專利名稱：用于控制電容耦合等離子體處理室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)的方法和裝置的制作方法
用于控制電容耦合等離子體處理室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)的
方法和裝置
背景技術(shù)：
集成電^各是由晶片或基々反形成的，在晶片或基板上形成
有圖案化的孩i電子層。在基4反處理過(guò)程中，經(jīng)常^f吏用等離子體在基 板上沉積薄膜或者刻蝕該薄膜上的預(yù)定部分。下一代孩￡電子層中特 征尺寸的縮減和新才才料的應(yīng)用i 武予了等離子體處理設(shè)備新的要求。 更小的特征、更大的基板尺寸和新的處理技術(shù)，比如雙嵌入刻蝕技 術(shù)，要求對(duì)整個(gè)基板的等離子體密度和一致性等等離子體參數(shù)的精 確控制，以提高產(chǎn)量。

發(fā)明內(nèi)容
提供一種用于控制等離子體處理室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)的裝置 的實(shí)施方式，包纟舌面對(duì)下電相二沒(méi)置的上電一及，該下電一及適于支撐基 板，該裝置包含基礎(chǔ)(ground)環(huán)，被配置為同心地圍繞該下電極， 該基礎(chǔ)環(huán)包括形成于其中的第一組狹槽；旁路阻塞環(huán)；設(shè)置于該基 礎(chǔ)環(huán)和旁路阻塞環(huán)上方的覆蓋環(huán)，該覆蓋環(huán)包括形成于其中的第二 組狹槽；以及適于使該旁路阻塞環(huán)相對(duì)于該基礎(chǔ)環(huán)運(yùn)動(dòng)的機(jī)構(gòu)，以 將通過(guò)該第一和第二組狹槽的氣流傳導(dǎo)控制在以下兩者之間(i) 打開(kāi)狀態(tài)，其中該第一組狹槽與該第二組狹槽流體連通，從而使得 氣體可以通過(guò)該第一和第二組狹槽流動(dòng)以及(ii)關(guān)閉狀態(tài)，其中
該第 一組狹槽被該旁^各阻塞環(huán)阻塞，乂人而4吏得氣體不能通過(guò)該第一 和第二組狹槽流動(dòng)。
提供另一種用于控制等離子體處理室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)的裝
置，包括面對(duì)下電極設(shè)置的上電才及，該下電極適于支撐基板，該裝 置包含固定的基礎(chǔ)環(huán)，被配置為同心地圍繞該下電極，該基礎(chǔ)環(huán)包
括形成于其中的第一組狹槽；固定的覆蓋環(huán)，包括形成于其中的第 二組狹槽；設(shè)置于該基礎(chǔ)環(huán)和覆蓋環(huán)之間的旁路阻塞環(huán)，該旁路阻 塞環(huán)包4舌形成于其中的第三組3夾才曹；以及適于〗吏該旁^各阻塞環(huán)相對(duì) 于該基礎(chǔ)環(huán)S走轉(zhuǎn)的才幾構(gòu)，以改變?cè)摰?一 和第三組3夾才曹之間的重疊 量，^v而將通過(guò)該第一、第二和第三組狹槽的氣流傳導(dǎo)控制在以下 兩者之間(i)打開(kāi)狀態(tài)，其中該第一組狹槽與該第三組狹槽流體 連通，從而使得氣體可以通過(guò)該第一、第二和第三組狹槽流動(dòng)以及 (ii)關(guān)閉狀態(tài)，其中該第一組狹槽一皮該旁路阻塞環(huán)阻塞，從而使 得氣體不能通過(guò)該第一、第二和第三組狹槽流動(dòng)。提供一種用于控制等離子體處理室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)的裝置 的另一種實(shí)施方式，包纟舌面對(duì)下電招/i殳置的上電4及，該下電一及適于 支撐基板，該裝置包含固定的基礎(chǔ)環(huán)，被配置為同心地圍繞該下電 極，該基礎(chǔ)環(huán)包括形成于其中的第一組狹槽；i殳置于該基礎(chǔ)環(huán)上的 固定的覆蓋環(huán)，該覆蓋環(huán)包括形成于其中的第二組狹槽，該第二組 狹槽中的每一個(gè)均與第一組狹槽的相應(yīng)狹槽對(duì)齊；旁^各阻塞環(huán)，設(shè) 置于該基礎(chǔ)環(huán)下，該旁^各阻塞環(huán)包括形成于其上的突起，其中在每 個(gè)突起和限定相應(yīng)第 一狹縫的內(nèi)表面之間的間隔確定了通過(guò)該第 一和第二組狹槽的氣流傳導(dǎo)；以及適于使該旁^各阻塞環(huán)相對(duì)于該基 礎(chǔ)環(huán)運(yùn)動(dòng)的才幾構(gòu)，以調(diào)整該間隔以使通過(guò)該第 一和第二組狹槽之間 的氣流傳導(dǎo)在以下兩者之間變化(i)打開(kāi)狀態(tài)，其中該第一組狹 槽與該第二組狹槽流體連通，乂人而4吏得氣體可以通過(guò)該第 一和第二 組狹槽流動(dòng)以及(ii)關(guān)閉狀態(tài)，其中該第一組狹槽^皮該旁路阻塞 環(huán)阻塞，從而使得氣體不能通過(guò)該第 一和第二組狹槽流動(dòng)。


圖1顯示了CCP反應(yīng)器室的示意圖。圖2顯示了依照 一個(gè)實(shí)施方式的CCP室的橫截面示意圖。圖3A顯示了圖2中的區(qū)域A的放大#見(jiàn)圖。圖3B-3E顯示了控制在圖3A所示的結(jié)構(gòu)中氣流傳導(dǎo)的裝 置的示意圖。圖3F顯示了控制氣流傳導(dǎo)的裝置的一個(gè)替代實(shí)施方式的
示意圖。圖4A-4C顯示了控制氣流傳導(dǎo)的裝置的另 一 個(gè)替代實(shí)施
方式的示意圖。圖5A-5C顯示了控制氣流傳導(dǎo)的裝置的另一個(gè)實(shí)施方式
的示意圖。圖6A-6C顯示了依照另 一 個(gè)實(shí)施方式控制氣流傳導(dǎo)的裝置。圖7顯示了依照另一個(gè)實(shí)施方式控制氣流傳導(dǎo)的裝置。
圖8顯示了依照另 一個(gè)實(shí)施方式控制氣流傳導(dǎo)的裝置。
