專利名稱：：有機電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及改進的有機電致發(fā)光器件，更具體地說，涉及被保護以減小器件吸收濕氣的有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明還涉及保護有機電致發(fā)光器件以防止該器件不合需要地吸收濕氣的方法。
背景技術(shù)：
：有機電致發(fā)光器件(例如，有機發(fā)光二極管)可用于各種照明應(yīng)用和高低分辨率顯示器的制備中。這些器件通常包括置于陽極和陰極之間的有機電致發(fā)光材料。這些器件還可以包括濕氣反應(yīng)性的(moisture-reactive)電極材料或電致發(fā)光材料，并且有機發(fā)光二極管(OLED)容易受濕老化也是眾所周知的。因此，通常封裝包括反應(yīng)性材料的有機電致發(fā)光器件，以延長該器件的使用壽命。封裝通常涉及將電極和電致發(fā)光材料定位和封裝在兩個基板(例如玻璃和聚合物材料)之間或者在基板和金屬罐之間，并且通常在存在干燥劑的條件下進行。還可以包括各種其它保護層以進一步減少反應(yīng)性材料與濕氣接觸。
發(fā)明內(nèi)容在一個實施例中，本發(fā)明提供有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件包括低透濕性基板(例如，玻璃、金屬、硅或被保護的聚合物膜)，該基板支撐第一電極、第二電極和置于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)；保護結(jié)構(gòu)，該保護結(jié)構(gòu)與所述基板配合以封裝所述第一電極、所述第二電極和發(fā)光結(jié)構(gòu)。所述保護結(jié)構(gòu)包括氧化硼層和無機阻擋層。優(yōu)選地，所述無機阻擋層具有低的透濕性。所述氧化硼層可以設(shè)置在所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之上，并且所述無機阻擋層可以設(shè)置在所述氧化硼層之上。所述無機阻擋層優(yōu)選包括無機氧化物、硼化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、硼氧化物或碳氧化物，例如氧化硅或氧化鋁、氮化硅或氮化鋁、碳化硅或碳化鋁；類金剛石碳化合物；和金屬，例如硅、鋁或其組合。具體的例子包括氧化硅(一氧化硅或二氧化硅)、氮化硅、氧化鋁或氧化硅鋁。無機阻擋層可以是包括例如交替的聚合物層和無機層的多層結(jié)構(gòu)。該器件還可以包括緩沖層，以保護所述氧化硼層以使其不與所述第一電極、第二電極和/或發(fā)光結(jié)構(gòu)反應(yīng)。所述緩沖層可以設(shè)置在所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之上，所述氧化硼層可以設(shè)置在所述緩沖層之上，并且所述無機阻擋層可以設(shè)置在所述氧化硼層上。所述緩沖層優(yōu)選包括有機金屬化合物或螯形化合物，例如，三(8-羥基喹啉)鋁(ALQ)或銅酖菁(CuPc)。所述保護結(jié)構(gòu)還可以包括第二無機阻擋層。在這樣的結(jié)構(gòu)中，緩沖層(如果存在的話)設(shè)置在所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之上，所述無機阻擋層設(shè)置在所述緩沖層之上，所述氧化硼層設(shè)置在所述無機阻擋層之上，并且所述第二無機阻擋層設(shè)置在所述氧化硼層之上。在另一實施例中，本發(fā)明涉及保護有機電致發(fā)光器件的方法。該方法包括提供有機電致發(fā)光組件，該有機電致發(fā)光組件包括低透濕性基板，該基板支撐第一電極、第二電極和置于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)；以及施加保護結(jié)構(gòu)，該保護結(jié)構(gòu)與所述基板配合以封裝所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)。所述保護結(jié)構(gòu)包括氧化硼層和無機阻擋層?？梢杂脽嵴翦兎ㄊ┘友趸饘?，可以用氣相沉積法施加無機阻擋層，并且如果該器件還包括緩沖層，則可以通過熱蒸鍍法或氣相沉積法來施加該緩沖層。參照下面非限制性的且未按比例繪制的附圖，可以更加全面地理解本發(fā)明，在所有附圖中，相同的附圖標記表示相同或相似的部件，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的第一實施例的示意性剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的第二實施例的示意性剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的第三實施例的示意性剖視圖；圖4是可以用作根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中的低透濕性基板的被保護的聚合物膜的第一實施例的示意性剖視圖；圖5是可以用作根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中的低透濕性基板的被保護的聚合物膜的第二實施例的示意性剖視圖；圖6是可以用作根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中的低透濕性基板的被保護的聚合物膜的第三實施例的示意性剖視圖；圖7是可以用作根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中的低透濕性基板的被保護的聚合物膜的第四實施例的示意性剖視圖；圖8是可以用作根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中的低透濕性基板的被保護的聚合物膜的第五實施例的示意性剖視圖；以及圖9是可以用作根據(jù)本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中的低透濕性基板的被保護的聚合物膜的第六實施例的示意性剖視圖。具體實施方式廣義地說，在一個方面中，本發(fā)明提供有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件包括低透濕性基板，該基板支撐第一電極、第二電極和置于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)。保護結(jié)構(gòu)與所述基板配合以封裝所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，以使它們不會不合需要地吸收濕氣。該保護結(jié)構(gòu)包括氧化硼層和無機阻擋層。為了方便，第一電極、第二電極和置于它們之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)有時總稱為有機電致發(fā)光(OEL)器件的"工作部件"或者有機電致發(fā)光組件，操作布置這些部件，使得在電極之間通過電流導致發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)射光。發(fā)光結(jié)構(gòu)通常包括有機電致發(fā)光材料，并且這些電極中的至少一個通?？梢酝干溆捎袡C電致發(fā)光材料發(fā)射的光。"保護結(jié)構(gòu)"廣義地指氧化硼層和無機阻擋層，這些層與低透濕性基板配合以封裝OEL器件的工作部件。"封裝"是指保護結(jié)構(gòu)和基板共同地包圍或圍住OEL器件的工作部件的露出的濕氣敏感表面，從而減少濕氣對這些部件的影響，否則這些工作部件將吸收濕氣。