專(zhuān)利名稱：：微波爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種微波爐。
背景技術(shù)：
：圖5是表示一般的微波爐結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖5所示，該微波爐具備放置被加熱物的腔體2；設(shè)置在所述腔體2外且產(chǎn)生高頻波的磁控管3；入口、出口分別與所述磁控管3、所述腔體2連接的波導(dǎo)管4；設(shè)置于波導(dǎo)管4內(nèi)部且用于發(fā)射所述磁控管3產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線5。以往，一般為了提高微波爐的加熱效率，例如在日本專(zhuān)利特開(kāi)平5-121158號(hào)、特開(kāi)平5-266976號(hào)、特開(kāi)平10-106741號(hào)公報(bào)中是采用將高頻波直接照射到被加熱物上進(jìn)行加熱的方式，或者，進(jìn)一步地，如日本專(zhuān)利特開(kāi)平5-121158號(hào)所述，為了提高加熱效率，設(shè)置能夠根據(jù)被加熱物進(jìn)行阻抗匹配的匹配調(diào)整手段。然而，在上述以往的構(gòu)造中，由于微波爐的磁控管產(chǎn)生的高頻波直接照射到被加熱物上，因此，對(duì)于爆玉米等低密度、輕負(fù)載的被加熱物很難進(jìn)行有效的加熱，而且，存在加熱不均勻的問(wèn)題。而且，若設(shè)置匹配調(diào)整手段等的調(diào)節(jié)手段，則不可避免地造成微波爐結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本升高。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題，其目的在于提供一種加熱均勻、全面且加熱效率高的微波爐。本發(fā)明第1方面的微波爐，具備放置被加熱物的腔體；設(shè)置在所述腔體之外且產(chǎn)生高頻波的磁控管；入口、出口分別與所述磁控管、所述腔體連接且用于將高頻波傳遞到所述腔體的波導(dǎo)管；設(shè)置于波導(dǎo)管內(nèi)部且用于發(fā)射所述磁控管產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線，其特征在于，還具備直接照射抑制裝置，所述直接照射抑制裝置設(shè)置在所述波導(dǎo)管內(nèi)的出口附近或者面對(duì)所述出口的所述腔體的內(nèi)壁上。由于在所述波導(dǎo)管內(nèi)的出口附近或者面對(duì)所述出口的所述腔體的內(nèi)壁上設(shè)置了該直接照射抑制裝置，能夠使得從磁控管天線發(fā)射出來(lái)的高頻波發(fā)生散射，能夠抑制高頻波直接照射到被加熱物上，使得加熱均勻。同時(shí)，當(dāng)高頻波經(jīng)過(guò)該直接照射抑制裝置發(fā)射進(jìn)入到腔體時(shí)，若在被加熱物的密度小的情況下，該直接照射抑制裝置能夠防止高頻波反射回波導(dǎo)管，即可以提高加熱效率。因此，該直接照射抑制裝置能夠使得高頻波全面均勻覆蓋整個(gè)被加熱物并且提高加熱效率。再者，在上述微波爐中，進(jìn)一步還具備凸塊，所述凸塊設(shè)置在波導(dǎo)管內(nèi)，并且相對(duì)于所述磁控管發(fā)射天線與所述直接照射抑制裝置設(shè)置在同一側(cè)。這樣，利用該凸塊可以防止從磁控管天線發(fā)射出的高頻波反射回磁控管，可以進(jìn)一步提高加熱效果，有效防止微波爐在進(jìn)行一段時(shí)間加熱之后的功率回落的情況。再者，在上述微波爐中，所述直接照射抑制裝置為片狀體，進(jìn)一步地為作圓角的矩形或梯形或不規(guī)則形狀的片狀體，最好為半圓形的片狀體。由于將所述直接照射抑制裝置作成上述形狀，而且，能夠有效增加波導(dǎo)管出口處的周長(zhǎng)，使得磁控管發(fā)射天線發(fā)射出來(lái)的高頻波能夠充分地發(fā)射到腔體中。而且，在將直接照射抑制裝置作成半圓形的片狀體的情況下，在制造工藝上易于實(shí)現(xiàn)，不會(huì)增加生產(chǎn)成本。再者，在上述微波爐中，所述凸塊可以為與所述直接照射抑制裝置的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀，在所述直接照射抑制裝置為半圓形的片狀體時(shí)，所述凸塊最好為半球形凸起。而且，最好，將所述磁控管發(fā)射天線、所述直接照射抑制裝置以及所述凸塊的各自的中心線位于同一平面內(nèi)。這樣，使得所述凸塊和所述直接照射抑制裝置在形狀上相對(duì)應(yīng)或者處于同一個(gè)平面內(nèi)，所述凸塊和所述直接照射抑制裝置能夠更好地結(jié)合起來(lái)，發(fā)揮抑制高頻波直接照射到被加熱物以及防止高頻波反射回波導(dǎo)管或磁控管的效果。再者，最好所述直接照射抑制裝置的中心線和凸塊的中心線之間的距離在15～23mm。這樣能夠進(jìn)一步提高加熱效率。圖1(a)、圖1(b)是表示本發(fā)明實(shí)施例1的微波爐的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例2的微波爐的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例1、2的微波爐和以往的微波爐的輸出功率的曲線圖。圖4(a)、(b)、(c)是表示本發(fā)明實(shí)施例的變換例的微波爐主要結(jié)構(gòu)部分的示意圖。圖5是表示以往的微波爐的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式下面參照附圖1～4對(duì)本發(fā)明各實(shí)施形態(tài)作詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施形態(tài)1首先，參照?qǐng)D1(a)、圖1(b)對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例1的微波爐進(jìn)行說(shuō)明。圖1(a)是表示本發(fā)明實(shí)施例1的微波爐的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖1(b)是從圖1(a)中的腔體2中向內(nèi)壁2’側(cè)方向觀察的示意圖。本發(fā)明實(shí)施例1的微波爐是在如圖5所示的以往的微波爐的結(jié)構(gòu)上增加了直接照射抑制裝置6。因此，在該圖1中對(duì)于與以往微波爐相同的結(jié)構(gòu)部分，賦予相同的符號(hào)。如圖1(a)所示，本發(fā)明實(shí)施例1的微波爐具備放置被加熱物的腔體2；設(shè)置在所述腔體2外且產(chǎn)生高頻波的磁控管3；入口(未圖示)、出口1分別與所述磁控管3、所述腔體2連接的波導(dǎo)管4；設(shè)置于波導(dǎo)管4的內(nèi)部且用于發(fā)射所述磁控管3產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線5；以及直接照射抑制裝置6，該直接照射抑制裝置6設(shè)置在所述波導(dǎo)管4內(nèi)的出口1附近或者設(shè)置在面對(duì)所述出口1的所述腔體2的內(nèi)壁2’上。在本實(shí)施例中，如圖1(b)所示，是將該直接照射抑制裝置6作成半圓形的片狀體。由此，能夠增加波導(dǎo)管4出口處的周長(zhǎng)，使得磁控管發(fā)射天線5發(fā)射出來(lái)的高頻波能夠充分地發(fā)射到腔體2中。而且，由于設(shè)置了該直接照射抑制裝置6能夠使得從磁控管天線5發(fā)射出來(lái)的高頻波發(fā)生散射，以抑制高頻波直接照射到被加熱物上。同時(shí)，當(dāng)高頻波經(jīng)過(guò)該直接照射抑制裝置6發(fā)射進(jìn)入到腔體2時(shí)，若在被加熱物的密度小的情況下，該直接照射抑制裝置6還能夠防止高頻波反射回波導(dǎo)管4。因此，該直接照射抑制裝置6能夠使得高頻波全面地覆蓋整個(gè)被加熱物以進(jìn)行均勻加熱并提高加熱效率。在本實(shí)施例中，該直接照射抑制裝置6是半圓形的片狀體。在制造工序中，可以通過(guò)落料成形以將直接照射抑制裝置6與腔體2形成為一個(gè)整體?？梢?jiàn)，其制造工藝上簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)，故不會(huì)增加微波爐的生產(chǎn)成本，更不需要如現(xiàn)有技術(shù)日本特開(kāi)平5-121158那樣增設(shè)提高加熱效率的匹配調(diào)整手段。下面，對(duì)于本實(shí)施例1的微波爐和現(xiàn)有技術(shù)的微波爐利用高頻輸出法(IEC法)測(cè)試其輸出功率。在本試驗(yàn)中，額定功率為P＝1100W、額定電壓為V＝120V～，額定頻率為F＝60Hz，加熱時(shí)間T＝4187×10/額定功率＝38.06S，安全標(biāo)準(zhǔn)為B-S125。其中，記號(hào)1#、2#、3#表示結(jié)構(gòu)相同的微波爐，但它們之間存在因制造精度帶來(lái)的不可避免的偏差。表1表示對(duì)本實(shí)施例1的微波爐的試驗(yàn)結(jié)果，表2表示對(duì)不具備直接照射抑制裝置6的現(xiàn)有技術(shù)的微波爐的試驗(yàn)結(jié)果。表1表2<tablesid="table2"num="002"><tablewidth="667">電壓條件100％電壓(120V)機(jī)號(hào)1#2#3#1st2nd1st2nd1st2nd室溫(℃)20℃20℃20℃20℃20℃20℃輸入電流(A)15.815.815.915.915.915.9消耗功率(W)187518751875187518751875t1(℃)10.410.710.310.410.410.7t2(℃)20.220.420.020.120.120.5Δt(deg)9.89.79.79.79.79.8加熱時(shí)間(s)38.5438.2438.2038.2938.1038.19輸出功率(w)1064.681062.081063.201060.7010661074.43平均值(W)1063.381061.951070.22</table></tables>比較上述表1和表2的試驗(yàn)結(jié)果，可以發(fā)現(xiàn)本實(shí)施例1的微波爐比現(xiàn)有技術(shù)的微波爐輸出功率可以提高40W～60W左右。進(jìn)一步地，對(duì)本實(shí)施例1的微波爐和現(xiàn)有技術(shù)的微波爐進(jìn)行爆玉米試驗(yàn)。在該試驗(yàn)中，被加熱物(負(fù)載)是玉米，重量為3.50盎司(相當(dāng)于99克)，試驗(yàn)條件按“爆玉米”鍵，按“開(kāi)始”鍵，5次連續(xù)加熱。其中，記號(hào)1#、2#、3#表示結(jié)構(gòu)相同的微波爐，但它們之間存在因制造精度帶來(lái)的不可避免的偏差。表3表示對(duì)本實(shí)施例1的微波爐的試驗(yàn)結(jié)果，表4表示對(duì)不具備直接照射抑制裝置6的現(xiàn)有技術(shù)的微波爐的試驗(yàn)結(jié)果。表3表4比較上述表3和表4的試驗(yàn)結(jié)果，在上述試驗(yàn)中，可以發(fā)現(xiàn)本實(shí)施例1的微波爐比現(xiàn)有技術(shù)的微波爐未爆開(kāi)的玉米數(shù)量少很多。通過(guò)上述爆玉米試驗(yàn)，能夠進(jìn)一步證實(shí)本發(fā)明實(shí)施例1的微波爐具有能夠均勻、全面地對(duì)被加熱物進(jìn)行加熱的效果，特別地，對(duì)于玉米這樣的低密度、輕負(fù)載的被加熱物，效果特別明顯。實(shí)施例2首先，參照?qǐng)D2，圖3對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例2的微波爐進(jìn)行說(shuō)明。圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例2的微波爐的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例1、2以及現(xiàn)有技術(shù)的微波爐的輸出功率的曲線圖示意圖。在圖3中，該曲線圖的坐標(biāo)橫軸表示時(shí)間，坐標(biāo)縱軸表示輸出功率，其中，在該曲線圖中，實(shí)線表示現(xiàn)有技術(shù)微波爐的輸出功率，點(diǎn)劃線表示本發(fā)明實(shí)施例1的微波爐的輸出功率，虛線表示本發(fā)明實(shí)施例2的微波爐的輸出功率。如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例1的微波爐在微波爐開(kāi)始工作時(shí)的初期，功率相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的微波爐確實(shí)獲得了大幅度提高，然而，在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間加熱后功率還會(huì)略有所回落。因此，為了更進(jìn)一步地提高加熱效果，改善一段時(shí)間后功率略有回落的問(wèn)題。如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例2是在圖1(a)、圖1(b)所示的微波爐的結(jié)構(gòu)上增加了凸塊7。這里，在圖2中，對(duì)于與實(shí)施例1的微波爐相同的結(jié)構(gòu)部分，賦予相同的符號(hào)。在圖2所示，該凸塊7設(shè)置在波導(dǎo)管4內(nèi)，并且，相對(duì)于所述磁控管發(fā)射天線5的位置與所述直接照射抑制裝置6位于同一側(cè)。利用該凸塊7可以使高頻波發(fā)生散射，最大量地發(fā)射回腔體內(nèi)，使被加熱物受熱均勻，同時(shí)，能夠與直接照射抑制裝置6結(jié)合起來(lái)發(fā)揮更高的加熱效果。比較圖3所示的各曲線可以發(fā)現(xiàn)，以虛線所表示的本實(shí)施例2的微波爐的輸出功率不僅開(kāi)始工作時(shí)的初期功率相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的微波爐大幅度提高而且在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間加熱后功率也不會(huì)回落。這里，最好，將凸塊7與直接照射抑制裝置6的平面相平行的截面的形狀作成與直接照射抑制裝置6的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀。由于在實(shí)施例1中的直接照射抑制裝置6的形狀為半圓形的片狀體，因此，在本實(shí)施例2中，是將凸塊7作成與其相應(yīng)的半球形的凸起。下面，對(duì)于本實(shí)施例2的微波爐與上述實(shí)施例1相同地利用高頻輸出法(IEC法)測(cè)試其輸出功率。在本試驗(yàn)中，采用用與上述實(shí)施例1相同的試驗(yàn)條件，即額定功率為P＝1100W、額定電壓為V＝120V～，額定頻率為F＝60Hz，加熱時(shí)間T＝4187×10/額定功率38.06S，安全標(biāo)準(zhǔn)為B-S125。下文的表5表示對(duì)本實(shí)施例2的微波爐的試驗(yàn)結(jié)果。表5比較表5和表1、表2的試驗(yàn)結(jié)果，可以發(fā)現(xiàn)本實(shí)施例2的微波爐比現(xiàn)有技術(shù)的微波爐輸出功率可以提高50W～80W左右，比實(shí)施例1的微波爐又進(jìn)一步可以提高10～20W左右。進(jìn)一步地，對(duì)本實(shí)施例2的微波爐進(jìn)行爆玉米試驗(yàn)。在該試驗(yàn)中，各試驗(yàn)條件與上述實(shí)施例1中的相同，即，被加熱物(負(fù)載)是玉米，重量為3.50盎司(相當(dāng)于99克)，試驗(yàn)條件按“爆玉米”鍵，按“開(kāi)始”鍵，5次連續(xù)加熱。下述表6表示對(duì)本實(shí)施例2的微波爐的爆玉米試驗(yàn)的結(jié)果。表6比較上述表6和表3、表4的試驗(yàn)結(jié)果，在上述試驗(yàn)中，對(duì)于本實(shí)施例2的微波爐比現(xiàn)有技術(shù)的微波爐未爆開(kāi)的玉米數(shù)量小很多，而且又進(jìn)一步比實(shí)施例1的微波爐的未爆開(kāi)的玉米數(shù)量略少。由于可見(jiàn)，在實(shí)施例1的微波爐的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步地在波導(dǎo)管4內(nèi)設(shè)置增加凸塊7，能夠進(jìn)一步提高微波爐的輸出功率并且進(jìn)一步均勻、全面地對(duì)被加熱物進(jìn)行加熱。其他變形例在上述實(shí)施例1、2的基礎(chǔ)上，對(duì)于本發(fā)明的微波爐還可以進(jìn)一步作種種變形。例如，在實(shí)施例1、2中是將直接照射抑制裝置6作成半圓形的片狀體，除此之外，還可以作成矩形、正方形、梯形、不規(guī)則形狀等，即，可以將直接照射抑制裝置6作成矩形、梯形或不規(guī)則形狀作圓角后的形狀，例如，圖4(a)是表示將直接照射抑制裝置6作成矩形作圓角后的形狀的示意圖。在此情況下，也能夠如上述實(shí)施例1類(lèi)似地具有下述作用，能夠增加波導(dǎo)管4出口處的周長(zhǎng)，防止微波直接照射到被加熱物上以進(jìn)行均勻加熱，同時(shí)，能夠防止微波從腔體2返回到波導(dǎo)管4并且提高加熱效率。將矩形、梯形或不規(guī)則形狀作圓角的原因在于，若直接照射抑制裝置6上存在尖角，則容易引起“打火現(xiàn)象”而影響加熱效果、同時(shí)會(huì)使磁控管3受損。再者，在上述實(shí)施例2中是將凸塊7作成與實(shí)施例1中的直接照射抑制裝置6相對(duì)應(yīng)的半球形。同樣地，凸塊7也可以作成相應(yīng)于直接照射抑制裝置6的其它形狀，而不僅限于半球形。再者，為了使得直接照射抑制裝置6、凸塊7能夠結(jié)合起來(lái)更有效地發(fā)揮“抑制高頻波直接照射到被加熱物以及防止高頻波反射回磁控管”的效果，可以如圖4(b)、圖4(c)所示使得直接照射抑制裝置6、凸塊7、磁控管發(fā)射天線5的各自的中心線在同一平面內(nèi)。在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明的發(fā)明人利用上述實(shí)施例1、2中“爆玉米試驗(yàn)”，對(duì)直接照射抑制裝置6和凸塊7的中心線之間的的距離L進(jìn)一步作了研究，其結(jié)果如表7所示。表7根據(jù)表7，同時(shí)參照上述表3、4、6，可以發(fā)現(xiàn)，直接照射抑制裝置6的中心線和凸塊7的中心線之間的距離L在15～23mm之間能夠取得良好的加熱效果。雖然已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但是它們僅僅是說(shuō)明性的。事實(shí)上，在不背離本發(fā)明的原理的條件下，還可以對(duì)其進(jìn)行各種形式的修改。另外，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書(shū)限定。權(quán)利要求1.一種微波爐，具備放置被加熱物的腔體(2)；設(shè)置在所述腔體(2)之外且產(chǎn)生高頻波的磁控管(3)；入口、出口(1)分別與所述磁控管(3)、所述腔體(2)連接且用于將高頻波傳遞到所述腔體(2)的波導(dǎo)管(4)；設(shè)置于波導(dