專利名稱：電加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種電加熱裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的電加熱裝置一般由金屬導熱板和藏于金屬導熱板內(nèi)的電熱管或電熱絲以及溫控器組成，這種電加熱裝置如果溫控器一旦失靈，則可能造成火災(zāi)，安全性不高，在一些溫度要求較高的場所則要附設(shè)成本較高的電子溫控設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是為了解決現(xiàn)有電加熱裝置中存在的安全性不高、適用面窄的問題，而提出一種結(jié)構(gòu)簡單、使用安全的電加熱裝置。
技術(shù)方案本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的一種電加熱裝置，包括控制器、金屬導熱板或熱交換器，其特征在于所述金屬導熱板或熱交換器表面固定有晶體管和溫控器，控制器控制流過晶體管的電流大小，以及晶體管結(jié)溫限制電流調(diào)節(jié)，晶體管因流過電流而產(chǎn)生功率耗散發(fā)熱，發(fā)熱后的溫度傳遞給導熱金屬板或熱交換器，對需加熱體施行加熱，因不同的晶體管允許耗散功率都不同，可根據(jù)不同使用環(huán)境選用不同的晶體管，使待加熱體得到所需加熱溫度。因為不同晶體管的使用環(huán)境的最高溫度都不同，可以根據(jù)不同使用環(huán)境選用不同晶體管，從而達到限制金屬導熱板的最高溫度，即使溫控器或控制器等控制元件失靈，當晶體管發(fā)熱到最高溫度時，晶體管將自行燒毀，不會發(fā)生火災(zāi)。
有益效果
由于采用了本實用新型所述的技術(shù)方案，控制器能過控制流過晶體管的電流大小和晶體管結(jié)溫限制電流調(diào)節(jié)，使晶體管發(fā)熱后傳遞給導熱金屬板，因不同晶體管的耗散功率都不同，可以根據(jù)不同使用環(huán)境選用不同晶體管得到所需的加熱功率，即使溫控器或控制器等控制元件失靈，當晶體管發(fā)熱到最高溫度時，晶體管將直通，迫使斷路器斷路或熔斷器熔斷，不會發(fā)生火災(zāi)和造成其它嚴重后果，安全性極高。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。


圖1是本實用新型所述電加熱裝置使用在電加熱瓶上時的實施例結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實用新型所述電加熱裝置對流體進行加熱時的實施例的示意圖。
具體實施方式
實施例一，見圖1，是本實用新型所述電加熱裝置使用在電加熱瓶上時的實施例結(jié)構(gòu)示意圖。從圖1中可見，電加熱瓶包括不銹鋼內(nèi)膽11、塑料外殼12和插座16，在不銹鋼內(nèi)膽11與塑料外殼12之間的區(qū)間17內(nèi)填充保溫材料，不銹鋼內(nèi)膽11底部的即為本實用新型所述的電加裝置，它包括金屬導熱板13和控制器(圖中未畫出)，金屬導熱板13上側(cè)緊貼不銹鋼內(nèi)膽11底部，金屬導熱板13下側(cè)固定晶體管14和溫控器15，控制器通過控制流過晶體管14電流的大小，使晶體管發(fā)熱后傳遞給導熱金屬板13，也即本實用新型是利用晶體管使用時發(fā)出的熱量對待加熱的物體進行加熱的。
實施例二，見圖2，是本實用新型所述電加熱裝置對流體進行加熱時的實施例的示意圖。包括金屬導熱板21和控制器(圖中未畫出)，金屬導熱板21表面固定有晶體管23和溫控器24，金屬導熱板21內(nèi)藏有迂回的熱交換管道22，使用時，控制器通過控制流過晶體管23電流的大小，使晶體管23發(fā)熱后傳遞給導熱金屬板21后再經(jīng)熱交換管道22傳遞到管道內(nèi)的流體——如水等。
本實用新型所述的晶體管可以是BJT、GTR、MOSFET、IGBT、SIT等用作放大或開關(guān)作用的半導體器件。
通常BJT、GTR、MOSFET、IGBT、SIT等半導體器件用作放大或開關(guān)元件。分別工作于其輸出伏安特性的放大區(qū)、飽合區(qū)、截止區(qū)或可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、雪崩區(qū)。工作時流過管芯的電流和電壓降造成功率損耗，即使工作在開關(guān)狀態(tài)，因開通損耗，關(guān)斷損耗和結(jié)特性電壓降、通態(tài)電阻等都會使管芯溫度升高。這種耗散損耗若不加以限制，超極限時可能造成器件損壞。所以這些器件須有良好的散熱器和散熱條件，才能保證正常工作。
用BJT、GTR、MOSFET、IGBT、SIT等雙極和場控器件作發(fā)熱元件有何益處呢？雙極和場控器件都是可控元件，當然我們就可將它們作成可控制發(fā)熱元件，這樣，使可控加熱電路大為減化。大部分功率半導體器件都有一個對管芯絕緣強度為2500V/1分鐘的散熱金屬界面板(散熱器)，用作加熱元件時很容易做到高性能的接觸式電隔離加熱、無明火，使用安全。功率半導體器件都有散熱連接孔和散熱表面都可以對加熱體施行接觸式加熱和浸入式加熱，使用簡單。功率半導體器件作發(fā)熱元件加熱不須二次變換，效率高、節(jié)能。半導體器件正常使用時，壽命為半永久性。作加熱元件時只要不超極限工作可長期使用，使用壽命長。
但半導體器件為非高溫工作元件，管芯允許溫度為150℃左右。因封裝熱阻影響，作加熱元件時溫度不宜過高且元件熱穩(wěn)定性較差，現(xiàn)行成本較高。不過現(xiàn)行器件都因高動態(tài)特性，高工作電壓、大電流使制造成本太高。作發(fā)熱元件時動態(tài)特性要求低，用大面積管芯高功率耗散，低電流封裝結(jié)構(gòu)，制造成本可大大降低。
本實用新型所述的電加熱裝置可構(gòu)成電熱水器、電加熱保溫恒溫器具、恒溫槽等需接觸加熱和浸入加熱的非高溫加熱器具。
權(quán)利要求1.一種電加熱裝置，包括控制器、金屬導熱板或熱交換器，其特征在于所述金屬導熱板或熱交換器表面固定有晶體管和溫控器，控制器控制流過晶體管的電流大小。
專利摘要本實用新型涉及一種結(jié)構(gòu)簡單、使用安全的電加熱裝置，包括控制器、金屬導熱板或熱交換器，其特征在于所述金屬導熱板或熱交換器表面固定有晶體管和溫控器，控制器控制流過晶體管的電流大小和晶體管結(jié)溫限制電流調(diào)節(jié)。利用晶體管耗散發(fā)熱，對需加熱體施行加熱。
文檔編號H05B1/00GK2922356SQ200620055720
公開日2007年7月11日 申請日期2006年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月6日
發(fā)明者文健華 申請人:文健華