本發(fā)明的OEL器件相對于沒有保護結(jié)構(gòu)的相同器件降低了吸收濕氣的能力。在存在濕氣的條件下，諸如有機發(fā)光二極管(OLED)之類的OEL器件可能會老化，并且在暴露于濕氣時用于這種器件中的電極的反應(yīng)性金屬可能會腐蝕。根據(jù)本發(fā)明，這些和其它有機電子器件，例如光閥、液晶顯示器、薄膜晶體管和其它電子部件，將受益于被保護。參照附圖，圖1示出有機電致發(fā)光(OEL)器件10，該有機電致發(fā)光器件包括低透濕性基板12，該基板支撐第一電極14、第二電極16、以及置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)18。包括氧化硼層20和無機阻擋層22的保護結(jié)構(gòu)與低透濕性基板12配合以封裝第一電極14、第二電極16和發(fā)光結(jié)構(gòu)18(即，OEL器件10的工作部件)。為了幫助OEL器件IO連接電源，該器件還包括與第一電極14電連通的接觸墊24和與第二電極16電連通的接觸墊26。通常，接觸墊24是第一電極14的連續(xù)的、完整的延伸部分，接觸墊26是第二電極16的連續(xù)的、完整的延伸部分。在這種情況下，應(yīng)當理解，保護結(jié)構(gòu)的外圍限定第一電極14和接觸墊24之間的邊界、以及第二電極16和接觸墊26之間的邊界。在圖1中，保護結(jié)構(gòu)的外圍和這兩個邊界分別用虛線28和30表示。因此，通過保護結(jié)構(gòu)和基板12配合封裝了圖1中的OEL器件10的工作部件。"低透濕性基板"是指適用于支撐OEL器件的工作部件并且充分抵制濕氣透過的任何材料、以及可能包括OEL器件或保護結(jié)構(gòu)的任何其它材料、部件和/或?qū)?，并且可以由上述材料、部件?或?qū)犹峁?。當濕氣超過可以用諸如MOCON公司(ModernControls，Minneapolis,MN)所提供的市售設(shè)備測量的水平時，通常需要保護OEL器件免受濕氣影響。雖然MOCON設(shè)備通常能夠測量低至5x10"克/平方米/天(g/m々天)的透濕率，但是把低至"10—6g/mV天的透濕率作為理想目標。因此，"低透濕性的"基板更優(yōu)選具有根據(jù)ASTMTestMethodF-1249測量的小于5xl(T4g/m2/天(優(yōu)選小于lxl()-5g/m2/天，甚至更優(yōu)選小于lxl0、/m"天)的透濕率。根據(jù)這些指導方針，合適的低透濕性的基板包括玻璃、硅、金屬和金屬箔(例如，鋁、銅和不銹鋼)、以及聚合物片或膜，如下面結(jié)合圖4-9更詳細描述的，已經(jīng)對該聚合物片或膜進行了處理，以抑制其透過濕氣的內(nèi)在傾向。第一電極14和第二電極16可以由相同的材料或不同的材料制成。通常，它們是使用下述導電材料材料形成的例如，金屬、合金、金屬化合物、金屬氧化物、導電陶瓷、導電分散體和導電聚合物(包括，例如，金、鉑、鈀、鋁、鈣、鈦、氮化鈦、氧化銦錫、氧化氟錫和聚苯胺)。第一電極14和第二電極16可以是單層或者多層的導電材料。例如，電極可以包括鋁層和金層、鈣層和鋁層、鋁層和氟化鋰層、或者金屬層和導電有機層。用于制備電極的方法包括但不限于濺射法、氣相沉積法、激光熱圖案化法、噴墨印刷法、絲網(wǎng)印刷法、熱壓頭印刷法(thermalheadprinting)和光刻圖案化法。發(fā)光結(jié)構(gòu)18可以是單層或多層，通常包括至少一種有機電致發(fā)光材料，所述有機電致發(fā)光材料可以是熒光材料或磷光材料。合適的例子包括小分子(SM)發(fā)射體(例如，非聚合物發(fā)射體)、SM摻雜聚合物、發(fā)光樹枝狀聚合物、發(fā)光聚合物(LEP)、摻雜的LEP或共混的LEP。有機電致發(fā)光材料可以單獨提供，也可以與在有機電致發(fā)光顯示器或器件中是功能的或非功能的任何其它有機或無機材料組合提供?？捎玫腟M電致發(fā)光材料包括電荷傳輸、電荷阻擋和半導體有機或有機金屬化合物，例如，N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(TPD)和金屬螯形化合物，例如三(8-羥基喹啉)鋁(ALQ)。通常，這些材料可以由溶液形式真空沉積或涂布，以形成器件中的薄層，實際上，常常使用多層的SM材料制造高效的有機電致發(fā)光器件，因為給定的材料一般不是既具有所需的電荷傳輸性又具有電致發(fā)光性。LEP材料通常是共軛的聚合物或低聚物分子，這些分子優(yōu)選具有用于溶液加工的充分的薄膜形成特性。"共軛的聚合物或低聚物分子"是指沿聚合物骨架具有非定域的Tl-電子系統(tǒng)的聚合物或低聚物。這種聚合物或低聚物是半導體，并且可以沿聚合物或低聚物鍵承載正電荷和負電荷載流子。合適的LEP材料的示例性種類包括聚(苯乙炔)、聚(對苯)、聚芴、現(xiàn)在已知的或以后開發(fā)的其它LEP材料、以及它們的共聚物或共混物。合適的LEP還可以分子水平摻雜，分散有熒光染料或光致發(fā)光材料，共混有活性或非活性材料，分散有活性或非活性材料，等等。可以通過如下方法將LEP材料形成為發(fā)光結(jié)構(gòu)將LEP材料的溶劑溶液澆鑄在基板上，然后蒸發(fā)溶劑以制出聚合物膜；或者通過前體物質(zhì)反應(yīng)在基板上就地形成。其它的形成方法包括激光熱圖案化法、噴墨印刷法、絲網(wǎng)印刷法、熱壓頭印刷法、光刻圖案化法和擠出涂布法。雖然圖1中沒有單獨地示出，但是發(fā)光結(jié)構(gòu)18可任選地包括，并且優(yōu)選地包括其它功能層，例如空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴注入層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層等。這些及其它層和材料可用來改變或調(diào)節(jié)OEL器件的電子性質(zhì)和特性。例如，可用這種層和材料來實現(xiàn)所需的電流/電壓響應(yīng)、所需的器件效率、所需的亮度等。另外，可以存在光致發(fā)光材料，以將由有機電致發(fā)光材料發(fā)射的光轉(zhuǎn)換成另一種顏色。例如，空穴傳輸層可以定位在發(fā)光結(jié)構(gòu)的其它層和第一電極或第二電極之間，以有助于空穴從一個電極(例如，陽極)注入到OEL器件，以及有助于這些空穴向復合區(qū)遷移?？昭▊鬏攲舆€可以充當阻擋電子向陽極運動的屏障。適合用作空穴傳輸層的材料包括二胺衍生物，例如，N，N，-雙(3-甲基苯基)-N,N，-雙(苯基)聯(lián)苯胺或N,N'-雙(3-萘-2-基)-N，N，-雙(苯基)聯(lián)苯胺；或者三芳基胺衍生物，例如4,4，，4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺或者4，4'4,"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺。其它合適的材料包括銅酞箐、1,3,5-三(4-二苯基氨基苯基)苯、以及化合物，諸如在H.Fujikawa等人的SyntheticMetals,91,161(1997)禾口J.V.Grazulevicius,P.Strohriegl,"Charge-TransportingPolymersandMolecularGlasses,"HandbookofAdvancedElectronicandPhotonicMaterialsandDevices,H.S.Nalwa(ed.)，10,233-274(2001)中所述的那些化合物。同樣，電子傳輸層可以定位在發(fā)光結(jié)構(gòu)的其它層和第一電極或第二電極之間，以有助于電子注入和電子向復合區(qū)的遷移。電子傳輸層還可以充當阻擋空穴向陰極運動的屏障。防止空穴到達陰極和防止電子到達陽極，導致電致發(fā)光器件具有更高的效率?？梢允褂糜袡C金屬化合物三(8-羥基喹啉)鋁(ALQ)、1，3-雙[5-(4-(1，1-二甲基乙基)苯基)-l，3,4-噁二唑-2-基〗苯、2-(二苯-4-基)-5-(4-(，1-二甲基乙基)苯基)-1,3，4-噁二唑、以及在C.H.Chen等人的Mac譲ol.Symp.125,1(1997)禾口J.V.Grazulevicius,P.Strohriegl,"Charge-TransportingPolymersandMolecularGlasses",HandbookofAdvancedElectronicandPhotonicMaterialsandDevices,H.S.Nalwa(ed.),lO,233(2001)中所述的那些化合物形成電子傳輸層。繼續(xù)參考圖1，保護結(jié)構(gòu)包括氧化硼層20和無機阻擋層22。在本發(fā)明中，使用氧化硼伴隨有若干優(yōu)點，但是，應(yīng)該這樣理解，在結(jié)合氧化硼層的每一種應(yīng)用中，并不是每一個優(yōu)點都必需得以反映。氧化硼可以作為光學清晰或透明的類似玻璃的材料沉積或者用其它方式施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)18上，如果要求所述氧化硼層能夠透射從發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光，那么這對于OEL器件可能是有利的。另外，無論濕氣是來自周圍環(huán)境還是在制造過程中截留在內(nèi)部的，氧化硼層都可以減少OEL器件吸收潮氣的傾向。雖然不希望受具體理論的限制，但是普遍認為，氧化硼通過與濕氣反應(yīng)以產(chǎn)生硼酸來捕獲濕氣，硼酸是相對弱的酸，其固體形式不大可能對OEL器件有害。這可以由一個分子的氧化硼與三個分子的水的反應(yīng)來表示B203+3H20—2B(OH)3。沒有釋放出以析出的氣體或液體的形式的附加反應(yīng)產(chǎn)物.氧化硼也提供某些加工優(yōu)點，根據(jù)應(yīng)用，這些優(yōu)點可能是人們所希望的。例如，可以通過包括濺射、化學氣相沉積、電子束沉積和熱蒸鍍方法(例如，氣相沉積)的若干技術(shù)將氧化硼施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)18上。當目標表面易被更加高能的施加方法(例如濺射法)破壞時，優(yōu)選使用氣相沉積方法。理想的是，可以在適度的條件下(例如，在大約10"至10—4托的蒸氣壓力下可以達到大約10至50A/秒的沉積速率)以可接受的速率對氧化硼進行氣相沉積，而沒有表現(xiàn)出分解的跡象(例如，原料脫色)。氧化硼層20設(shè)置在OEL器件的預計要被保護以免濕氣透過的那部分(其由具體應(yīng)用決定)上。氧化硼層20的厚度也基本上隨著下述因素而變化OEL器件的性質(zhì)、在使用期間OEL器件很可能會暴露的濕氣條件、在保護結(jié)構(gòu)中存在的其它層、對光學透明度的要求、成本等等。隨著層厚度增大，對濕氣透過的抵抗性也增大，但是這樣也許會以透明度降低、撓性降低和成本升高為代價。在這些指導方針下，按有效厚度設(shè)置氧化硼層20，有效厚度的含義是指，相對于沒有該氧化硼層的相同的OEL器件，該厚度足以減少OEL器件所吸收的濕氣。更具體地說，氧化硼層的設(shè)置厚度優(yōu)選為大約50A至10,000A，更優(yōu)選為大約500A至5，000A，甚至更優(yōu)選為大約3，000A至5,000A。仍參照圖1,保護結(jié)構(gòu)還包括無機阻擋層22，該無機阻擋層22與氧化硼層20配合以保護OEL器件。雖然無機阻擋層22最常見的是作為濕氣和/或氧氣的阻擋層被包括在內(nèi)，但是無機阻擋層22可以提供保護，以免暴露于濕氣、氧氣、以及熱，和/或以免受機械沖擊。就這方面來說，優(yōu)選的是，選擇無機阻擋層22，以進一步保護OEL器件的工作部件以免吸收濕氣。另外，優(yōu)選的是，無機阻擋層22與氧化硼層20和同該無機阻擋層相鄰的其它層都不反應(yīng)。在某些應(yīng)用中，可能希望無機阻擋層22作為光學清晰或透明的材料沉積或用其它方式施加，對于需要該無機阻擋層能夠透射從發(fā)光結(jié)構(gòu)18發(fā)出的光的應(yīng)用而言，這可能是有利的。各種材料可以用作無機阻擋層。優(yōu)選的無機阻擋層材料包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧氮化物、金屬硼氧化物及其組合，例如，硅氧化物(例如二氧化硅)、鋁氧化物(例如氧化鋁)、鈦氧化物(例如二氧化鈦)、氧化銦、氧化錫、氧化銦錫、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮、碳化硼、碳化鎢、碳化硅、氮化鋁、氮化硅、氮化硼、氮氧化鋁、氮氧化硅、氮氧化硼、硼氧化鋯、硼氧化鈦及其組合。特別優(yōu)選的無機阻擋層材料是氧化銦錫、氧化硅、氧化鋁及其組合?？梢允褂脩?yīng)用于薄膜金屬化領(lǐng)域中的技術(shù)，例如濺射(例如陰極或平面磁控管濺射)、蒸鍍(例如，電阻式蒸鍍或電子束蒸鍍)、化學氣相沉積、電鍍等，來施加或形成無機阻擋層。適用于無機阻擋層22的材料部分取決于預計要發(fā)揮的保護功能，但是玻璃和無機氧化物(例如，硅、鋁或其組合的氧化物，例如一氧化硅、二氧化硅、氧化鋁或氧化硅鋁)是很有用的。此外，可用于本發(fā)明的無機阻擋層的例子包括使用等離子體增強化學氣相沉積(PE-CVD)制造的材料，例如，在美國專利No.6,696,157(David)中所述的那些。在另一實施例中，可以按多層結(jié)構(gòu)的形式提供無機阻擋層22，例如，該多層結(jié)構(gòu)包括交替的聚合物層和無機層。無機層可以由上述用于無機阻擋層的任何材料提供，聚合物層可以是，例如，(甲基)丙烯酸酯、聚酯、氟化聚合物、聚對二甲苯、苯并環(huán)丁烯(cyclotene)或聚烯基。可以通過"PML"(即，聚合物多層)法，或者其中根據(jù)具體情況通過濺射、旋涂、熱蒸鍍、化學氣相沉積等施加層的其它技術(shù)，來制備多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的合適例子在例如美國專利No.5,440,446(Shaw)、美國專利No.6,497,598(Affinito)、歐洲專利公開No.0777280A2(Motorola)、WO01/8卯06Al(BattelleMemorialInstitute)和美國專利公開No.2002/0068143(Silveraail等人)中有所描述。無機阻擋層22的厚度也基本上隨著下述因素而變化OEL器件的性質(zhì)、在使用期間OEL器件很可能會暴露的濕氣/空氣條件、在保護結(jié)構(gòu)中存在的其它層、對光學透明度的要求、成本等等。隨著層厚度增大，對濕氣透過的抵抗性也增大，但是這樣也許會以透明度降低、撓性降低和成本升高為代價。在這些指導方針下，按有效厚度設(shè)置無機阻擋層22，有效厚度的含義是指，相對于沒有包括無機阻擋層的保護結(jié)構(gòu)的相同器件，該厚度足以提高OEL器件抵抗?jié)駳馔高^、抵抗熱沖擊和/或機械沖擊的能力。更具體地說，無機阻擋層的設(shè)置厚度優(yōu)選為大約0.5nm至70pm，更優(yōu)選為大約1.5jxm至40pm，甚至更優(yōu)選為大約3.5pmto30,。在圖1示出OEL器件的實施例中，氧化硼層20位于OEL器件的無機阻擋層22和工作部件之間(即侵入的濕氣在遇到氧化硼層之前遇到無機阻擋層)，該實施例提供一些好處。這種布置允許氧化硼層20以基本上連續(xù)的層的形式沉積，但無需嚴格地避免形成針孔和其它類似缺陷，這些缺陷常常伴隨于氣相沉積和其它方法，因為氧化硼層22也阻擋濕氣透過，并且是首先遇到侵入的濕氣的層(相對于氧化硼層而言)。這樣布置也允許氧化硼層20提供"最后的防線"，從而減少OEL器件吸收的濕氣。現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖2，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的OEL器件的另一實施例。除了可任選的緩沖層32介于OEL器件的氧化硼層20和工作部件之間以外，圖2的實施例與圖1的實施例相似。"緩沖層"是指將保護結(jié)構(gòu)與OEL器件的工作部件分隔開的層，但是它可以具有電活性。緩沖層可以執(zhí)行各種可能的功能。例如，緩沖層可以提供光滑表面，以將氧化硼層或其它層沉積在該光滑表面上，或者可以提供錨定層或底漆層，從而提高任何隨后形成的層的粘附性。緩沖層可以保護任何隨后形成的層，以使其不與無機阻擋層或氧化硼層反應(yīng)。緩沖層可以執(zhí)行光學功能。通常，也通過保護結(jié)構(gòu)和低透濕性基板的配合來封裝緩沖層。緩沖層32可以由各種材料(有機材料和無機材料)制成，該緩沖層預計要起到的(一種或多種)具體功能影響對材料的實際選擇。例如，如果形成OEL器件的一部分的層與緩沖層相鄰，則不是氧化劑、不吸濕的、非酸性的且不與這些層反應(yīng)的材料可能是優(yōu)選的。作為緩沖層，也包括可用來提供電活性層的材料，其例子包括銅酞菁(CuPc)、4,4，,4，，-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)、N，N，-雙(3-萘-2-基)-N，N，-雙(苯基)聯(lián)苯胺(NPD)、三(8-羥基喹啉)鋁(ALQ)、金、一氧化硅等。緩沖層32的厚度也取決于緩沖層預計要起到的功能，但是通常認為在大約500A至2,000A的范圍內(nèi)的厚度是有用的。現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖3，圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的OEL器件的另一實施例。除了可任選的第二無機阻擋層34介于緩沖層32和氧化硼層20之間以外，圖3的實施例與圖2實施例相似。第二無機阻擋層34與無機阻擋層22相似，但是對無機阻擋層22的上述討論適用于第二無機阻擋層34。由于存在第二無機阻擋層34，圖3的實施例還提供了增強對OEL器件10的保護的優(yōu)點。前面提及了，可以通過聚合物膜提供低透濕性基板12，其中對該聚合物膜己經(jīng)進行了處理，以抑制該聚合物膜透過濕氣的內(nèi)在傾向。這種聚合物膜稱為"被保護的聚合物膜"，其示于圖4-9中。圖4示出包括聚合物膜基板112的被保護的聚合物膜110，該聚合物膜基板112具有第一主表面112a和與該第一主表面112a相背對的第二主表面112b。保護結(jié)構(gòu)114設(shè)置在基板112的至少第一主表面112a上。保護結(jié)構(gòu)114包括氧化硼層116和無機阻擋層118。優(yōu)選地，在基板112和保護結(jié)構(gòu)114之間沒有中介層，因為中介層會削弱保護結(jié)構(gòu)降低濕氣透過基板的能力。同樣，優(yōu)選的是，在氧化硼層116和無機阻擋層118之間沒有中介層，因為中介層也會削弱保護結(jié)構(gòu)114降低濕氣透過基板112的能力。圖4示出氧化硼層116位于基板112和無機阻擋層118之間；但是，這兩層的相對位置關(guān)系可以顛倒，即使得無機阻擋層118位于基板112和氧化硼層116之間。優(yōu)選的是其中無機阻擋層和氧化硼層布置成使侵入的氧氣和濕氣在遇到氧化硼層之前遇到無機阻擋層的那些結(jié)構(gòu)。基板112是聚合物膜。"膜"是指其長度尺寸和寬度尺寸遠遠大于材料的厚度的材料。在"膜"的概念內(nèi)包括帶子、帶狀物、巻狀物，它們通常描述這樣一種材料，該材料也具有長度尺寸，該長度尺寸遠遠大于其寬度，并且寬度也遠遠大于厚度。這種材料通常設(shè)置有中心芯，該材料以多圈的形式圍繞該中心芯纏繞，從而有助于在將保護結(jié)構(gòu)施加到基板(例如，在巻式生產(chǎn)中)上的加工步驟、附加的制造操作、或后加工處理、貯藏和運輸。在"膜"的概念內(nèi)還包括片、頁或板，它們通常描述其長度尺寸和寬度尺寸非常近似相等的材料。這種材料通常以由多個獨立的層構(gòu)成的堆的形式處理，從而有助于將保護結(jié)構(gòu)以片供給或類似的片型操作施加到基板上的加工步驟。"聚合物"術(shù)語是指均聚物和共聚物、以及(例如)通過共擠出或通過反應(yīng)(包括，例如，酯交換反應(yīng))可以形成在可混合的共混物中的聚合物或共聚物。"共聚物"術(shù)語描述衍生自兩種或多種不同單體單元的處理，并且包括無規(guī)共聚物、嵌段共聚物和接枝共聚物。適合用于提供基板112的聚合物可以是大量己知的聚合物中的任意一種聚合物，例如，能夠形成膜的熱固性(交聯(lián)的)聚合物、可熱固的(可交聯(lián)的)聚合物或熱塑性聚合物，包括，丙烯酸酯(甲基丙烯酸酯，例如，聚甲基丙烯酸甲酯)、多元醇(包括聚乙烯醇)、環(huán)氧樹脂、硅垸、硅氧垸(及其所有類型的變體)、聚乙烯吡咯垸酮、聚酰亞胺、聚酰胺、聚(苯硫醚)、聚砜、苯酚甲醛樹脂、纖維素醚和纖維素酯(例如，乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素)等、硝化纖維素、聚氨酯、聚酯(例如，聚(對苯二甲酸乙二醇酯)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)、聚碳酸酯、聚烯烴(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚氯丁二烯、聚異丁烯、聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚(對氯苯乙烯)、聚偏氟乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯等))、酚醛樹脂(例如，酚酸清漆樹脂和甲階酚醛樹脂)、聚乙酸乙烯酯、苯乙烯/丙烯腈、苯乙烯/馬來酐、聚甲醛、聚乙烯基萘、聚醚醚酮、聚芳醚酮、含氟聚合物、聚(X-甲基苯乙烯、聚芳酯、聚苯醚、聚醚酰亞胺、聚芳砜、聚醚砜、聚酰胺酰亞胺、聚鄰苯二甲酰胺、以及聚偏氯乙烯。對于一些應(yīng)用，可能希望基板112對可見光具有透射性，例如，對感興趣的可見光波長的透射率為至少大約70%。在其它應(yīng)用中，可能希望基板是取向的、雙軸取向的和/或熱穩(wěn)定的。在一些情況下，可能希望基板112是撓性的，如上所述，撓性的是指基板12能夠圍繞芯纏繞，以得到具有多圈的巻狀物。基板112的厚度主要由被保護的聚合物膜的預期應(yīng)用決定，但是，對于很多應(yīng)用，很有用的厚度是大約0.01mm至1mm，更優(yōu)選為大約0.05mm至0.25mm。繼續(xù)參照圖4，保護結(jié)構(gòu)1M包括氧化硼層116和無機阻擋層118。使用氧化硼伴隨有若干優(yōu)點，但是，應(yīng)該理解，在結(jié)合被保護的聚合物膜的每一種應(yīng)用中，并不是每一個優(yōu)點都必需得以反映。氧化硼可以作為光學清晰或透明的類似玻璃的材料沉積或以其它方式施加到聚合物膜基板上，對于其中該層必需是透光的應(yīng)用，例如，在有機電致發(fā)光器件中，這可能是有利的。另外，無論濕氣是從周圍環(huán)境還是從形成或附著在該基板上的部件散發(fā)出來的，氧化硼層都可以降低聚合物膜基板透過濕氣的內(nèi)在傾向。氧化硼層116設(shè)置在聚合物膜基板112的預計要被保護以免濕氣透過的那部分(其由具體應(yīng)用決定)上。氧化硼層116的厚度也基本上隨著下述因素而變化被保護的聚合物膜110的應(yīng)用的性質(zhì)、在使用期間被保護的聚合物膜很可能會暴露的濕氣條件、在保護結(jié)構(gòu)114中存在的其它層、對被保護的聚合物膜的光學透明度和機械撓性的要求、成本等等。隨著層厚度增大，對濕氣透過的抵抗性也增大，但是這樣也許會以透明度降低、撓性降低和成本升高為代價。氧化硼層116與氧化硼層16相似，并且對氧化硼層16的上述討論適用于氧化硼層116。