)域8 (圖3 (A)參照)內(nèi)的方式調(diào) 整蝕刻時間等。
(5)基板平坦化工序
基板平坦化工序是通過機械加工對玻璃基板2的上表面以及下表面中的至少下 表面進行平坦化的工序。在本實施方式中，通過機械加工對玻璃基板2的兩面(上表面以及 下表面)進行平坦化。具體而言，通過兩面研磨加工對玻璃基板2的上表面以及下表面進 行平坦化，之后，根據(jù)需要，精研磨玻璃基板2的兩面。通過這樣的機械加工，在玻璃基板2 的上表面?zhèn)纫约跋卤砻鎮(zhèn)鹊母鞅韺硬糠謩e對準去除預(yù)定區(qū)域8的邊界位置(圖3 (A)的雙 點劃線表示的位置)去除。其結(jié)果，如圖5 (C)所示，玻璃基板2的兩面被平坦化，并且，填 充到貫通孔3的金屬4的兩端面分別被加工為與玻璃基板2的上表面以及下表面齊整的狀 態(tài)。另外，玻璃基板2的貫通孔3的下開口部成為被電鍍基底層7以及第I電鍍層4a閉塞 的狀態(tài)。該情況下，成為在貫通孔3的內(nèi)部，殘留有構(gòu)成電鍍基底層7的銅以及鉻、與構(gòu)成 電鍍層4a、4b的銅的狀態(tài)。而且，成為這些金屬被填充到貫通孔3的狀態(tài)。由此，如上述圖I所示，得到在貫通孔3填充有金屬4的構(gòu)造的玻璃基板2。
此外，如果在基板平坦化工序之前先進行基板面露出工序，從玻璃基板2的下表面去除第I電鍍層4a以及電鍍基底層7來使玻璃基板2的下表面露出，則在進行基板平坦化工序時，玻璃基板2的上表面以及下表面都成為以玻璃這樣的相同(共用)的材料而露出的面。因此，在基板平坦化工序中，能夠利用兩面研磨加工進行通過機械加工進行的玻璃基板2的平坦化處理。由此，能夠同時對玻璃基板2兩面進行平坦化處理。因此，與對玻璃基板2 —面一面進行平坦化處理的情況相比，能夠?qū)⒒逯圃斐杀疽种茷檩^低。順便說一下， 玻璃基板2的上表面和下表面以相互不同的材料而露出的情況下,兩面研磨加工的適用較困難，所以需要一面一面對玻璃基板2進行平坦化處理。
這樣，在貫通孔填充工序中，首先對錨定部填充金屬材料。而且，以與填充到錨定部的金屬材料連續(xù)的方式進一步填充金屬材料。由此，填充到貫通孔3內(nèi)的金屬材料因向該貫通孔3的側(cè)壁面形成的錨定部而粘著強度提高，所以貫通孔3部分的氣密性(氣體阻隔性等)提高，能夠防止氣體的泄漏。
另外，在電鍍基底層形成工序中，至進入到比玻璃基板2的去除預(yù)定區(qū)域8更靠貫通孔3的里側(cè)的位置形成有電鍍基底層7。因此，在基板平坦化工序中，即使在通過機械加工去除玻璃基板2的下表面?zhèn)鹊谋韺硬恐?，也成為貫通?的下開口部被電鍍基底層7 以及第I電鍍層4a閉塞的狀態(tài)。在所述的狀態(tài)下，通過由電鍍基底層7帶來的粘著力強化作用，成為第I電鍍層4a經(jīng)由電鍍基底層7而穩(wěn)固地粘著在貫通孔3的側(cè)壁面的狀態(tài)。因此，與適用在基板平坦化工序后在貫通孔3內(nèi)不殘留電鍍基底層7的制造條件的情況相比， 貫通孔3與將此填充的金屬4的粘著性提高。因此，能夠進一步使填充有金屬4的貫通孔 3部分的氣密性(氣體阻隔性等)提高。
(2 - 5.布線圖案形成工序)
布線圖案形成工序是在玻璃基板2的上表面以及下表面中的至少一方形成布線圖案6的工序。布線圖案形成工序中包括粘著層形成工序、布線層形成工序以及圖案形成工序。以下，對各工序進行說明。
(粘著層形成工序)
在粘著層形成工序中，如圖6 (A)所示，對玻璃基板2的各面通過濺射法形成粘著層5。在本實施方式中，以依次層疊鉻層5a、鉻銅層5b以及銅層5c而得到的3層構(gòu)造形成粘著層5。對于構(gòu)成粘著層5的各金屬層而言，若考慮在通過后述的蝕刻形成布線圖案6時所產(chǎn)生的側(cè)面蝕刻量，則優(yōu)先形成為極薄。但是，若粘著層5的各金屬層的厚度過薄，則有可能通過為了布線層的圖案形成而進行的處理來去除粘著層5。因此，例如，如上述，在以3 層構(gòu)造形成粘著層5的情況下，優(yōu)選將鉻層5a的厚度設(shè)為O. 04 μ m O.1 μ m左右，將鉻銅層5b的厚度設(shè)為O. 04 μ m O.1 μ m左右,將銅層5c的厚度設(shè)為O. 5μηι 1.5μηι左右。 由此，粘著層5的厚度合計被抑制為2μπι以下。
(布線層形成工序)
在布線層形成工序中，如圖6 (B)所示，對玻璃基板2的各面以覆蓋之前形成的粘著層5的狀態(tài)形成布線層6a。利用電解電鍍進行布線層6a的形成。該布線層6a與上述的粘著層5相同，優(yōu)選考慮側(cè)面蝕刻量形成為極薄?？墒?，若布線層6a過薄，則因使用環(huán)境而使玻璃基板2的溫度變化反復(fù)的情況下，因布線層6a的熱膨脹系數(shù)與玻璃基板2的熱膨脹系數(shù)的差，有可能在布線圖案產(chǎn)生金屬疲勞。因此，為了確保針對金屬疲勞的布線圖案的連接的可靠性，布線層6a需要具有適當(dāng)?shù)暮穸?。具體而言，優(yōu)選將布線層6a的厚度設(shè)為Ιμπι 20μπι左右，進而優(yōu)選設(shè)為4μπι 7μπι左右。在布線層6a的厚度低于Ιμπι的情況下，因上述金屬疲勞而產(chǎn)生布線的斷線的危險性變高。另外，在布線層6a的厚度高于 20 μ m的情況下，滿足布線圖案的微細化的要求較難。
(圖案形成工序)
在圖案形成工序中，如圖6 (C)所示，在玻璃基板2的各面上通過光刻法與蝕刻對粘著層5以及布線層6a進行圖案形成，形成布線圖案6。具體而言，在利用未圖示的抗蝕層覆蓋玻璃基板2的布線層6a后，通過對該抗蝕層進行曝光、顯影，從而形成抗蝕圖案。由此，成為玻璃基板2的布線層6a的一部分(作為布線圖案剩余的部分)被抗蝕圖案覆蓋的狀態(tài)。接下來，將抗蝕圖案作為掩膜，通過蝕刻去除布線層6a以及粘著層5的露出部分。由此，得到具有與抗蝕圖案相同的圖案形狀的布線圖案6。此處所使用的抗蝕劑可以是液狀抗蝕劑、干膜抗蝕劑、電沉積抗蝕劑。另外，作為抗蝕劑類型，可以為正型以及負型的任意一種。一般地，與負型抗蝕劑相比，正型抗蝕劑的分辨率較高。因此，在形成微細的布線圖案這一方面，正型抗蝕劑更適合。
<3.本實施方式的效果>
根據(jù)本實施方式說明的基板制造方法、布線基板的制造方法、玻璃基板以及布線基板，得到以下那樣的效果。
(第I效果)
根據(jù)本實施方式，通過選擇性地對處于形成在結(jié)晶化的玻璃基板2的貫通孔3的包圍孔內(nèi)的側(cè)壁附近的硅氧化物進行蝕刻來形成錨定部。而且，在形成錨定部后，將金屬材料填充至貫通孔3的孔內(nèi)。因此，能夠制造包圍貫通孔3的孔內(nèi)的側(cè)壁與填充到貫通孔3 的孔內(nèi)的金屬材料的氣密性提高，防止氣體的泄漏的玻璃基板2。
(第2效果)
根據(jù)本實施方式，通過以規(guī)定的比率混合酸性氟化銨與強酸性銨鹽而成的蝕刻液進行蝕刻，所以將結(jié)晶化的玻璃基板2的硅氧化物，特別是石英玻璃作為目標，進行粗化。 由此，與僅使形成在玻璃基板2的貫通孔3的側(cè)壁面變粗糙的粗化不同，形成從表面深入的蝕刻痕，所以能夠形成粘著強度非常高的錨定部。特別是，作為強酸性銨鹽，選擇硫酸銨能夠進一步提高上述的效果。
(第3效果)
根據(jù)本實施方式，利用由上述的一系列的工序組成的基板制造方法來構(gòu)成布線基板的制造方法。因此，通過該制造方法得到的布線基板I中，包圍貫通孔3的孔內(nèi)的側(cè)壁與填充到貫通孔3的孔內(nèi)的金屬材的氣密性提高，所以防止氣體的泄漏，例如，對玻璃基板2 的表面和背面層疊金屬層的情況下等，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的層疊。
(第4效果)
根據(jù)本實施方式，在結(jié)晶化的玻璃基板2中，處于包圍形成的貫通孔3的孔內(nèi)的側(cè)壁附近的硅氧化物被部分去除，從而形成錨定部。而且，在形成有錨定部的貫通孔3的孔內(nèi)填充有金屬材料。因此，對于玻璃基板2而言，能夠提高包圍貫通孔3的孔內(nèi)的側(cè)壁與填充到貫通孔3的孔內(nèi)的金屬材的氣密性，防止氣體的泄漏。其中，優(yōu)選錨定部選擇性地蝕刻硅氧化物來形成。
(第5效果)
根據(jù)本實施方式，包圍形成在構(gòu)成布線基板I的玻璃基板2的貫通孔3的孔內(nèi)的 側(cè)壁與填充到貫通孔3的孔內(nèi)的金屬材料的氣密性提高，所以在布線基板I防止氣體的泄 漏。因此，能夠得到例如對玻璃基板2的表面和背面良好地層疊金屬層的布線基板。
<4.變形例等>
此外，本發(fā)明的技術(shù)范圍并未限定為上述的實施方式，在導(dǎo)出根據(jù)發(fā)明的構(gòu)成要 件、其組合得到的特定的效果的范圍內(nèi)，也包括加入各種的變更、改進的方式。
例如，在本實施方式中，對布線基板的制造方法進行了說明，但本發(fā)明并不限定于 此，也能夠作為以布線基板以外的用途所利用的基板制造方法實施。另外，在本實施方式 中，也包括玻璃基板、布線基板。
另外，在上述實施方式中，作為玻璃基板2，使用了具有感光性的玻璃基板，但也可 以使用不具有感光性的其他玻璃基板。該情況下，在貫通孔形成工序中，能夠通過光刻法以 外的方法，例如激光加工法在玻璃基板2形成貫通孔3。
圖7是表示作為本發(fā)明的變形例所表示的布線基板10的構(gòu)成的剖視圖。
如圖7所示，也可以在結(jié)晶化的玻璃基板2的上表面、下表面形成形成在貫通孔3 的孔內(nèi)的側(cè)壁面的錨定部。由此，能夠使結(jié)晶化的玻璃基板2的上表面、下表面發(fā)揮錨定效 果，所以能夠直接對玻璃基板2層疊與玻璃基板2的粘著力弱的、例如由銅等構(gòu)成的金屬材 料，作為布線圖案16。
在直接層疊在玻璃基板2的第I面、第2面的狀態(tài)下形成布線圖案16。玻璃基板 2的第I面、第2面在層疊布線圖案16前的階段，通過蝕刻表面而被粗化。由此，玻璃基板 2的第I面、第2面與布線圖案16的粘著力被強化。因此，能夠直接在粘著力弱的玻璃基板 2的第I面、第2面層疊布線圖案16。對玻璃基板2的第I面實施的粗化處理與上述的蝕 刻工序(側(cè)壁面粗化工序)完全相同。
由此，在圖1、圖6 (C)中，不需要形成布線圖案6所需的粘著層5，所以能夠以極 低的成本制造布線基板10。
權(quán)利要求
1.一種基板制造方法，是制造與使用含有硅氧化物的玻璃形成的玻璃基板的表面和背面連通的貫通孔的孔內(nèi)填充有金屬材料的基板的基板制造方法，其特征在于，具備在填充所述金屬材料前，通過選擇性地蝕刻處于包圍所述貫通孔的孔內(nèi)的側(cè)壁附近的硅氧化物而形成錨定部的蝕刻工序；在所述蝕刻工序后，在所述貫通孔的孔內(nèi)填充金屬材料的填充工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制造方法，其特征在于，所述玻璃是結(jié)晶化玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的基板制造方法，其特征在于，在所述蝕刻工序中，使用酸性氟化銨與強酸性銨鹽的混合液作為蝕刻液。
4.一種布線基板的制造方法，其特征在于，通過權(quán)利要求1或者2所述的基板制造方法，制造出玻璃基板的貫通孔的孔內(nèi)填充有金屬材料的基板后，在該玻璃基板的一面?zhèn)扰c另一面?zhèn)戎械闹辽僖环叫纬刹季€圖案。
5.一種玻璃基板，是與使用含有硅氧化物的玻璃形成的基板的表面和背面連通的貫通孔的孔內(nèi)填充有金屬材料的玻璃基板，其特征在于，在包圍所述貫通孔的孔內(nèi)的側(cè)壁形成有錨定部，所述填充的金屬進入該錨定部的凹凸的至少一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的玻璃基板，其特征在于，所述玻璃是結(jié)晶化玻璃。
7.—種布線基板,其特征在于，在權(quán)利要求5或者6所述的玻璃基板的一面?zhèn)扰c另一面?zhèn)戎械闹辽僖环叫纬捎胁季€圖
全文摘要
本發(fā)明涉及基板制造方法、布線基板的制造方法、玻璃基板以及布線基板。一種與使用含有硅氧化物的玻璃形成的玻璃基板(2)的表面和背面連通的貫通孔(3)的孔內(nèi)填充有金屬材料的基板，通過在填充金屬材料前，選擇性地蝕刻包圍貫通孔(3)的孔內(nèi)的側(cè)壁的硅氧化物，而形成錨定部，并在形成錨定部后，在貫通孔(3)的孔內(nèi)填充金屬材料而實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明，能夠提高包圍形成在玻璃基板的貫通孔的孔內(nèi)的側(cè)壁與填充到貫通孔的孔內(nèi)的金屬材料的氣密性，防止氣體的泄漏。
文檔編號H05K3/40GK103025083SQ20121035317
公開日2013年4月3日 申請日期2012年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者伏江隆, 菊地肇 申請人:Hoya株式會社