具體實(shí)施例方式在電容耦合RF等離子體(CCP)反應(yīng)器或反應(yīng)室中，等 離子體是在兩個(gè)相對(duì)的上下電才及之間的空隙內(nèi)產(chǎn)生的。圖l顯示了 處理基板的CCP反應(yīng)器室的一個(gè)實(shí)施方式。如圖所示，下電極組件 包括聚焦環(huán)108、在操作過(guò)程中將基板106容納在該室內(nèi)的適當(dāng)位置的卡盤104。例如，該卡盤104可以是^爭(zhēng)電卡盤，且是通過(guò)RF電源供 應(yīng)110供應(yīng)射頻(RF)電源的。上電極組件包括上電極114和柵板或 噴淋頭116。在操作過(guò)程中，該上電極114可以是接地的或者是通過(guò) 另一個(gè)RF電源供應(yīng)120接電源的。氣流是通過(guò)導(dǎo)管122供應(yīng)的，且穿 過(guò)該才冊(cè)板116。在該空隙126中氣體被激發(fā)為等離子體。等離子體4皮 約束環(huán)102a、 102b、 102c約束。氣體穿過(guò)該環(huán)102之間的間隔/空隙124并被真空泵透過(guò) 壁118從該室內(nèi)排出。等離子體的特征受穿過(guò)空隙124的氣流速率的 影響。從該柵板116到該排氣口的氣流路徑的總的氣流傳導(dǎo)性依賴 于若干因素，包括環(huán)的數(shù)量和環(huán)間空隙的尺寸。在一個(gè)實(shí)施方式中， 該空隙124是可以由空隙控制^L構(gòu)(圖l中未示)調(diào)節(jié)的和控制的。已經(jīng)確定，在對(duì)基一反的一些等離子體處理過(guò)禾呈中，該工 藝的 一 個(gè)或多個(gè)步驟要求氣流傳導(dǎo)水平超過(guò)該空隙控制機(jī)構(gòu)的最 大容量。在這樣的工藝中，該基板可能需要被從該室內(nèi)卸載下來(lái)并 在可以達(dá)到這種氣流傳導(dǎo)水平的其它的室中進(jìn)行處理。考慮到這個(gè) 問(wèn)題，提供這樣的裝置，該裝置可被才喿作以在電容耦合等離子體 (CCP)反應(yīng)器或反應(yīng)室中提供擴(kuò)展的、可變的氣流傳導(dǎo)范圍。。該 裝置使得該等離子體處理室可以提供大范圍的等離子體條件。圖2顯示了電容耦合等離子體(CCP )反應(yīng)器或反應(yīng)室200 的一部分的一個(gè)示例性實(shí)施方式。該室200裝備有可在室200內(nèi)提供 擴(kuò)展的、可變的氣流傳導(dǎo)范圍的裝置。該室200包括上電極組件202 和下電極組件204,該下電極組件204在等離子體處理過(guò)程中將基板 保持在適當(dāng)?shù)腲f立置。該上下電才及組件202、 204通過(guò)間隔或空隙208 4皮》匕隔開(kāi)。該室壁214包4舌門(door)或門(gate) 216，基氺反通過(guò) 門216被卸載/裝載入室200。
該上電^l組件202包括氣體分配構(gòu)件203，比如噴淋頭電 極，經(jīng)過(guò)該氣體分配構(gòu)件供應(yīng)氣體被供應(yīng)到該空隙208中。供應(yīng)到 該空隙208中的工藝氣體被提供給該下電極組件204的RF電源激發(fā) 到等離子態(tài)。空隙208中的等離子體被晶片區(qū)域壓力(WAP)/約束 環(huán)組件206約束，該WAP/約束環(huán)組件包括一堆約束環(huán)207。該裝置可 以包4舌對(duì)該約束環(huán)的空隙控制才幾構(gòu)。空隙208內(nèi)的中性氣體物質(zhì)以 大體水平的方向穿過(guò)約束環(huán)207之間的間隔并進(jìn)入室內(nèi)空間210。氣 體被耦合到壁214的真空泵212從室內(nèi)空間210中排出。從該氣體分配構(gòu)件203到該室內(nèi)空間210的氣流速率影響 空隙內(nèi)的壓力。為了提高該氣流速率，提供(并行于)該路徑的， 從該氣體分配構(gòu)件經(jīng)過(guò)約束環(huán)207之間的空隙到達(dá)該室內(nèi)空間的另 外的氣流傳導(dǎo)^各徑或回^各。圖3A顯示了圖2中的區(qū)域A的放大視圖，描繪了用于控制 基礎(chǔ)環(huán)314中的旁^各狹槽312a、 312b (此處一起稱為環(huán)312)的氣流 傳導(dǎo)的機(jī)構(gòu)。圖3B顯示了該機(jī)構(gòu)320的側(cè)面視圖。圖3C和3D顯示了 才幾構(gòu)320、旁3各阻塞環(huán)308和基礎(chǔ)環(huán)314的部分切開(kāi)的俯^L平面圖， 其中為了便于描繪，移除了狹槽基礎(chǔ)覆蓋環(huán)304(圖3A )。如圖3A-3D 所示，該下電極組件包括基礎(chǔ)環(huán)314、 i殳置于在該基礎(chǔ)環(huán)314內(nèi)形成 的環(huán)形溝道內(nèi)的旁路阻塞環(huán)308以及覆蓋環(huán)304。多個(gè)滾珠316,優(yōu) 選地，是由聚四氟乙烯(PTFE)等形成的，被用于減少基礎(chǔ)環(huán)314 和阻塞環(huán)308在阻塞環(huán)308運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的轉(zhuǎn)動(dòng)摩擦。圖3E顯示了該旁 路阻塞環(huán)308的俯視平面圖，該旁路阻塞環(huán)308包括多個(gè)狹槽310a、 310b( jt匕處一起稱為^夾槽310)，該3夾4曹310a、 310b沿著該阻塞環(huán)308 的半徑方向延伸。同樣地，覆蓋環(huán)304和基礎(chǔ)環(huán)314分別包括類似于 狹槽310的狹槽306a、 306b (此處一起稱為狹槽306 )和狹槽312"、 312b。該狹槽306、 310和312可以有任何合適的形狀，比如長(zhǎng)方形 或梯形?；A(chǔ)環(huán)314是由導(dǎo)電材料，比如鋁，制成的；覆蓋環(huán)304是由電介質(zhì)材料，比如石英，制成的；而阻塞環(huán)308是由電介質(zhì)材料，比力o石英或SiC,制成的。該約束環(huán)組件(或WAP環(huán)組件)206包括WAP環(huán)300和一堆約束環(huán)302。在下文中，術(shù)語(yǔ)"約束環(huán)"和"WAP環(huán)"可互換使用。合適的致動(dòng)機(jī)構(gòu)(比如耦合于CAM環(huán)的活塞303)使得約束環(huán)組件206朝箭頭301方向移動(dòng)。箭頭301的方向可以平4于于三個(gè)環(huán)304、 308和314的軸線方向。在專利號(hào)為6,019,060的美國(guó)專利中，對(duì)CAM環(huán)有更加詳細(xì)的說(shuō)明，其內(nèi)容皆由引用納入此處。約束環(huán)組件206耦合于才幾構(gòu)320。才幾構(gòu)320包括致動(dòng)桿或致動(dòng)一奉324、樞才妻(pivoted )于桿328的軸線上的杠桿332和固定到軸328上的延長(zhǎng)臂330。桿328的軸線可以垂直于基礎(chǔ)環(huán)314的軸線方向。在杠桿332白勺一端4是供平衡物326,在杠桿332的另一端4是供致動(dòng)元件322。通過(guò)作用于平衡物326的重力，致動(dòng)元件322被推向致動(dòng)桿324的較低的末端。當(dāng)約束環(huán)組件206向上移動(dòng)時(shí)，致動(dòng)桿324也向上移動(dòng)。然后，由于重物326的力，杠桿332順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)(圖3B)。臂330的末端朝箭頭334的方向移動(dòng)。然后，臂330朝方向334旋轉(zhuǎn)該旁路阻塞環(huán)308,從而4吏旁^4夾槽310與其它狹槽312和306對(duì)齊，這樣就通過(guò)三組狹槽形成了氣流通^各。圖3C顯示了 4幾構(gòu)320在完全打開(kāi)氣流狀態(tài)的結(jié)構(gòu)。在圖3C中，狹槽覆蓋環(huán)30"皮移除，以便于描繪。
15因此，機(jī)構(gòu)320的操作提供了通過(guò)狹槽306、 310、 312的另外的氣流
傳導(dǎo)路徑。當(dāng)約束環(huán)組件206向下移動(dòng)時(shí)，致動(dòng)桿324也向下推動(dòng)致動(dòng)元件322。然后，杠桿332逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)且臂330的末端朝箭頭336的方向移動(dòng)(圖3B)。然后，旁路阻塞環(huán)308移動(dòng)朝方向336移動(dòng)，從而部分阻塞旁路狹槽306和312。當(dāng)該致動(dòng)元件322位于其最低位置時(shí)，旁路狹槽306和312被旁路阻塞環(huán)308完全阻塞，如圖3D所示。圖3D顯示了機(jī)構(gòu)320在完全關(guān)閉氣流狀態(tài)的結(jié)構(gòu)。狹槽306、 310和312可以有各種形狀和尺寸，其可以在互相對(duì)齊時(shí)提供氣流通路。圖3F是旁路阻塞環(huán)360的一個(gè)替代實(shí)施方式的俯一見(jiàn)圖。如圖所示，阻塞環(huán)360具有沿著它的圓周方向排列的一排狹槽362。在該實(shí)施方式中，覆蓋環(huán)和基礎(chǔ)環(huán)可以有類似于該阻塞環(huán)360的狹槽結(jié)構(gòu)。在圖4A-7所示的實(shí)施方式中，為了〗更于描《會(huì)，各示例性的^1蓋環(huán)、阻塞環(huán)和基礎(chǔ)環(huán)都顯示為包4舌一4非或兩朝M夾一曹。然而，在其它實(shí)施方式中，這三個(gè)環(huán)中的每一個(gè)都可以有其它合適凄t量的排，每排有合適數(shù)量的狹槽。圖4A顯示了依照另 一個(gè)示例性實(shí)施方式，包4舌阻塞環(huán)控制機(jī)構(gòu)420的裝置。圖4B和4C顯示了機(jī)構(gòu)420、旁路阻塞環(huán)408和基礎(chǔ)環(huán)414的部分切開(kāi)的俯—見(jiàn)平面圖。在這些圖中，為了Y更于描纟會(huì)，移除了狹槽覆蓋環(huán)404 (圖4A)。如在圖3A所示的實(shí)施方式中一樣，該下電極組件包括基礎(chǔ)環(huán)414、 i殳置于在該基礎(chǔ)環(huán)414內(nèi)形成的環(huán)形溝道內(nèi)的旁路阻塞環(huán)408以及狹槽覆蓋環(huán)404。在該實(shí)施方式中，基礎(chǔ)環(huán)414和覆蓋環(huán)404是固定的，而阻塞環(huán)408可以相對(duì)于該覆蓋環(huán)404和基礎(chǔ)環(huán)414旋轉(zhuǎn)。例如，環(huán)404、 408、 414可以是與圖3A中所示的相應(yīng)的環(huán)相同的材料制造的。如圖4A所示，合適的機(jī)構(gòu)，比如CAM環(huán)，使得約束環(huán)組件206朝箭頭401方向移動(dòng)，且與該才幾構(gòu)420耦合。多個(gè)滾珠416，優(yōu)選是由聚四氟乙烯等形成的，凈皮用于減少在阻塞環(huán)408運(yùn)動(dòng)過(guò)程中基礎(chǔ)環(huán)414和阻塞環(huán)408之間的轉(zhuǎn)動(dòng)摩4察。該機(jī)構(gòu)420包括耦合于該約束環(huán)組件206且具有錐形部分424的致動(dòng)斥干422;固定于基礎(chǔ)環(huán)414的外殼428;致動(dòng)彈簧，以產(chǎn)生朝該CAM環(huán)推動(dòng)致動(dòng)桿422和約束環(huán)組件206的彈力；樞接于點(diǎn)438的^工才干430; —端固定于一工斥干430的刀,433;以及斗工^^舉黃434，以產(chǎn)生朝該《,形部分424的側(cè)面4,動(dòng)^工桿430的彈力?！?l形部分424的側(cè)面與杠桿430滑動(dòng)4妄觸。彈簧426是可選的。該CAM環(huán)組件206可以包4舌彈黃，以產(chǎn)生朝該CAM環(huán)方向4,動(dòng)該約束環(huán)組^牛206的彈力，如專利號(hào)為6,019，060的美國(guó)專利中所述。在操作中，當(dāng)致動(dòng)桿422向下運(yùn)動(dòng)時(shí)，優(yōu)選地，在基礎(chǔ)環(huán)414的軸線方向上，錐形部分424的該側(cè)面4,動(dòng)該杠桿430側(cè)移，使4尋沖工才干430在軸440上逆時(shí)4十方向(乂人上面看)^走4爭(zhēng)。軸440可以—皮定向?yàn)榕c基礎(chǔ)環(huán)414的軸線方向平行。當(dāng)該杠桿430旋轉(zhuǎn)時(shí)，臂433和耦合于該臂433的旁^各阻塞環(huán)408朝箭頭432方向旋轉(zhuǎn)(圖4B )。在該旋轉(zhuǎn)過(guò)程中，阻塞環(huán)408的狹槽410逐漸被覆蓋環(huán)404和基礎(chǔ)環(huán)414阻塞(遮蓋)，直到在圖4B中所示的位置狹槽41(^皮完全阻塞。當(dāng)致動(dòng)桿422向上運(yùn)動(dòng)時(shí)，杠桿430旋轉(zhuǎn)以使得阻塞環(huán)408朝箭頭436的方向轉(zhuǎn)動(dòng)(圖4C)。當(dāng)致動(dòng)桿422達(dá)到運(yùn)動(dòng)上限時(shí)，狹才曹406、 410禾口4124皮j]:匕乂t齊，且通過(guò)3夾才曹406、 410禾口412,才幾斗勾420
提供最大的氣流傳導(dǎo)，如圖4C所示。圖5A顯示了依照另 一個(gè)示例性實(shí)施方式，包括阻塞環(huán)控制沖幾構(gòu)520的裝置。在圖示實(shí)施方式中，該下電才及組件具有類似于圖3A所示的實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)。如圖5A所示，合適的致動(dòng)機(jī)構(gòu)使得約束環(huán)纟且^f牛206朝箭頭502方向移動(dòng)，〗尤選;也，該方向?yàn)榛霏h(huán)514的軸線方向。該才幾構(gòu)520是可^乘作的以4空制該阻塞環(huán)508。機(jī)構(gòu)520包括耦合于約束環(huán)組件206的致動(dòng)桿522;第一致動(dòng)元件524，被彈簧528的彈力推向致動(dòng)桿522;第二致動(dòng)元件530，耦合于該第一致動(dòng)元件524,且^t配置為當(dāng)該第一致動(dòng)元件524朝方向502運(yùn)動(dòng)時(shí)，在軸533上^走轉(zhuǎn)；以及固定于該第二致動(dòng)元件530的臂532。軸533可以-波定向?yàn)榇篌w上與基礎(chǔ)環(huán)514的軸線方向平4于。該一幾構(gòu)520還包4舌固定于該基礎(chǔ)環(huán)514的支撐元4牛526,其為該第一至丈動(dòng)元件524和彈簧528^是供才幾械支撐。該第一和第二致動(dòng)元件524、 530形成將線性運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)變?yōu)樾D(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的才幾構(gòu)。例如，該第一和第二致動(dòng)元件524、530可以是一對(duì)配套的齒l侖，如圖所示。當(dāng)約束環(huán)組件206朝方向502運(yùn)動(dòng)時(shí)，臂532和耦合于臂532的旁3各阻塞環(huán)508 (具有3夾才曹510a、 510b )相只于于固定的基礎(chǔ)環(huán)514(具有狹槽512a、 512b )和狹槽覆蓋環(huán)504(具有狹槽506a、 506b )
^走轉(zhuǎn)。圖5b顯示了^隻蓋環(huán)504的俯—見(jiàn)圖，其中該覆蓋環(huán)504具有一皮阻塞環(huán)508阻塞的狹槽506。這種狹槽結(jié)構(gòu)是關(guān)閉氣流狀態(tài)。圖5C顯示了覆蓋環(huán)504的俯一見(jiàn)圖，其中該覆蓋環(huán)504具有狹槽506，該狹槽506與其它狹槽510a和512a對(duì)齊以形成貫穿其間的氣流通^各。這種狹槽結(jié)構(gòu)是完全打開(kāi)氣流狀態(tài)。機(jī)構(gòu)520是可操作的，以控制阻塞環(huán)508,并提供在關(guān)閉狀態(tài)和圖示完全打開(kāi)狀態(tài)之間的可變的氣流傳導(dǎo)，也就是說(shuō)，這樣一種狀態(tài)，其中基礎(chǔ)環(huán)中的狹槽512被阻塞環(huán)508部分覆蓋。換句話說(shuō)，該打開(kāi)狀態(tài)的范圍可以是從完全打開(kāi)到部分打開(kāi)。圖2-5C中用于控制氣流傳導(dǎo)的才幾構(gòu)的示例性實(shí)施方式是由CAM環(huán)驅(qū)動(dòng)的(為了簡(jiǎn)4更，各圖中均沒(méi)有顯示)。例如，該CAM環(huán)可以 一皮控制4幾構(gòu)控制，該控制才幾構(gòu)響應(yīng)來(lái)自壓力傳感器的壓力傳感器信號(hào)，該壓力傳感器是可操作的，以測(cè)量室內(nèi)壓力。該壓力傳感器、CAM控制機(jī)構(gòu)和圖2-5C所示的各阻塞環(huán)控制機(jī)構(gòu)可以形成反
18饋控制系統(tǒng)，以對(duì)該下電極組件和上電極組件之間的空隙550中的等離子體壓強(qiáng)進(jìn)行精確控制(圖5A)。圖6A顯示了 ，依照另一個(gè)示例性實(shí)施方式，包括阻塞環(huán)控制機(jī)構(gòu)620的裝置。如圖所示，該下電極組件具有類似于圖3A所示的實(shí)施方式中的下電極組件的結(jié)構(gòu)?？蛇x地，約束環(huán)組件可與機(jī)構(gòu)620配合使用。該機(jī)構(gòu)620控制阻塞環(huán)608以控制氣流傳導(dǎo)。該機(jī)構(gòu)包括馬達(dá)622，該馬達(dá)622具有轉(zhuǎn)子623和耦合于該轉(zhuǎn)子623和阻塞環(huán)608的L形臂624。當(dāng)馬達(dá)622旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)子623和臂624時(shí)，使得阻塞環(huán)608(具有3夾槽610a、 610b )相對(duì)于固定的基礎(chǔ)環(huán)614(具有3夾槽612a、612b)和狹槽覆蓋環(huán)604 (具有狹槽606a、 606b )旋轉(zhuǎn)。該馬達(dá)622可以是高精度步進(jìn)馬達(dá)，且具有4艮小的尺寸，以Y更于其可以位于基礎(chǔ)環(huán)614附近或固定到基礎(chǔ)環(huán)614上。馬達(dá)622是由馬達(dá)控制裝置或馬達(dá)控制器630控制的。該馬達(dá)控制裝置630響應(yīng)，尤其是，來(lái)自測(cè)量室內(nèi)壓力的壓力傳感器632的壓力傳感器信號(hào)。該壓力傳感器632、馬達(dá)控制裝置630和阻塞環(huán)控制機(jī)構(gòu)620可以形成反饋系統(tǒng)，以對(duì)空隙640內(nèi)的等離子體壓
強(qiáng)進(jìn)行精確控制。圖6B顯示了覆蓋環(huán)604的俯視圖，其中該覆蓋環(huán)604具有狹槽606a,該狹槽606a在關(guān)閉狀態(tài)下4皮該阻塞環(huán)608阻塞。圖6C顯示了覆蓋環(huán)604的上視圖，其中該覆蓋環(huán)604具有狹槽606a，該狹槽606a在完全打開(kāi)狀態(tài)下與其他4夾4曹610壽n612^f齊以形成氣流通^各。然而，該才幾構(gòu)620是可操作的，以通過(guò)該狹槽提供所示兩種狀態(tài)之間的可變狀態(tài)，也就是說(shuō)，這樣一種狀態(tài)，其中基礎(chǔ)環(huán)614中的狹槽612一皮阻塞環(huán)604部分覆蓋。^奐句話i兌，該打開(kāi)4犬態(tài)的范圍可以是完4^了開(kāi)到部分打開(kāi)。
圖7顯示了依照另一個(gè)示例性實(shí)施方式，包^t舌阻塞環(huán)控制機(jī)構(gòu)710的裝置。在該實(shí)施方式中，下電極組件702類似于圖3A所示的下電才及組件。在此實(shí)施方式中，該下電才及組件和上電才及組件(圖中為了簡(jiǎn)明未示)，限定了空隙703,在該處工藝氣體^皮供應(yīng)到該下電極組件的RF電源激勵(lì)到等離子態(tài)?？蛇x地，約束環(huán)組件可與連接該才幾構(gòu)710配合使用。該覆蓋環(huán)704和基礎(chǔ)環(huán)706是固定的。使阻塞環(huán)705相對(duì)于^l蓋環(huán)704和基礎(chǔ)環(huán)706力走轉(zhuǎn)，以控制通過(guò)環(huán)704、 706中的狹槽的氣流傳導(dǎo)。如圖所示，該片幾構(gòu)710包4舌^"單元714a、 714b、 714c(此處一起成為臂單元714);氣動(dòng)缸712,以驅(qū)使該臂單元714朝箭頭711方向運(yùn)動(dòng)；以及運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換:才幾構(gòu)708。在另一個(gè)實(shí)施方式中，該臂單元714的元件可以形成為一個(gè)整體。該運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)708耦合于該^(單元714和該阻塞環(huán)705,且一皮才喿作以爿尋該^f單元714的線性運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換為該阻塞環(huán)705的轉(zhuǎn)動(dòng)。在該實(shí)施方式，該才幾構(gòu)708可以類似于才A4勾320、 420禾口520。侈寸^口， i亥元4牛714a可以、^R^^i亥至文動(dòng)4干324、422和522,而該機(jī)構(gòu)320、 420和520的其他元件可以被定向?yàn)檫m應(yīng)乂人該底部側(cè)面延伸的元件714c 。在另一個(gè)實(shí)施方式中，電性螺線管可以#皮臂控制裝置716控制。該臂控制裝置716可以通過(guò)電纜718接收控制信號(hào)。該電纜718還包括來(lái)自測(cè)量室內(nèi)壓力的壓力傳感器的壓力傳感器信號(hào)。該阻塞環(huán)控制機(jī)構(gòu)710、壓力傳感器和該臂控制裝置716可以形成反饋控制系統(tǒng)， 一堆空隙703內(nèi)的等離子體壓強(qiáng)進(jìn)行精確控制。圖8顯示了依照另 一個(gè)實(shí)施方式控制氣流傳導(dǎo)的裝置800。如圖所示，該上電4及組件包括上電4及804,該上電4及804具有噴淋頭結(jié)構(gòu)，以將工藝氣體分配到空隙862中；以及圍繞該上電極804的上基礎(chǔ)環(huán)806。該下電極組件808包括靜電卡盤810,以在等離子體處理過(guò)程中將基才反保持在適當(dāng)?shù)奈恢?；上部熱邊緣環(huán)812,其
20可以由石圭形成的；電介質(zhì)外環(huán)814，其可以由石英形成的；以及內(nèi)覆蓋環(huán)816,以保護(hù)該基礎(chǔ)環(huán)824免受該空隙862中的等離子體的影響。為了簡(jiǎn)明，該上下電極組件804、 808的其他元件沒(méi)有顯示在圖8中。然而，此實(shí)施方式也可以實(shí)iE見(jiàn)其^也類型的上下電核j且件，只要該才幾構(gòu)800可以與該紐J牛配合^f吏用?？障?62中的等離子體凈皮約束環(huán)組件839約束，該約束環(huán)組件839包括WAP環(huán)840和多個(gè)約束環(huán)842。該空隙862中的中性物質(zhì)穿過(guò)環(huán)840 、 842之間的空隙并朝箭頭852的方向流動(dòng)。圖示裝置800提供了另外的氣流傳導(dǎo)^各徑，且包括具有多個(gè)狹槽822的狹槽覆蓋環(huán)820;具有與狹槽822對(duì)齊的多個(gè)狹槽825的基礎(chǔ)環(huán)824;以及具有多個(gè)突起834形成于其上的旁路阻塞環(huán)830。合適的致動(dòng)機(jī)構(gòu)可以使阻塞環(huán)830朝著箭頭852的方向運(yùn)動(dòng)，從而使得該突起834和該狹槽822和825的內(nèi)表面之間的間隔(也就是氣流路徑)可以被控制，從而控制通過(guò)狹槽822的氣流速率。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，耦合于該約束環(huán)組件839的一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)桿或致動(dòng)才奉850驅(qū)動(dòng)該阻塞環(huán)830。在另一個(gè)實(shí)施方式中，類似于圖7所示的實(shí)施方式中的元件714c的臂單元854耦合于該阻塞環(huán)830且被操作，以驅(qū)動(dòng)該阻塞環(huán)830。覆蓋環(huán)820中的狹槽822類似于圖3E所示的實(shí)施方式中的狹槽310。替代地，當(dāng)從上面看時(shí)，狹槽822可以采用同心環(huán)的形式且該突起也可以是同心環(huán)。通常，上下電極組件之間的空隙區(qū)域的體積(比如862)相對(duì)于室內(nèi)空間(比如860 )的體積比較小。因?yàn)閷?duì)基板的刻蝕速率直4妾受空隙內(nèi)等離子體的影響，該約束環(huán)組件^f吏-彈在該空隙的整個(gè)范圍內(nèi)能夠進(jìn)行小體積壓力控制和等離子體約束，而不必對(duì)室的硬件作出主要的物理變化。而且，因?yàn)榭障兜捏w積4交小，且通過(guò)圖3A-8所示的該旁鴻4夾槽增加了氣流傳導(dǎo)，因此可以快速而準(zhǔn)確i也4空制等離子體處理室內(nèi)的等離子體條件。
21
盡管本發(fā)明時(shí)參考其具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)描述的，然而，顯然，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以在不悖離所附權(quán)利要求的范圍的基礎(chǔ)上，對(duì)本發(fā)明作出變更和修改，以及進(jìn)行等同替換。
權(quán)利要求
1.一種用于控制等離子體處理室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)的裝置，包括面對(duì)下電極設(shè)置的上電極，該下電極適于支撐基板，該裝置包含基礎(chǔ)環(huán)，被配置為同心地圍繞該下電極，該基礎(chǔ)環(huán)包括形成于其中的第一組狹槽；旁路阻塞環(huán)；設(shè)置于該基礎(chǔ)環(huán)和旁路阻塞環(huán)上方的覆蓋環(huán)，該覆蓋環(huán)包括形成于其中的第二組狹槽；以及適于使該旁路阻塞環(huán)相對(duì)于該基礎(chǔ)環(huán)運(yùn)動(dòng)的機(jī)構(gòu)，以將通過(guò)該第一和第二組狹槽的氣流傳導(dǎo)控制在以下兩者之間(i)打開(kāi)狀態(tài)，其中該第一組狹槽與該第二組狹槽流體連通，從而使得氣體可以通過(guò)該第一和第二組狹槽流動(dòng)以及(ii)關(guān)閉狀態(tài)，其中該第一組狹槽被該旁路阻塞環(huán)阻塞，從而使得氣體不能通過(guò)該第一和第二組狹槽流動(dòng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該基礎(chǔ)環(huán)和該覆蓋環(huán)是固定的；以及 該第 一組狹槽與該第二組狹槽對(duì)齊。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中各覆蓋環(huán)和旁路阻塞環(huán)是由 電介質(zhì)材料形成的，且該基礎(chǔ)環(huán)是由導(dǎo)電材料形成的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中該覆蓋環(huán)和該旁^各阻塞環(huán)是 由石英或SiC形成的，且該基礎(chǔ)環(huán)是由金屬形成的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中該致動(dòng)系統(tǒng)包含約束環(huán)組 件，該約束環(huán)組件適于圍繞在該上電極和下電極之間限定的空 隙，且包4舌至少一個(gè)約束環(huán)，其中該約束環(huán)組件可以在該基礎(chǔ) 環(huán)的軸線方向移動(dòng)以控制通過(guò)該約束環(huán)間的空隙的氣流。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包含壓力傳感器，用于測(cè)量該等離子體處理室內(nèi)的氣體壓力 并發(fā)送傳感器信號(hào)；以及控制裝置，響應(yīng)該傳感器信號(hào)，并運(yùn)轉(zhuǎn)以發(fā)送控制該致 動(dòng)系統(tǒng)的控制信號(hào)。
7. —種通過(guò)使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件控制氣流傳導(dǎo)的方 法，包含在包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的該裝置的該等離子體處理 室中支撐半導(dǎo)體基板；將處理氣體才是供到該上下電極之間的該空隙； 將該工藝氣體激發(fā)為等離子體；以及」操作該^L構(gòu)以控制通過(guò)該第 一組狹槽的氣流速率。
8. —種用于控制等離子體處理室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)的裝置，包括面對(duì) 下電極設(shè)置的上電極，該下電極適于支撐基板，該裝置包含固定的基礎(chǔ)環(huán)， 一皮配置為同心地圍繞該下電才及，該基礎(chǔ) 環(huán)包括形成于其中的第 一組狹槽；固定的覆蓋環(huán)，包括形成于其中的第二組狹槽；設(shè)置于該基礎(chǔ)環(huán)和覆蓋環(huán)之間的旁^各阻塞環(huán)，該旁^各阻 塞環(huán)包括形成于其中的第三組狹槽；以及適于使該旁路阻塞環(huán)相對(duì)于該基礎(chǔ)環(huán)旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)，以改 變?cè)摰谝缓偷谌M狹槽之間的重疊量，乂人而將通過(guò)該第一、第 二和第三組狹槽的氣流傳導(dǎo)控制在以下兩者之間(i )打開(kāi)狀 態(tài)，其中該第一組狹槽與該第三組狹槽流體連通，從而使得氣 體可以通過(guò)該第一、第二和第三組^夾槽流動(dòng)以及(ii)關(guān)閉狀 態(tài)，其中該第一組狹槽:帔該旁^各阻塞環(huán)阻塞，從而^吏得氣體不 能通過(guò)該第一、第二和第三組狹槽流動(dòng)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，進(jìn)一步包含至少一個(gè)置于該旁路阻塞環(huán)和該基礎(chǔ)環(huán)之間的漆J朱，該漆J朱運(yùn)專爭(zhēng)以減少當(dāng)該才幾構(gòu)寸吏 該旁3各阻塞環(huán)相對(duì)于該基礎(chǔ)環(huán)和;菱蓋環(huán)旋轉(zhuǎn)時(shí)其間的轉(zhuǎn)動(dòng)摩擦。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置；其中該機(jī)構(gòu)包含至丈動(dòng)4干；以及耦合于該致動(dòng)桿的致動(dòng)系統(tǒng)，且其運(yùn)轉(zhuǎn)以使該致動(dòng)桿在 該基礎(chǔ)環(huán)的軸線方向移動(dòng)。
11. 才艮據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中該致動(dòng)系統(tǒng)是氣動(dòng)缸或電螺線管。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中該致動(dòng)^干包含第一末端和津禺合于該致動(dòng)系統(tǒng)的第二末 端；以及該才幾構(gòu)進(jìn)一步包含可旋轉(zhuǎn)地固定于該基礎(chǔ)環(huán)的桿，且其具有大體上垂直于 該基礎(chǔ)環(huán)的軸線方向的轉(zhuǎn)動(dòng)軸；延長(zhǎng)臂，其具有固定于該桿的一個(gè)末端的一個(gè)末端，以及耦合于該旁^各阻塞環(huán)的另一個(gè)末端；杠桿，其具有第一和第二末端，且在該第一和第二末端 之間固定于該斥干；連4妻于該杠桿的該第一末端的平衡物；以及連接于該杠桿的該第二末端，且被該平衡物推向該致動(dòng) ^干的該第 一末端的至丈動(dòng)元4牛；其中該致動(dòng)桿，當(dāng)被該致動(dòng)系統(tǒng)在該基礎(chǔ)環(huán)的軸線方向 移動(dòng)時(shí)，沿著該3f的該豸爭(zhēng)動(dòng)軸4吝動(dòng)該^^干，〗吏4f該斥干和該延長(zhǎng) 臂沿著該桿的該轉(zhuǎn)動(dòng)軸旋轉(zhuǎn)，從而使得該旁路阻塞環(huán)相對(duì)于該 基礎(chǔ)環(huán)S走轉(zhuǎn)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的裝置，其中該至丈動(dòng)^干包含摔禺合于該至丈動(dòng)系統(tǒng)的第 一末端和與該第一 末端相對(duì)的《,形末端部分；以及該機(jī)構(gòu)進(jìn)一步包含杠桿，其包含第一和第二末端部分，且在該第一和 第二末端部分之間在大體上與該基礎(chǔ)環(huán)的軸線方向平行的軸附近樞接于該基礎(chǔ)環(huán)，該杠桿的該第二末端部分與該致動(dòng)桿的 4焦形末端部分滑動(dòng)4妄觸；延長(zhǎng)^f,其具有固定于該一工;f干的該第一末端部分的 一個(gè)末端，以及井禺合于該旁^各阻塞環(huán)的另一個(gè)末端；以及第一彈簧，其具有兩個(gè)分別固定于該基礎(chǔ)環(huán)和該杠 4干的末端，且運(yùn)專i以用彈力朝該至丈動(dòng)4干的該#:形末端部分纟,動(dòng) 該4工桿的該第二末端部分，其中該至丈動(dòng)4干的該4,形末端部分，當(dāng)#皮該至丈動(dòng)才幾構(gòu)在該基礎(chǔ)環(huán)的軸線方向移動(dòng)時(shí)，纟吝動(dòng)該^工z桿以侵j尋該延長(zhǎng)臂i走轉(zhuǎn)，從而使得該旁路阻塞環(huán)相對(duì)于該基礎(chǔ)環(huán)旋轉(zhuǎn)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中該機(jī)構(gòu)進(jìn)一步包含固定于該基礎(chǔ)環(huán)的外殼，其具有部分圍繞該致動(dòng)桿的該 4偉形末端部分的壁；以及置于該壁和該致動(dòng)神干的一個(gè)末端之間的第二彈簧，且其 運(yùn)專爭(zhēng)以^1年該至丈動(dòng)4干4,向該至丈動(dòng)系統(tǒng)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的裝置，其中該致動(dòng)桿包含耦合于該致動(dòng)系統(tǒng)的第 一 端和第二端；以及該機(jī)構(gòu)進(jìn)一步包含第一f丈動(dòng)元4牛，與該5丈動(dòng)4干的該第一末端4妾觸，且 可在該基礎(chǔ)環(huán)的軸線方向移動(dòng)；第二致動(dòng)元件，耦合于該第一致動(dòng)元件且在大體上 與該基礎(chǔ)環(huán)的軸線方向平行的軸附近樞接于該基礎(chǔ)環(huán)；延長(zhǎng)臂，其在一個(gè)末端固定于該第二致動(dòng)元件，且 在另 一個(gè)末端耦合于該旁路阻塞環(huán)；彈簧，用于通過(guò)彈力將該第一致動(dòng)元件推向該致動(dòng) 桿，從而將該第一致動(dòng)元件推向該致動(dòng)桿的該第一末端；以及支撐元件，固定于該基礎(chǔ)環(huán)，且其運(yùn)轉(zhuǎn)以對(duì)該彈簧 和該第 一致動(dòng)元件提供機(jī)械支撐，其中該致動(dòng)桿，當(dāng)凈皮該致動(dòng)系統(tǒng)在該基礎(chǔ)環(huán)的軸線方向 移動(dòng)時(shí)，在該基礎(chǔ)環(huán)的軸線方向移動(dòng)該第一f丈動(dòng)元〗牛以僅J尋該第二致動(dòng)元件和該延長(zhǎng)臂旋轉(zhuǎn)，從而使得該旁路阻塞環(huán)相對(duì)于 該基礎(chǔ)環(huán);5走轉(zhuǎn)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中該機(jī)構(gòu)包含具有轉(zhuǎn)子的馬達(dá)；以及L形臂，其在一個(gè)末端固定于該轉(zhuǎn)子，且在另一個(gè)末端耦 合于該旁^各阻塞環(huán)；其中，當(dāng)該馬達(dá)旋轉(zhuǎn)該轉(zhuǎn)子時(shí)，該L形臂旋轉(zhuǎn)，使得該 旁^各阻塞環(huán)相對(duì)于該基礎(chǔ)環(huán)S走轉(zhuǎn)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，進(jìn)一步包含壓力傳感器，用于測(cè)量該等離子體處理室內(nèi)的氣體壓力 并發(fā)送傳感器信號(hào)；以及馬達(dá)控制器，響應(yīng)該傳感器信號(hào)，并運(yùn)轉(zhuǎn)以發(fā)送控制該 馬達(dá)的控制信號(hào)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中各第一、第二和第三組狹槽 包括沿著該基礎(chǔ)環(huán)的圓周方向排列的至少 一個(gè)狹縫。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中各第一、第二和第三組狹 槽在該基礎(chǔ)環(huán)的軸向延伸，且具有延長(zhǎng)的長(zhǎng)方形或梯形形狀。
20. —種用于控制等離子體處理室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)的裝置，包括面對(duì) 下電極設(shè)置的上電極，該下電極適于支撐基板，該裝置包含固定的基礎(chǔ)環(huán)，,皮配置為同心i也圍繞該下電才及，該基礎(chǔ) 環(huán)包括形成于其中的第 一組狹槽；設(shè)置于該基礎(chǔ)環(huán)上的固定的覆蓋環(huán)，該覆蓋環(huán)包括形成 于其中的第二組狹槽，該第二組狹槽中的每一個(gè)均與第 一組狹槽的相應(yīng)狹槽對(duì)齊；旁3各阻塞環(huán)，i殳置于該基礎(chǔ)環(huán)下，該旁^各阻塞環(huán)包4舌形 成于其上的突起，其中在每個(gè)突起和限定相應(yīng)第一狹縫的內(nèi)表 面之間的間隔確定了通過(guò)該第 一和第二組狹槽的氣流傳導(dǎo)；以 及適于^f吏該旁3各阻塞環(huán)相7寸于該基礎(chǔ)環(huán)運(yùn)動(dòng)的才幾構(gòu)，以調(diào) 整該間隔以1吏通過(guò)該第 一和第二組狹槽之間的氣流傳導(dǎo)在以 下兩者之間變化(i)打開(kāi)狀態(tài)，其中該第一組狹槽與該第二 組狹槽流體連通，乂人而使得氣體可以通過(guò)該第 一和第二組狹槽 流動(dòng)以及(ii)關(guān)閉狀態(tài)，其中該第一組狹槽被該旁路阻塞環(huán) 阻塞，從而使得氣體不能通過(guò)該第 一和第二組狹槽流動(dòng)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中該機(jī)構(gòu)包含至丈^力系鄉(xiāng)克；以及致動(dòng)桿，其在一個(gè)末端固定于該旁^各阻塞環(huán)且在另一個(gè) 末端井禺合于該致動(dòng)系統(tǒng)，該至丈動(dòng)系統(tǒng)運(yùn)4爭(zhēng)以移動(dòng)該至丈動(dòng)才干。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，該致動(dòng)系統(tǒng)包括氣動(dòng)缸或電螺線管。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中該致動(dòng)系統(tǒng)包含約束環(huán)組 件，該約束環(huán)多且件適于圍繞在該上電才及和下電才及之間的空隙， 且包纟舌至少 一 個(gè)約束環(huán)，其中該約束環(huán)組件可以在該基礎(chǔ)環(huán)的 軸線方向運(yùn)動(dòng)以控制通過(guò)該約束環(huán)間的空隙的氣流。
24. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中各覆蓋環(huán)和旁路阻塞環(huán)是 由電介質(zhì)材料形成的，且該基礎(chǔ)環(huán)是由導(dǎo)電材料形成的。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的裝置，其中該覆蓋環(huán)和該旁路阻塞環(huán) 是由石英或SiC形成的，且該基礎(chǔ)環(huán)是由金屬形成的。
26. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中各第一和第二組狹槽包括 沿著該基礎(chǔ)環(huán)的圓周方向排列的至少 一個(gè)狹縫。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，其中各第一和第二組狹槽在該 基礎(chǔ)環(huán)的軸向延伸，且具有延長(zhǎng)的長(zhǎng)方形或梯形形狀。
28. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其中該第一和第二組狹槽中的 每一個(gè)均包4舌一個(gè)或多個(gè)同心環(huán)形的3夾沖曹。
全文摘要
提供用于控制等離子體處理室內(nèi)的氣流傳導(dǎo)的裝置，其包括面對(duì)下電極的上電極以在其間形成空隙。該下電極適于支撐基板并耦合于RF電源供應(yīng)。在操作中，將注射入該空隙的工藝氣體激發(fā)為等離子態(tài)。該裝置包括基礎(chǔ)環(huán)，其同心圓地圍繞該下電極且有形成于其中的一組狹槽，以及用于控制通過(guò)該狹槽的氣流的機(jī)構(gòu)。
文檔編號(hào)H05H1/46GK101568996SQ200780047659
公開(kāi)日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2007年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月20日
發(fā)明者拉金德?tīng)枴さ滦恋滤_, 斯科特·史蒂夫諾特, 杰瑞爾·K·安多里克 申請(qǐng)人:朗姆研究公司