仍參照圖4，保護結(jié)構(gòu)114還包括無機阻擋層118，該無機阻擋層118與氧化硼層116配合保護聚合物膜基板112。雖然無機阻擋層118最常見的是作為濕氣和/或氧氣的阻擋層被包括在內(nèi)，但是無機阻擋層118可以提供保護，以免暴露于濕氣、氧氣、以及熱，和/或以免受機械沖擊。就這方面來說，優(yōu)選的是，無機阻擋層118是不滲透濕氣的，或者，它至少強烈地抵抗?jié)駳馔高^。另外，優(yōu)選的是，無機阻擋層118與氧化硼層116、聚合物膜基板112、同該無機阻擋層相鄰的其它層以及形成或附著到該聚合物膜基板上的任何部件都不反應(yīng)。在某些應(yīng)用中，可能希望無機阻擋層118作為光學清晰或透明的材料沉積或以其它方式施加，對于其中該層必須是透光的應(yīng)用，例如，在有機電致發(fā)光器件中，這可能是有利的。無機阻擋層118與無機阻擋層22相似，并且對無機阻擋層22的上述討論適用于無機阻擋層118。無機阻擋層118的厚度也基本上隨著下述因素而變化被保護的聚合物膜110的應(yīng)用的性質(zhì)、在使用期間被保護的聚合物膜很可能會暴露的濕氣條件、在保護結(jié)構(gòu)114中存在的其它層、對被保護的聚合物膜的光學透明度和機械撓性的要求、成本等等。隨著層厚度增大，對濕氣透過的抵抗性也增大，但是這樣也許會以透明度降低、撓性降低和成本升高為代價。在這些指導方針下，按有效厚度設(shè)置無機阻擋層118，有效厚度的含義是指，相對于沒有包括無機阻擋層的保護結(jié)構(gòu)的相同的聚合物膜，該厚度足以提高該聚合物膜抵抗?jié)駳馔高^、抵抗熱沖擊和/或抵抗機械沖擊等的能力。更具體地說，無機阻擋層的設(shè)置厚度優(yōu)選為大約0.5nm至70pm，更優(yōu)選為大約1.5pm至40pm，甚至更優(yōu)選為大約3.5pmto30pm。在圖4示出被保護的聚合物膜110的實施例中，氧化硼層116位于無機阻擋層118和聚合物膜基板112之間(即侵入的濕氣在遇到氧化硼層之前遇到無機阻擋層)，該聚合物膜110提供一些好處。這種布置允許氧化硼層116以基本上連續(xù)的層的形式沉積，但無需嚴格地避免形成針孔和其它類似缺陷，這些缺陷常常伴隨于氣相沉積和其它方法，因為無機阻擋層118也阻擋濕氣透過，并且是首先遇到侵入的濕氣的層(相對于氧化硼層而言)。這樣布置也允許氧化硼層116在減少透過聚合物膜基板U2的濕氣方面提供"最后的防線"?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖5，示出了聚合物膜110的另一實施例，該實施例與圖4的實施例相似，但是該實施例提供了另外的優(yōu)點，即，無機阻擋層118封裝或密封了氧化硼層116的橫向側(cè)邊116a和116b，從而額外保護該層以免在其邊緣處暴露于濕氣下。在較高的濕氣環(huán)境中，或者其中氧化硼層116僅能阻擋已透過無機阻擋層118的濕氣的情況下，該實施例可能是特別有用的。圖6的實施例與圖4的實施例相似，但還包括第二無機阻擋層120，該第二無機阻擋層設(shè)置在氧化硼層116和聚合物膜基板112之間。第二無機阻擋層120與無機阻擋層118相似，對無機阻擋層118的上述討論也適用于第二無機阻擋層120。圖6的實施例還提供另外的好處，即，由于存在第二無機阻擋層120，增強了對聚合物膜基板112的保護。圖7的實施例與圖5的實施例相似，但與圖6中所示的一樣，還包括第二無機阻擋層120。因此，在圖7中，無機阻擋層118和120配合封裝或密封氧化硼層116，從而額外保護該層以免在其邊緣處暴露于濕氣下?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖8，示出了被保護的聚合物膜110的另一實施例，該實施例與圖4的實施例相似，但是還包括可任選的緩沖層122，該緩沖層將保護結(jié)構(gòu)與固定或隨后形成在基板上的部件或其它層分隔開，這種部件或?qū)右话阌蓤D8中附圖標記124表示?？扇芜x的緩沖層122與可任選的緩沖層32相似，并且對可任選的緩沖層32的上述討論也適用于可任選的緩沖層122。圖9示出這樣一種實施例，其中，聚合物膜基板112的第一主表面112a和第二主表面112b均設(shè)置有包括氧化硼層116和無機阻擋層118的保護結(jié)構(gòu)114。圖9的實施例還包括與每個保護結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的第二無機阻擋層120，但是，應(yīng)該理解，第二無機阻擋層是可任選的，并且可以從一個或兩個保護結(jié)構(gòu)中除去。同樣，雖然圖9示出每個氧化硼層116均被無機阻擋層封裝，但是這僅是可任選的。雖然附圖中沒有示出，但是各種功能層或涂層可以添加到本發(fā)明的被保護的聚合物膜110上，以改變或改善它們的物理性質(zhì)和化學性質(zhì)，尤其是在膜的表面處的物理性質(zhì)和化學性質(zhì)。這種層或涂層可以包括例如透射可見光的導電層或電極(例如，由氧化銦錫制成的層或電極)；抗靜電涂層或膜；阻燃劑；UV穩(wěn)定劑；耐磨材料或硬蓋材料；光學涂層或濾光片；防霧材料；磁性或磁光涂層或膜；照相乳劑；棱鏡膜；全息膜或圖像；粘合劑，例如壓敏粘合劑或熱熔粘合劑；提高對相鄰層的粘附性的底漆；以及在阻擋組件將以粘合劑巻形式使用時所用的低粘附性的背膠材料。這些功能部件可以結(jié)合到阻擋組件的一個或多個最外層中，或者可以作為獨立的膜或涂層施加?，F(xiàn)在參考非限制性的例子來描述本發(fā)明，其中，除非另有指出，否則所有的份數(shù)或百分率都是按重量計算。實例除非另有指出，否則使用以下簡稱描述在實例中使用的材料或它，]的來源。_SSI描述/商業(yè)來源<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>在實例中涉及的但在上述表中沒有標明的材料可以從AldrichChemicaCompany,Milwaukee,WI得至lj。在以下實例中，除非另有說明，否則所有的玻璃基板在使用之前都經(jīng)過以下清洗程序在溫的(大約ll(TF)洗滌劑溶液(得自Deconex12NS,BorerChemie，Zuchwil,Switzerland)中進行大約5分鐘的超聲波降解處理；用溫的(大約HOT)去離子水沖洗大約IO分鐘；然后在氮吹洗式烘箱中干燥至少4個小時。實例1在實例1中制備根據(jù)本發(fā)明的OEL器件，該OEL器件包括玻璃(即，具有低透濕性的)基板，該玻璃基板支撐第一電極、第二電極以及置于該第一電極和該第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)。還提供包括氧化硼層和無機阻擋層的保護結(jié)構(gòu)，其中氧化硼層與OEL器件的工作部件(即，發(fā)光結(jié)構(gòu)和第一電極及第二電極)直接接觸。用ITO層以四個像素的形式對50mmx50mm尺寸的玻璃基板進行圖案化，其中每個像素的尺寸為0.25cm2(20歐姆/口(歐姆每平方)的帶涂層玻璃，可得自DeltaTechnologiesLtd.，StillwaterMN)。將PEDOT溶液(1%的固體含量)以2500RPM在基板旋涂'30秒，然后在氮氣的氣氛下于85'C干燥15分鐘。在大約5xl(T6托的真空室中，使用熱蒸鍍法在PEDOT層的上面沉積發(fā)射綠光的OLED堆。更具體地說，該OLED堆是通過在該PEDOT層上沉積以下層(依照所列順序進行沉積)而得到的NPD(400A,lA/s)/A1Q:C545T(摻雜1%，300A，lA/s)/A1Q(200A，lA/s)/LiF(7A，0.5A/s)/Al(2500A，25A/s))。然后，通過將3000A的B203沉積在鋁層的上面以封裝OEL器件的工作部件，來施加用于OEL器件的保護結(jié)構(gòu)。使用熱蒸鍍法從鎢凹源(tungstendimplesource)(得自R.D.Mathis，SignalHill,CA的S8A-0.010W)施力118203(其速率為大約3-5A/s)。在用保護結(jié)構(gòu)封裝工作部件之前和之后，使用光學照相校正的硅光電二極管(得自UDTSensors,Hawthorne,CA)測量器件效率；結(jié)果觀察到器件效率沒有明顯的差異。實例2在實例2中制備有保護結(jié)構(gòu)封裝和沒有保護結(jié)構(gòu)封裝的具有由水溶液形成的層的OEL器件。將PEDOT層以2500RPM在圖案化的ITO玻璃基板上旋涂30秒，玻璃基板如實例l中所述，然后在氮氣的氣氛下于85t:干燥15分鐘。接著，如實例所述，將實例的發(fā)射綠光的OLED堆氣相沉積到在涂有PEDOT的玻璃基板的上面。然后，通過下述方式用保護結(jié)構(gòu)封裝幾個這些器件("試驗器件")的幾個器件將3000A的B2O3熱蒸鍍到工作部件的上面(使用實例l中所述的方法去施加8203層)，使用Thermo-Bond845-EG-2.5熱熔粘合劑，用手將銅箔層壓到B203層的上面。幾個其它器件("對照器件")通過如下方式來完成使用Thermo-Bond845-EG-2.5熱熔粘合劑，用手將銅箔層壓到OEL器件的工作部件的上面，但沒有包括B2(33層。將試驗器件和對照器件都在環(huán)境條件下貯藏一周，使用立體顯微鏡(得自Zeiss,Germany的StemiSV11APO)拍攝所有像素的電致發(fā)光(EL)圖像，其中該立體顯微鏡配備有彩色CCD相機(得自DAGEMTIInc.,MichiganCity,IN的DC330)。然后，每隔兩周拍攝EL圖像，比較試驗器件和對照器件的"黑點"生長(黑點生長是器件被濕氣老化的標記)。相對于試驗器件，對照器件明顯老化。在環(huán)境條件下貯藏大約3周之后，對照器件幾乎全部被不發(fā)光的區(qū)域(即黑點)覆蓋，而試驗器件顯示出可忽略不計的黑點生長。實例3在實例3中制備具有保護結(jié)構(gòu)封裝和沒有保護結(jié)構(gòu)封裝的OEL器件，這種器件制造時沒有從水溶液澆鑄的層。將平坦化HIL(MTDATA:FTCNQ(摻雜2.8%，3000A))氣相沉積到圖案化的ITO玻璃基板上面，基板如實例1中所述。使用如實例1中所述的沉積方法，將實例1的發(fā)射綠光的OLED堆沉積到HIL上面。用A1Q緩沖層(IOOOA,1A/s)涂敷這些樣品中的幾個，其中AIQ緩沖層被熱沉積在鋁陰極的上面。然后，通過下述方式用保護結(jié)構(gòu)封裝這些器件將3000A的8203熱蒸鍍到工作部件和緩沖層的上面(使用實例1中所述的方法施加B203層)，使用Thermo-Bond845-EG-2.5熱熔粘合劑，用手將銅箔層壓到13203層的上面。這些樣品稱為"試驗器件"。幾個其它器件通過如下方式來完成使用Thermo-Bond845-EG-2.5熱熔粘合劑，用手將銅箔層壓到OEL器件的工作部件的上面，但沒有包括緩沖層或8203層。這些樣品稱為"對照器件"。將試驗器件和對照器件都在環(huán)境條件下jC:藏，使用實例2中所述的技術(shù)隨著時間的推移拍攝這些器件的EL圖像，比較試驗器件和對照器件的"黑點"生長。貯藏大約1周之后，對照器件顯示出大量的黑點生長，表示濕氣侵入了，而試驗器件顯示出可忽略不計的黑點生長。關(guān)于試驗器件，普遍認為，進入器件的濕氣被B203層消耗了，從而表明了B203可以捕獲制造之后從器件外部來源進入OEL器件的水。實例4制備實例4來評價氣相沉積在13203層上面的無機阻擋層對減少濕氣滲透到高反應(yīng)性的鈣金屬層的效果。在氮氣氣氛的手套式操作箱中，將六個氧等離子體清潔(采用得自PlasmaticSystems,Inc.，NorthBrunswick,NewJersey的Plasma-Preen11-973，以全功率和5psi的氧氣清潔5分鐘)的22mm的玻璃蓋片基板放置在金屬遮罩上，該金屬遮罩在中心包括10mmx10mm方形開口。把它們裝載到位于手套式操作箱內(nèi)的薄膜蒸鍍室，該室被抽空到7xl0—7托。從BN坩鍋以大約2A/秒的速率熱蒸鍍鈣，直到沉積2000A為止。三個涂有鈣的玻璃蓋片基板被處理為"試驗器件"。從鎢舟通過10mmx10mm的方形遮罩以大約1.5A/秒(6x10—7托室氣壓)的速率沉積B203(500A)。然后，用具有20x20mm的開口的遮罩替換10mmx10mm的方形遮罩，放置為使得原lOmmx10mm方形沉積在20x20mm的開口內(nèi)處于中心。接著，用鎢舟以lA/秒(5x10—6托室氣壓)蒸鍍一氧化硅無機阻擋層(1000A)，以得到三個試驗器件，這些試驗器件具有玻璃蓋片基板并依次具有2000A的鈣、500A的B2O3和1000A的一氧化硅。余下三個涂有鈣的玻璃蓋片基板被處理為"對照器件"，它們不包括一氧化硅無機阻擋層。將這些基板放置在包括20x20mm的開口的遮罩上方，并且將薄膜蒸鍍室抽空到1x10-7托。從鎢舟以lA/秒的速率蒸鍍氧化硼(1500A)，以得到三個包括被1500A的B2O3覆蓋的2000的A鈣的對照器件，但是不包括一氧化硅無機阻擋層。從手套式操作箱內(nèi)取出一個對照器件和一個試驗器件，并且與僅涂有2000A的鈣的玻璃蓋片基板一起貯藏在環(huán)境空氣中。通過視覺監(jiān)視鈣層的狀況，結(jié)果如下。在于玻璃蓋片基板上僅包括2000A的鈣層的器件中，鈣層很快地老化，在空氣中暴露大約20分鐘之后，類似金屬鏡面的外觀消失，在大約2-3小時之后該鈣層幾乎是透明的。在空氣中暴露大約2.75小時之后，每一個對照器件仍保持其類似金屬鏡面的外觀，但是，在原來光學透明的]3203層中觀察到輕微的模糊。在空氣中暴露大約24小時之后，檢測到鈣層的光學密度顯著下降，同時在鈣層中檢測到幾個透明的孔，但是，總體上，當通過玻璃蓋片觀看時，鈣層保持其類似金屬鏡面的外觀。在空氣中暴露大約54小時之后，鈣層的類似金屬鏡面的外觀都從對照器件上基本上消失了。在空氣中暴露大約2.75小時之后，每一個試驗器件都保持其類似金屬鏡面的外觀。在空氣中暴露大約24小時之后，在試驗器件中的類似金屬鏡面的外觀大部分得以保持，但是，用人眼觀看到，鈣層的光學密度稍微減少(即，在鈣層中觀看到幾個小模糊點)。在空氣中暴露大約54小時之后，鈣層的外觀中有非常多的斑點，但是在很多區(qū)域仍保持其類似金屬鏡面的外觀。在空氣中暴露大約119小時之后，鈣層被認為是相當透明的，但是仍保持具有類似金屬鏡面的外觀的一些小斑點。實例5在實例5中制備根據(jù)本發(fā)明的OEL器件，以評價8203層對器件的發(fā)光能力的影響。通過如下方式來清潔九個22mm的正方形(1mm厚)的涂有ITO的玻璃基板(15歐姆/口，得自ColoradoConc印tCoatingsLLC,Longmont,Colorado):用甲醇浸泡的不起毛布(得自TexwipeCo.,LLC,UpperSaddleRiver,NewJersey的VectraAlpha10)擦凈，然后在50瓦且200毫托氧的條件下進行4分鐘的氧等離子體處理(得自Technics,Inc.,Dublin,California的Micro-RIESeries80)。將PEDOT以2500RPM在清潔的基板上旋涂30秒，并且在氮氣氣氛下，將這些基板在ll(TC的熱板上干燥20分鐘。將這些基板放置在鐘形罐型的OLED沉積室中，然后將該系統(tǒng)抽空到5x10'6托。然后，通過20mm的正方形遮罩依次蒸鍍NPD(300A，lA/s)、摻雜2%C545T的A1Q(300A,lA/s)和A1Q(200A，lA/s)，并且將這些樣品轉(zhuǎn)移到手套式操作箱，該手套式操作箱包括用于陰極熱沉積的薄膜蒸鍍室(得自BOCEdwards,England的Edwards500)。接著，制備三個樣品，每個樣品包括三個基板。然后，在一個樣品中，在大約10—7托的條件下，通過1cn^的圓形遮罩依次沉積A1Q(300A，lA/秒)、LiF(7A，0.5A/秒)、鋁(200A，lA/秒)和銀(l,OOOA，2A/秒)。在第二樣品中，在大約10'7托的條件下，通過lcr^的圓形遮罩依次沉積B203:A1Q(大約1:2的比例、300A，2A/秒)、氟化鋰(7A，0.5A/秒)、鋁(200A，lA/秒)和銀(l,OOOA，2A/秒)。在第三樣品中，在大約l(T7托的條件下，通過1cii^的圓形遮罩依次沉積B203:A1Q(大約2:1比例，200A，2A/秒)、氟化鋰(7A，0,5A/秒)、鋁(200A，lA/秒)和銀(l,OOOA，2A/秒)。當用6伏特的DC供電時，所有九個器件都發(fā)射綠光。存在B203層對OEL器件的發(fā)光特性沒有負面影響。實例6在實例6中制備根據(jù)本發(fā)明的結(jié)合被保護的聚合物膜的OEL器件。通過混合已溶解在1000克MEK中的80克Ebecryl629、20克SR399和2克Irgacure184來制備可UV固化的溶液。使用CAG150微凹版涂布機，以20英尺/分鐘的工作速度，將所得到的溶液涂敷到一巻6.5英寸寬的HSPEIOOPET膜基板上。隨后，在70。C下在線干燥該涂層，接著，在氮氣氣氛下，用以100%功率工作的FusionDUVLamp進行固化。這產(chǎn)生了上面具有近似0.7|im厚的透明涂層的透明PET膜基板。對購自3M公司的商品名為Scotchpak1220的聚合物織物掩模進行沖切，然后使用巻式層壓機將它熱層壓到PET膜基板的被涂敷表面上。使用利用l毫托的壓力、1千瓦功率的DC濺射法，將近似35nm厚的ITO層、隨后近似10nm厚的Ag層以及接著近似35nm厚的ITO層依次沉積在PET膜基板的被涂敷表面上，其中涂敷ITO的氬氣和氧氣流速分別為150sccm(標況毫升每分)和6sccm，涂敷Ag的氬氣流速為150sccm。這些涂敷條件導致IO歐姆/口的薄層電阻。ITO層用作陽極和用于隨后形成的OLED器件的陰極的堅固觸點。然后，剝掉聚合物掩模，以在PET膜基板上產(chǎn)生導電圖案。從該巻PET膜基板上切割下50mmx50mm尺寸的導電圖案化基板的樣品，該樣品包括四個像素，每個像素的尺寸為0.25cm2。通過在溫的(大約110°F)洗滌劑溶液(得自BorerChemie,Zuchwil,Switzerland的Deconex12NS)中的超聲波降解法，對該樣品超聲波清洗大約5分鐘，在溫的(大約IIO下)去離子水中沖洗大約IO分鐘，然后在氮吹洗的烘箱中干燥至少4個小時。接著，在購自AST,Inc.,Billerka,MA的商品名為ModelPS500的等離子體處理機中，在300毫托壓力、500sccm的氧氣流速和400瓦的RF功率的條件下，對ITO/Ag/ITO表面進行等離子體處理2分鐘。在PET膜基板的導電圖案頂面上，以1.8A/s的速率氣相沉積3,000A厚的空穴注入層(MTDATA:FTCNQ(摻雜2.8%))。然后，在大約5xl(T6托的真空室中，使用熱蒸鍍法在該空穴注入層的上面氣相沉積實例1中的發(fā)射綠光的OLED堆。利用在該空穴注入層上依次進行如下沉積而得到器件結(jié)構(gòu)NPD(400A，lA/s)/A1Q:C545T(摻雜1%,300A，lA/s)/A1Q(200A,lA/s)/LiF(7A，0.5A/s)/Al(2500A，25A/s))。然后，使用熱蒸鍍法從鎢凹源得自R.D.Mathis，SignalHill，CA的S8A-0.010W)在該器件結(jié)構(gòu)層的上面沉積3,000A的B203，來封裝該OLED器件的工作部件。然后，用Thermo-Bond845-EG-2.5，在大約8(TC的溫度下，使用手操作的橡膠輥在B203的上面熱層壓2密耳厚的保護銅箔無機阻擋層。銅箔足夠大，以封裝四個像素的發(fā)光區(qū)域，但是PET膜基板的邊緣保持露出，從而提供電接觸點。為了方便，這個器件稱為"OLED器件A"。使用光學照相校正的硅光電二極管(得自UDTSensors,Hawthorne,CA)，測量OLED器件A的器件效率。接著評價將根據(jù)本發(fā)明的被保護的聚合物膜結(jié)合到OLED器件A中對器件效率的影響。使用上述用于以前施加的B203層的沉積條件，在PET膜基板的與其上已經(jīng)沉積器件結(jié)構(gòu)的表面相背對的表面上沉積3，000A厚的B203層。然后，用光學粘合劑將一對多層組件以面對面的方式層壓在一起，來制備多層無機阻擋層。每個組件包括形成在PET基底上的六個交替的聚合物材料層和無機材料層。完成時，層壓的多層無機阻擋層具有如下結(jié)構(gòu)PET基底/聚合物1/SiA0/聚合物2/SiA0/聚合物2/SiA10/光學粘合劑/SiA10/聚合物2/SiA10/聚合物2/SiA10/聚合物1/PET基底。如下段中所述，形成每個組件。PET基底+聚合物1("層1")。使用CAG150微凹版涂布機，以6.1m/分鐘的工作速度，用可UV固化的溶液涂敷HSPE50PET基膜，該可UV固化的溶液是通過混合己溶解在972克MEK中的145.5克Ebecryl629、37.5克卩-CEA和9.03克Irgacure184而制得的。使用在100%功率工作的FusionHUVLamp對該涂層進行固化，以提供聚合物1。SiAlO層("層2")。然后，將涂有聚合物1(即層1)的PET基膜裝載到巻式濺射涂布機上，將沉積室抽空至2xl0—6托的氣壓。使用如下條件通過反應(yīng)噴涂Si-Al靶材(購自AcademyPrecisionMaterials,Albuquerque,NM的90%-10%Si-Al耙材)來在聚合物1的上面沉積60nm厚的SiAlO無機氧化物層功率為2kW以及電壓為600V，在l毫托的氣壓下包括流速為51seem的氬氣和流速為30seem的氧氣的氣體混合物，0.43m/分鐘的織物速度。聚合物2("層3")。使用用于施加和固化聚合物1的所述條件，但是CAG150微凹版涂布機的工作速度為4.6m/分鐘，在以前施加的SiAlO層上再涂上可UV固化的溶液，然后進行固化，以提供聚合物2，其中所述可UV固化的溶液是通過在405克MEK中混合2.25克UVI-6974禾卩42.75克EHPE3150而制得的。使用與用于層2和層3的條件相同的條件，分別將第二SiAlO層沉積到層3的上面，以形成層4，將第二層聚合物2涂敷到層4的上面，以形成層5，然后將第三層SiA10沉積到層5的上面，以形成層6，從而提供具有PET基底/聚合物1/SiA10/聚合物2/SiA10/聚合物2/SiAlO構(gòu)造的組件。將所得到的組件分成兩巻，然后使用8141粘合劑和雙輥層壓機將它們以面對面的方式層壓在一起，以形成多層無機阻擋層。接著，用8141粘合劑將多層無機阻擋層層壓到露出的B203層上，從而將被保護的聚合物膜結(jié)合到OLED器件A中。使用和前面所述相同的方法，再次測量器件效率。將根據(jù)本發(fā)明的被保護的聚合物膜結(jié)合到OLED器件A中，沒有明顯改變所得到的器件的效率。實例7在實例7中制備根據(jù)本發(fā)明的結(jié)合被保護的聚合物膜的OLED器件。制備實例6的OLED器件A的額外樣品，并且使用環(huán)氧樹脂細珠(得自HuntsmanLLC,AdvancedMaterialsDivision,Vantico,EastLansing,MI的Araldite2014)邊緣密封銅箔。該環(huán)氧樹脂能在室溫的N2氣氛下在12小時以內(nèi)固化變硬。為了方便，這稱為"OLED器件B"。接下來，按照下述程序制備無機阻擋層。通過在405克MEK中混合2.25克UVI-6974和42.75克EHPE3150來制備可UV固化的聚合物溶液。使用CAG150微凹版涂布機，以15英尺/分鐘的工作速度，將所得到的溶液涂敷到購自FerraniaImagingTechnologies,Italy的商品名為Arylite的6.5英寸寬、100微米厚的氟聚酯膜上。隨后，在70°C下在線干燥該涂層，接著，在氮氣氣氛下，用以100%功率工作的FusionDUVLamp進行固化。這產(chǎn)生了上面具有近似0.7(im厚的透明涂層的透明PET膜基板。然后，將被涂敷的膜裝載到濺射涂布機上，將沉積室抽空至2xl0—6托的氣壓。使用下述條件沉積60nm厚的SiAlO無機氧化物層功率為370W和電壓為375V，在6毫托的氣壓下包括流速為20sccm的氬氣和流速為18sccm的氧氣的氣體混合物，以及7英寸/分鐘的織物速度。用得自AppliedPrecisionMaterials,Albuquerque,NM的90/10的Si/Al靶材作為靶材。接著，將無機阻擋層結(jié)合到前面制備的OLED器件B的樣品中，分別形成OLED器件Bl和OLED器件B2。通過在PET膜基板的與其上己經(jīng)建立器件結(jié)構(gòu)的表面相背對的表面上沉積3,000A厚的8203層來制備OLED器件Bl。使用熱蒸鍍法(約3-5A/秒)從鎢凹源(得自R.D.Mathis,SignalHill,CA的S8A-0.010W)沉積B203。然后，使用8141粘合劑和雙輥層壓機將前面制備的無機阻擋層層壓到露出的B203層上，以制成0LED器件B1。使用8141粘合劑和雙輥層壓機，將前面制備的無機阻擋層層壓到PET膜基板的"前側(cè)"表面(即與其上已經(jīng)建立器件結(jié)構(gòu)的表面相背對的表面)上，來制備OLED器件B2。因此，OLED器件B2與OLED器件Bl的不同之處在于，OLED器件B2沒有B203層，而在OLED器件Bl的前側(cè)上使用了8203層。在環(huán)境條件下貯藏樣品(OLED器件B2和OLED器件Bl)。按時拍攝照明器件(即OLED器件B2和OLED器件Bl)的照片，以比較黑點生長。隨著時間流逝，與在前側(cè)上具有B203層的OLED器件Bl的樣品相比，OLED器件B2(即，在其前側(cè)上沒有B203)的樣品表現(xiàn)出明顯更多的黑點生長。盡管本發(fā)明的細節(jié)已經(jīng)在附圖和說明書中以示例的方式被示出，但是本發(fā)明可進行各種各樣的修改并有各種可選的形式。應(yīng)該這樣理解，本發(fā)明不局限于這些具體實施例。相反，本發(fā)明應(yīng)當覆蓋落入在由附屬權(quán)利要求限定的本發(fā)明的實質(zhì)和范圍內(nèi)的各種修改、等同形式和替代形式。對于本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，通過閱讀本發(fā)明，對本發(fā)明的各種修改、等同方法以及本發(fā)明可適用的各種結(jié)構(gòu)都將是顯而易見的。權(quán)利要求1.一種有機電致發(fā)光器件，包括a)低透濕性的基板，其支撐第一電極、第二電極以及置于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)；以及b)保護結(jié)構(gòu)，其與所述基板配合以封裝所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述保護結(jié)構(gòu)包括氧化硼層和無機阻擋層。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述無機阻擋層具有低的透濕性。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述氧化硼層設(shè)置在所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之上，并且所述無機阻擋層設(shè)置在所述氧化硼層之上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述無機阻擋層包括無機氧化物。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述無機氧化物是氧化硅。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述器件還包括置于所述保護結(jié)構(gòu)與所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的緩沖層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述緩沖層保護所述氧化硼層以使其不與所述第一電極、所述第二電極和/或所述發(fā)光結(jié)構(gòu)反應(yīng)。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述緩沖層設(shè)置在所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之上，所述氧化硼層設(shè)置在所述緩沖層之上，并且所述無機阻擋層設(shè)置在所述氧化硼層之上。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述緩沖層包括有機金屬化合物或螯形化合物。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述保護結(jié)構(gòu)還包括第二無機阻擋層。11.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述緩沖層設(shè)置在所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之上，所述無機阻擋層設(shè)置在所述緩沖層之上，所述氧化硼層設(shè)置在所述無機阻擋層之上，并且所述第二無機阻擋層設(shè)置在所述氧化硼層之上。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述基板選自玻璃、硅、鋁、銅和不銹鋼。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述基板是被保護的聚合物膜。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述氧化硼層對所述發(fā)光結(jié)構(gòu)所發(fā)射的光是透明的。15.—種保護有機電致發(fā)光器件使其不吸收濕氣的方法，包括a)提供有機電致發(fā)光組件，所述有機電致發(fā)光組件包括低透濕性的基板，所述基板支撐第一電極、第二電極和置于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)；以及b)施加保護結(jié)構(gòu)，所述保護結(jié)構(gòu)與所述基板配合以封裝所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中，所述保護結(jié)構(gòu)包括氧化硼層和無機阻擋層。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過熱蒸鍍法來施加所述氧化硼層。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過氣相沉積法來施加所述無機阻擋層。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述器件還包括位于所述有機電致發(fā)光組件和所述保護結(jié)構(gòu)之間的緩沖層，并且通過熱蒸鍍法來施加所述緩沖層。全文摘要本發(fā)明公開一種有機電致發(fā)光器件，包括基板，其支撐第一電極、第二電極和發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)置于所述第一電極和所述第二電極之間。包括氧化硼層和無機阻擋層的保護結(jié)構(gòu)與所述基板配合以封裝所述第一電極、所述第二電極和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)。文檔編號H05B33/04GK101124852SQ200580032198公開日2008年2月13日申請日期2005年9月6日優(yōu)先權(quán)日2004年9月23日發(fā)明者喬治·范·戴克·蒂耶爾,弗雷德·B·麥考密克,馬諾耶·尼馬爾申請人:3M創(chuàng)新有限公司