專利名稱：多層配線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多層配線基板。更具體地，本發(fā)明的某些實(shí)施方式涉及包括導(dǎo)電性焊盤(pán)的多層配線基板，該導(dǎo)電性焊盤(pán)具有位于其下部的柱狀部和位于其上部的凸部。
背景技術(shù)：
多層配線基板通常用作安裝電子元件的封裝件。在多層配線基板中，通過(guò)在芯板 的每側(cè)上以ー個(gè)設(shè)置在另ー個(gè)頂部的方式堆疊樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體層形成積層(build-uplayer)。在多層配線基板中，芯板由例如包含玻璃纖維的樹(shù)脂制造，并通過(guò)其高剛性起到增強(qiáng)積層的作用。然而，由于芯板形成得厚，芯板妨礙多層配線基板的小型化。另外，由于必須在芯板中設(shè)置用于使積層電氣互連的通孔導(dǎo)體，線長(zhǎng)必然變得較長(zhǎng)，這繼而可能導(dǎo)致高頻信號(hào)傳輸性能的劣化。因此，最近開(kāi)發(fā)了一種所謂的無(wú)芯多層配線基板，該配線基板不設(shè)置芯板，并具有適合小型化和能夠增強(qiáng)高頻信號(hào)傳輸性能的結(jié)構(gòu)(日本特開(kāi)2009-289848號(hào)公報(bào)和2007-214427號(hào)公報(bào))。關(guān)于這種無(wú)芯多層配線基板，在表面由例如剝離片覆蓋的支撐體上形成積層，其中剝離片通過(guò)以ー個(gè)設(shè)置在另ー個(gè)頂部的方式層疊兩個(gè)可剝離的金屬膜而制造。隨后，沿著剝離片的剝離界面從支撐體上剝離積層，制造預(yù)期的多層配線基板。同時(shí)，位于多層配線基板的半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域并預(yù)期通過(guò)倒裝芯片接合連接到半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電性焊盤(pán)形成在位于最頂端的抗蝕劑層下方，以通過(guò)抗蝕劑層中的開(kāi)ロ暴露。另外，在一些情況下，以從抗蝕劑層的表面突出的方式形成導(dǎo)電性焊盤(pán)(日本特開(kāi)
2009-212140號(hào)公報(bào))。在這種情況下，導(dǎo)電性焊盤(pán)通常形成為矩形形狀。當(dāng)試圖向具有這種形狀的導(dǎo)電性焊盤(pán)供給焊料以由此形成焊料層(solder layer)并且借助于倒裝芯片結(jié)合而將多層配線基板安裝到半導(dǎo)體元件時(shí)，應(yīng)カ集中在各導(dǎo)電性焊盤(pán)的尖鋭的邊緣。結(jié)果，導(dǎo)電性焊盤(pán)開(kāi)裂，這可能引起與半導(dǎo)體元件的連接不良，或者對(duì)導(dǎo)電性焊盤(pán)造成損傷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式的目的涉及ー種多層配線基板，其包括由一個(gè)位于另ー個(gè)之上地層疊的導(dǎo)體層和樹(shù)脂絕緣層構(gòu)成的積層；以從樹(shù)脂絕緣層的表面突出的方式形成于至少ー個(gè)樹(shù)脂絕緣層的表面的導(dǎo)電性焊盤(pán)；以及形成于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的上表面的焊料層。本發(fā)明g在防止應(yīng)カ集中于導(dǎo)電性焊盤(pán)，從而防止與半導(dǎo)體元件的連接不良的發(fā)生，并且防止對(duì)導(dǎo)電性焊盤(pán)造成損傷。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施方式涉及ー種多層配線基板，其包括積層，其包括交替地層疊的導(dǎo)體層和樹(shù)脂絕緣層；以及導(dǎo)電性焊盤(pán)，其形成為從所述樹(shù)脂絕緣層的表面突出并且具有位于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的下部的柱狀部和位于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的上部的凸部，其中，所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的凸部的表面形成為連續(xù)的曲面。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，從樹(shù)脂絕緣層的表面突出的導(dǎo)電性焊盤(pán)由位于導(dǎo)電性焊盤(pán)的下部處或位于導(dǎo)電性焊盤(pán)的下部?jī)?nèi)的柱狀部和位于導(dǎo)電性焊盤(pán)的上部處或位于導(dǎo)電性焊盤(pán)的上部?jī)?nèi)且具有連續(xù)的曲面的凸部形成。因此，導(dǎo)電性焊盤(pán)不具有在現(xiàn)有技術(shù)的導(dǎo)電性焊盤(pán)中發(fā)現(xiàn)的尖鋭的邊緣。即使在將焊料供給到導(dǎo)電性焊盤(pán)以將多層配線基板倒裝芯片結(jié)合到半導(dǎo)體元件時(shí)，應(yīng)カ也不會(huì)集中于導(dǎo)電性焊盤(pán)。因此，能夠防止與半導(dǎo)體元件的連接不良的發(fā)生并且能夠防止對(duì)導(dǎo)電性焊盤(pán)造成損傷。

即使在導(dǎo)電性焊盤(pán)僅由具有連續(xù)的彎曲形狀(連續(xù)的曲面)的凸部形成時(shí)，導(dǎo)電性焊盤(pán)也不具有尖鋭的邊緣，可以期望如上所述的提高的加工效果。然而，當(dāng)凸部的端部的厚度變小吋，應(yīng)カ會(huì)集中在具有最小厚度的端部處。結(jié)果，如現(xiàn)有技術(shù)中那樣，可能發(fā)生與半導(dǎo)體元件的連接不良或者對(duì)導(dǎo)電性焊盤(pán)造成損傷。然而，只要導(dǎo)電性焊盤(pán)以如上方式由位于下部的柱狀部和位于上部的凸部形成，就能夠防止否則會(huì)由于在下部不存在柱狀部而引起的各凸部的端部的厚度減小。因此，上述缺點(diǎn)不會(huì)發(fā)生。在多層配線基板和半導(dǎo)體元件借助于倒裝芯片結(jié)合通過(guò)均具有上述構(gòu)造的導(dǎo)電性焊盤(pán)而安裝在一起的情況下，優(yōu)選地，形成覆蓋整個(gè)導(dǎo)電性焊盤(pán)的焊料層。在這種情況下，能夠?qū)⒆銐蛄康暮噶瞎┑綄?dǎo)電性焊盤(pán)。因而，多層配線基板能夠以更可靠的方式被倒裝芯片結(jié)合到半導(dǎo)體元件。具體地，本發(fā)明的某些實(shí)施方式還包括覆蓋整個(gè)導(dǎo)電性焊盤(pán)的焊料層。而且，在本發(fā)明的進(jìn)ー步的實(shí)施方式中，多層配線基板還包括阻擋金屬層，所述阻擋金屬層以覆蓋整個(gè)所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的方式形成于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)和所述焊料層之間，其中，所述焊料層覆蓋所述導(dǎo)電性焊盤(pán)和覆蓋了整個(gè)所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的所述阻擋金屬層，并且形成于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的位于所述樹(shù)脂絕緣層上的側(cè)端面的阻擋金屬層的涂覆厚度大于形成于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的比所述側(cè)端面高的位置的表面的阻擋金屬層的涂覆厚度。當(dāng)然，關(guān)于該進(jìn)ー步的實(shí)施方式，在某些情況下，形成于導(dǎo)電性焊盤(pán)的側(cè)端面的阻擋金屬層的涂覆厚度不必大于形成于導(dǎo)電性焊盤(pán)的表面的阻擋金屬層的涂覆厚度。本發(fā)明的進(jìn)ー步的實(shí)施方式可以包括多層配線基板，其中，所述焊料層僅形成于所述阻擋金屬層而不與所述樹(shù)脂絕緣層接觸。如上所述，當(dāng)焊料層形成為覆蓋整個(gè)導(dǎo)電性焊盤(pán)時(shí)，焊料層與樹(shù)脂絕緣層之間的粘附性、特別是焊料層與抗蝕劑層之間的粘附性常常相當(dāng)?shù)?。因此，在將多層配線基板倒裝芯片結(jié)合到半導(dǎo)體元件之前和之后，在焊料層與樹(shù)脂絕緣層之間可能發(fā)生剝離，這可能引起與半導(dǎo)體元件的連接不良等。然而，如上所述，當(dāng)阻擋金屬層形成于導(dǎo)電性焊盤(pán)與焊料層之間時(shí)，阻擋金屬層與樹(shù)脂絕緣層之間的粘附性比焊料層與樹(shù)脂絕緣層之間的粘附性強(qiáng)得多。形成于各導(dǎo)電性焊盤(pán)的位于樹(shù)脂絕緣層上的側(cè)端面的阻擋金屬層的涂覆厚度大于形成于導(dǎo)電性焊盤(pán)的比所述側(cè)端面高的位置的表面的阻擋金屬層的涂覆厚度。因此，前述粘附性的增強(qiáng)更加顯著。因此，在將多層配線基板倒裝芯片結(jié)合到半導(dǎo)體元件之前和之后，在阻擋金屬層與樹(shù)脂絕緣層之間很少或者不會(huì)發(fā)生剝離。結(jié)果，焊料層與樹(shù)脂絕緣層之間的剝離也被最小化或者減小。為此，能夠防止與半導(dǎo)體元件的連接不良等的發(fā)生。只要焊料層僅形成于阻擋金屬層而不與樹(shù)脂絕緣層接觸，就能夠防止例如焊料層的保持與樹(shù)脂絕緣層接觸的端部的局部剝離。如上所述，利用如下的多層配線基板，本發(fā)明的實(shí)施方式可以防止應(yīng)カ集中于導(dǎo)電性焊盤(pán)，能夠防止與半導(dǎo)體元件的連接不良的發(fā)生，并且能夠防止對(duì)導(dǎo)電性焊盤(pán)造成損傷。所述多層配線基板包括由一個(gè)位于另ー個(gè)之上地層疊的導(dǎo)體層和樹(shù)脂絕緣層構(gòu)成的積層；以從樹(shù)脂絕緣層的表面突出的方式形成于至少一個(gè)樹(shù)脂絕緣層的表面的導(dǎo)電性焊 盤(pán)；以及形成于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的上表面的焊料層。


參考如下附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示意性方面，其中圖I是本發(fā)明第一實(shí)施方式的多層配線基板的平面圖；圖2是本發(fā)明第一實(shí)施方式的多層配線基板的平面圖；圖3是顯示了圖I和圖2中示出的多層配線基板的沿著I-I線截取的部分放大截面圖；圖4是顯示了圖3中示出的導(dǎo)電性焊盤(pán)的附近的放大截面圖；圖5顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式；圖6顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式；圖7顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式；圖8顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式；圖9顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式；圖10顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式；圖11顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式；圖12顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式；圖13顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式；圖14顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實(shí)施方式。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，在下文中參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方式。多層配線基板圖I和圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的多層配線基板的平面圖。圖I示出了從上方觀察時(shí)多層配線基板的狀態(tài)。圖2示出了從下方觀察時(shí)多層配線基板的狀態(tài)。圖3是以放大的方式顯示了圖I和圖2中示出的多層配線基板的沿著I-I線截取的部分截面圖。圖4是示出圖3中示出的導(dǎo)電性焊盤(pán)的附近的放大截面圖。下面將描述的多層配線基板是說(shuō)明本發(fā)明的某些特征的示例性實(shí)施方式。只要該多層配線基板包括由導(dǎo)體層和樹(shù)脂絕緣層以一個(gè)位于另ー個(gè)之上的方式彼此疊置而制成的積層和以從樹(shù)脂絕緣層的表面突出的方式形成于樹(shù)脂絕緣層的表面的導(dǎo)電性焊盤(pán)，每個(gè)導(dǎo)電性焊盤(pán)均具有位于下部的柱狀部和位于上部的凸部，并且只要各導(dǎo)電性焊盤(pán)的凸部的表面呈連續(xù)的曲面形狀，就不對(duì)多層配線基板強(qiáng)加特定的限制。在圖I至圖3中示出的多層配線基板10中，第一樹(shù)脂絕緣層21和第二樹(shù)脂絕緣層22以及第一導(dǎo)體層31和第二導(dǎo)體層32以ー個(gè)位于另ー個(gè)之上的方式堆疊成相應(yīng)的預(yù)定圖案，其中，第一樹(shù)脂絕緣層21和第二樹(shù)脂絕緣層22由在需要時(shí)包括ニ氧化硅填料(silicafiller)的熱固性樹(shù)脂組合物形成，第一導(dǎo)體層31和第二導(dǎo)體層32由諸如銅等電導(dǎo)體形成。第一抗蝕劑層41形成在第一樹(shù)脂絕緣層21上，該第一抗蝕劑層41包括開(kāi)ロ 41A并且由例如環(huán)氧樹(shù)脂基抗蝕材料形成。第二抗蝕劑層42形成在第二樹(shù)脂絕緣層22上，該第二抗蝕劑層42包括開(kāi)ロ或通路孔(via hole)42A并且由例如環(huán)氧樹(shù)脂基抗蝕材料形成。至少由第一抗蝕劑層41、第一樹(shù)脂絕緣層21、第一導(dǎo)體層31、第二樹(shù)脂絕緣層22、第二導(dǎo)體層32和第二抗蝕劑層42以ー個(gè)設(shè)置在另ー個(gè)頂部的方式堆疊，從而構(gòu)成積層。 開(kāi)ロ，即通路孔21A和22A分別以在厚度方向上貫穿相應(yīng)的樹(shù)脂絕緣層的方式分別形成在第一樹(shù)脂絕緣層21和第二樹(shù)脂絕緣層22中。另外，通路導(dǎo)體51、52形成為掩埋通路孔21A和22A。通路導(dǎo)體52將第一導(dǎo)體層31電連接于第二導(dǎo)體層32。在繪出的實(shí)施方式中，第一導(dǎo)體層31的與各個(gè)通路導(dǎo)體51保持電接觸的區(qū)域311構(gòu)成通路連接區(qū)(via land)。第一導(dǎo)體層31的與通路導(dǎo)體51不保持電接觸的區(qū)域312構(gòu)成互連層。同樣地，第二導(dǎo)體層32的與通路導(dǎo)體52保持電接觸的區(qū)域321構(gòu)成通路連接區(qū)，第二導(dǎo)體層32的與通路導(dǎo)體52不保持電接觸的區(qū)域322構(gòu)成互連層。形成在第一樹(shù)脂絕緣層21上的第一導(dǎo)電性焊盤(pán)61通過(guò)第一抗蝕劑層41的各個(gè)開(kāi)ロ 41A保持暴露。第一導(dǎo)體層31和第一導(dǎo)電性焊盤(pán)61通過(guò)通路導(dǎo)體51電連接。第一導(dǎo)電性焊盤(pán)61用作將多層配線基板10連接于主板的背側(cè)連接區(qū)(例如LGA墊)，并在多層配線基板10的背側(cè)配置為矩形圖案。通路導(dǎo)體53在第二抗蝕劑層42的各個(gè)通路孔42A中以掩埋通路孔42A的方式形成。另外，凸起的第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62形成為從第二抗蝕劑層42的表面突起并從通路導(dǎo)體53延續(xù)。第二導(dǎo)體層32和導(dǎo)電性焊盤(pán)62通過(guò)通路導(dǎo)體53電連接在一起。第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62是用于倒裝芯片連接未圖示的半導(dǎo)體元件的焊盤(pán)(例如FC焊盤(pán))，并構(gòu)成半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域。第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62在多層配線基板10的表面的大致中央配置為矩形圖案。從以上描述明顯看出，第一導(dǎo)電性焊盤(pán)61、第一導(dǎo)體層31、第二導(dǎo)體層32和第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62在多層配線基板10的厚度方向上通過(guò)通路導(dǎo)體51、52和53電連接在一起。如圖3和圖4所示，各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62均具有位于第二導(dǎo)電性焊盤(pán)的下部的柱狀部(columnar portion) 621和位于第二導(dǎo)電性焊盤(pán)的上部且具有連續(xù)的曲面的凸部622。由Ni/Au鍍膜或類似物形成的阻擋金屬層63形成為覆蓋整個(gè)各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62。此外，由焊料形成的焊料層64被制成為覆蓋阻擋金屬層63，其中，所述焊料幾乎不含Pb，例如是 Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag-Cu 和 Sn-Sb。而且，形成于各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的位于第二抗蝕劑層42上的側(cè)端面62A的阻擋金屬層63的涂覆厚度tl大于形成于第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的比所述側(cè)端面62A高的位置的表面62B的阻擋金屬層63的涂覆厚度t2。此外，焊料層64形成為僅覆蓋阻擋金屬層63而不與第二抗蝕劑層42接觸。多層配線基板10可以形成為例如200_X200_X0. 8mm的尺寸。如圖3和圖4所示，第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62形成為從第二抗蝕劑層42的表面突出。各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62均由位于第二導(dǎo)電性焊盤(pán)的下部的柱狀部621和位于第二導(dǎo)電性焊盤(pán)的上部且具有連續(xù)的曲面的凸部622構(gòu)成。因此，由于各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62均不具有尖鋭的邊緣，所以即使在將焊料供給到第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62以借助于倒裝芯片結(jié)合而將多層配線基板10安裝到半導(dǎo)體元件時(shí)，應(yīng)カ也不會(huì)集中于導(dǎo)電性焊盤(pán)。因此，能夠防止與半導(dǎo)體元件的連接不良的發(fā)生并且能夠防止對(duì)第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62造成損傷。即使在各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62均僅由具有連續(xù)的曲面的凸部622構(gòu)成時(shí)，因?yàn)榈诙?dǎo)電性焊盤(pán)62不具有尖鋭的邊緣，所以可以期望與前述相似的加工效果。然而，當(dāng)凸部622的端部的厚度變小時(shí)，應(yīng)カ會(huì)集中在具有較小厚度的端部。結(jié)果，如現(xiàn)有技術(shù)中那樣，可能 發(fā)生與半導(dǎo)體元件的連接不良或者對(duì)第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62造成損傷。然而，在本實(shí)施方式中，各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62均由位于第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的下部的柱狀部621和位于第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的上部的凸部622構(gòu)成。因?yàn)樵诘诙?dǎo)電性焊盤(pán)62的下部存在柱狀部621，凸部622的端部的厚度不會(huì)減小，所以不會(huì)引起上述缺點(diǎn)。在本實(shí)施方式中，由于焊料層64形成為覆蓋整個(gè)各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62，所以足夠量的焊料能夠供給到各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62，由此，多層配線基板10能夠以更可靠的方式倒裝芯片結(jié)合到半導(dǎo)體元件。此外，阻擋金屬層63以覆蓋整個(gè)各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的方式形成在各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62與焊料層64之間。當(dāng)焊料層64形成為覆蓋整個(gè)第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62吋，焊料層64與第二抗蝕劑層42之間的粘附性相當(dāng)?shù)?。因此，在將多層配線基板10倒裝芯片結(jié)合到半導(dǎo)體元件之前和之后在焊料層64與第二抗蝕劑層42之間發(fā)生剝離，這常常引起與半導(dǎo)體元件的連接不良。然而，如上所述，當(dāng)阻擋金屬層63形成于各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62與焊料層64之間吋，阻擋金屬層63與第二抗蝕劑層42之間的粘附性比焊料層64與第二抗蝕劑層42之間的粘附性強(qiáng)得多。而且，形成于各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的位于第二抗蝕劑層42上的側(cè)端面62A的阻擋金屬層63的涂覆厚度tl大于形成于導(dǎo)電性焊盤(pán)62的比所述側(cè)端面62A高的位置的表面62B的阻擋金屬層63的涂覆厚度t2。因而，粘附性的增強(qiáng)變得更顯著。因此，在將多層配線基板10倒裝芯片結(jié)合到半導(dǎo)體元件之前和之后，在阻擋金屬層63與第二抗蝕劑層42之間不會(huì)發(fā)生剝離。結(jié)果，也不會(huì)在焊料層64與第二抗蝕劑層42之間引起剝離。因此，能夠防止與半導(dǎo)體元件的連接不良等的發(fā)生。當(dāng)借助于例如鍍膜技術(shù)等形成阻擋金屬層63吋，前述阻擋金屬層63的厚度控制可以自然而然地完成。例如，當(dāng)借助于鍍膜技術(shù)在各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62上形成阻擋金屬層63時(shí)，各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62具有凸部622，該凸部622具有位于凸部622上的連續(xù)的曲面。因此，通過(guò)鍍膜產(chǎn)生突降(sheer drop)。結(jié)果，如上所述，形成于各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的位于第二抗蝕劑層42上的側(cè)端面62A的阻擋金屬層63的涂覆厚度tl大于形成于第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的比所述側(cè)端面62A高的位置的表面62B的阻擋金屬層63的涂覆厚度t2。在本實(shí)施方式中，焊料層64僅形成于阻擋金屬層63上而不與第二抗蝕劑層42接觸。因而，例如，能夠防止焊料層64的與第二抗蝕劑層42保持接觸的端部的局部剝離。只要能夠產(chǎn)生上述加工效果，就不對(duì)構(gòu)成各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的柱狀部621和凸部622的尺寸強(qiáng)加特定的限制。在用于形成第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的掩膜圖案的開(kāi)ロ部制成為圓形的情況下，鍍覆各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的柱狀部621，由此，柱狀部621能夠形成為預(yù)定的鍍膜。同時(shí)，鍍覆時(shí)，可以借助于控制含在鍍液中的添加劑來(lái)形成相應(yīng)的第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的凸部622。而且，也可以在鍍覆第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62之 后借助于各向異性地蝕刻掩膜圖案或者在蝕刻掉掩膜圖案時(shí)通過(guò)增加蝕刻時(shí)間來(lái)制成凸部622。用于制造多層配線基板的方法現(xiàn)在描述用于制造圖I至圖4所示的多層配線基板10的方法。圖5至圖14示出處于不同制造階段的多層配線基板10的實(shí)施方式的圖。首先，制備如圖5所示的兩側(cè)具有銅箔12的支撐板11。支撐板11可以例如由耐熱樹(shù)脂板(例如，雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂板)和纖維增強(qiáng)樹(shù)脂板(例如，玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂板)或類似物形成。接著，借助于用作粘接層的預(yù)浸潰層(prepreg layer) 13,剝離片14通過(guò)諸如真空熱壓等壓カ接合在位于支撐板11的兩側(cè)的銅箔12上而形成。剝離片14由例如第一金屬膜14a和第二金屬膜14b形成,第一金屬膜14a和第二金屬膜14b之間的空間鍍有Cr或類似物，使得能夠借助于外部張カ使第一金屬膜14a和第ニ金屬膜14b彼此剝離。第一金屬膜14a和第二金屬膜14b可以由銅箔形成。接著，如圖6所示，感光干膜層疊在位于支撐板11的每ー側(cè)的剝離片14上，并經(jīng)受曝光和顯影，借此形成掩模圖案15。在每個(gè)掩模圖案15中形成相當(dāng)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa和外周限定部Po的開(kāi)ロ。如圖7所示，支撐板11的每ー側(cè)的剝離片14均借助于掩模圖案15被蝕刻，借此在相當(dāng)于剝離片14的各個(gè)開(kāi)ロ的位置形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa和外周限定部Po。圖8是從上方觀察的圖7中示出的組件的平面圖。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa在每個(gè)剝離片14中形成為開(kāi)ロ以使得預(yù)浸料層13暴露。另外，外周限定部Po形成為通過(guò)切除每個(gè)剝離片14的邊緣而制成的切ロ，以使得預(yù)浸料層13暴露。在形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa和外周限定部Po之后,蝕刻掉掩膜圖案15。優(yōu)選地，借助于蝕刻，使在去除各掩膜圖案15之后露出的各剝離片14的表面粗糙化。由此能夠增強(qiáng)各剝離片14與后述的樹(shù)脂層之間的粘附性。如圖9所示，樹(shù)脂膜層疊在每個(gè)剝離片14上并在真空中加壓和加熱，從而被固化。由此形成第一樹(shù)脂絕緣層21。相應(yīng)的剝離片14的各表面因此由第一絕緣層21覆蓋。構(gòu)成各個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa的開(kāi)口和構(gòu)成外周限定部Po的切ロ由第一樹(shù)脂絕緣層21填充。在每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa中形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM的結(jié)構(gòu)。外周限定部Po也由第一樹(shù)脂絕緣層21覆蓋。因此，能夠消除以下缺點(diǎn)的發(fā)生。即，在下面描述的通過(guò)剝離片14執(zhí)行剝離操作的過(guò)程中，各個(gè)剝離片14的端面(即端部，外周)從例如相應(yīng)的預(yù)浸料層13脫離(分離，即因此在外周處被提起或卷起)。這將使得難以不失敗地執(zhí)行與剝離過(guò)程有關(guān)的處理，以至于難以制造或不可能制造預(yù)期的多層配線基板10。接著，如圖10所示，第一樹(shù)脂絕緣層21暴露于具有預(yù)定強(qiáng)度并且源自例如C02氣體激光器或YAG激光器的激光束，因而制成通路孔21A。隨后，對(duì)具有通路孔21A的第一樹(shù)脂絕緣層21進(jìn)行粗糙化。當(dāng)?shù)谝粯?shù)脂絕緣層21含有填料吋，如果對(duì)第一樹(shù)脂絕緣層21進(jìn)行粗糙化，填料將游離并留在第一樹(shù)脂絕緣層21上。因此，必要的話，第一樹(shù)脂絕緣層21需要進(jìn)行水洗。然后，通路孔21A經(jīng)受去污處理和輪廓蝕刻，此時(shí)，各通路孔21A的內(nèi)部被沖洗。當(dāng)如上所述地實(shí)施沖洗時(shí)，否則將在去污處理中的水沖洗期間仍殘留在第一樹(shù)脂絕緣層21上的填料能夠被去除?？梢栽跊_洗操作與去污操作之間進(jìn)行吹氣操作。即使游離的填料未被水沖洗完全去除，也能夠借助于吹氣操作實(shí)現(xiàn)填料的去除。隨后，第一樹(shù)脂絕緣層21經(jīng)受圖案鍍覆，從而形成第一導(dǎo)體層31和通路導(dǎo)體51。借助于半添加技術(shù)如下地形成第一導(dǎo)體層21和通路導(dǎo)體51。首先，對(duì)各第一樹(shù)脂絕緣層21進(jìn)行化學(xué)鍍膜。隨后，在化學(xué)鍍膜上形成抗蝕劑層。各第一樹(shù)脂絕緣層21的未形成抗蝕劑層的區(qū)域經(jīng)受電解鍍銅。在形成第一導(dǎo)體層31和通路導(dǎo)體51之后，剝離并且借助于 KOH或類似物去除抗蝕劑層。接著，在各第一導(dǎo)體層31經(jīng)受粗糙化之后，樹(shù)脂膜層疊于各第一樹(shù)脂絕緣層21上，從而覆蓋第一導(dǎo)體層31。由此層疊的膜在真空中被加熱加壓，因而固化。因而形成第二樹(shù)脂絕緣層22。如圖11所示，第二樹(shù)脂絕緣層22暴露于具有預(yù)定強(qiáng)度并且源自例如C02氣體激光器或YAG激光器等的激光束，以制成通路孔22A。隨后，對(duì)具有通路孔22A的第二樹(shù)脂絕緣層22進(jìn)行粗糙化。當(dāng)?shù)诙?shù)脂絕緣層22含有填料吋，如果對(duì)第二樹(shù)脂絕緣層22進(jìn)行粗糙化，填料將游離并且殘留在第二樹(shù)脂絕緣層22上。因此，在需要時(shí)，用水沖洗第二樹(shù)脂絕緣層22。然后，通路孔22A經(jīng)受去污處理和輪廓蝕刻，此時(shí)，各通路孔22A的內(nèi)部被沖洗。當(dāng)如上所述地實(shí)施水沖洗時(shí)，否則將在去污處理中的水沖洗期間殘留在第二樹(shù)脂絕緣層22上的填料能夠被去除?？梢栽跊_洗操作與去污操作之間進(jìn)行吹氣操作。即使游離的填料未被水沖洗完全去除，也能夠借助于吹氣操作實(shí)現(xiàn)填料的去除。隨后，第二樹(shù)脂絕緣層22經(jīng)受圖案鍍覆，以借助于半添加技術(shù)形成第二導(dǎo)體層32和通路導(dǎo)體52，基本上與形成第一導(dǎo)體層31的方式相同。接著，在各第二樹(shù)脂絕緣層22上形成第二抗蝕劑層42。借助于預(yù)定的掩膜使各第ニ抗蝕劑層42經(jīng)受曝光和顯影，由此形成開(kāi)ロ 42A。隨后，如第一導(dǎo)體層31的情況那樣，借助于半添加技術(shù)而形成第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62和通路導(dǎo)體53。由于各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62由柱狀部621和凸部622構(gòu)成，在用于形成第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的掩膜圖案的開(kāi)ロ制成為圓形的情況下，借助于鍍覆第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62，柱狀部621形成為預(yù)定的鍍膜。此外，當(dāng)進(jìn)行鍍膜時(shí)，通過(guò)控制鍍液中含有的添加劑來(lái)形成凸部622。在通過(guò)鍍覆形成第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62之后，也可以通過(guò)進(jìn)行各向異性蝕刻或者通過(guò)增加蝕刻掉掩膜時(shí)的蝕刻時(shí)間來(lái)形成凸部622。如圖12所示，沿著設(shè)定在各外周限定部Po的稍內(nèi)側(cè)的切斷線切斷通過(guò)前述處理制造的積層體(layered product) 10a,由此從積層體IOa去除不想要的外周部。由此限定多層配線基板用的有效區(qū)域。接著，如圖13所示，在參照各外周限定部Po去除不想要的外周部之后，沿著構(gòu)成積層體IOa的剝離片14的第一金屬膜14a和第二金屬膜14b之間剝離界面剝離積層體10a，由此，從積層體IOa去除支撐板11。獲得具有諸如圖13所示的相同結(jié)構(gòu)的積層體10b。隨后，如圖14所示，蝕刻仍然殘留在積層體IOb下側(cè)的剝離片14的第一金屬膜14a，由此形成第一樹(shù)脂絕緣層21上的第一導(dǎo)電性焊盤(pán)61。形成具有開(kāi)ロ 41A的第一抗蝕劑層41，第一導(dǎo)電性焊盤(pán)61經(jīng)由所述開(kāi)ロ露出。此外，隨后，以覆蓋整個(gè)各第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62的方式對(duì)第二導(dǎo)電性焊盤(pán)62進(jìn)行例如化學(xué)鍍Ni和化學(xué)鍍Au，由此形成由Ni/Au鍍膜形成的阻擋金屬層63。以覆蓋阻擋金屬層63的整個(gè)露出區(qū)域的方式形成焊料層64，由此制造諸如圖I至圖4所示的多層配線基板10。在形成例如第一抗蝕劑層41時(shí)，可以將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM用作定位基準(zhǔn)。

在本實(shí)施方式中，在制造多層配線基板10的處理中形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM。然而，不是必然需要對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM。此外，也可以借助于機(jī)械加工(例如鉆孔)剝離片14等手段來(lái)形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM，以替代本實(shí)施方式中的蝕刻剝離片14。雖然已經(jīng)參照具體實(shí)施例詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不僅限于上述具體實(shí)施方式
?？梢栽诓幻撾x本發(fā)明的范圍的情況下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變型或替換。
權(quán)利要求
1.一種多層配線基板,其包括 積層，其包括交替地層疊的導(dǎo)體層和樹(shù)脂絕緣層；以及 導(dǎo)電性焊盤(pán)，其形成為從所述樹(shù)脂絕緣層的表面突出并且具有位于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的下部的柱狀部和位于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的上部的凸部， 其中，所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的凸部的表面形成為連續(xù)的曲面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層配線基板，其特征在于，所述多層配線基板還包括覆蓋整個(gè)所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的焊料層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層配線基板，其特征在于，所述多層配線基板還包括阻擋金屬層，所述阻擋金屬層以覆蓋整個(gè)所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的方式形成于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)和所述焊料層之間， 其中，所述焊料層覆蓋所述導(dǎo)電性焊盤(pán)和覆蓋了整個(gè)所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的所述阻擋金屬層，并且 形成于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的位于所述樹(shù)脂絕緣層上的側(cè)端面的阻擋金屬層的涂覆厚度大于形成于所述導(dǎo)電性焊盤(pán)的比所述側(cè)端面高的位置的表面的阻擋金屬層的涂覆厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層配線基板，其特征在于，所述焊料層僅形成于所述阻擋金屬層上而不與所述樹(shù)脂絕緣層接觸。
全文摘要
提供一種多層配線基板，其包括由一個(gè)位于另一個(gè)之上層疊的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體層和樹(shù)脂絕緣層形成的積層；該多層配線基板具有以從樹(shù)脂絕緣層的表面突出的方式形成于至少一個(gè)樹(shù)脂絕緣層的表面的導(dǎo)電性焊盤(pán)。導(dǎo)電性焊盤(pán)可以均包括位于其下部的柱狀部和位于其上部的凸部，凸部的表面可以呈連續(xù)的曲面。焊料層可以形成于導(dǎo)電性焊盤(pán)的上表面。某些實(shí)施方式可以消除或最小化導(dǎo)電性焊盤(pán)上的應(yīng)力集中，可以防止與半導(dǎo)體元件的連接不良的發(fā)生，并且可以防止對(duì)導(dǎo)電性焊盤(pán)造成損傷。
文檔編號(hào)H05K1/02GK102686024SQ20121004146
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月21日
發(fā)明者井上真宏, 半戶琢也, 和田英敏, 杉本篤彥, 齊木一 申請(qǐng)人:日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社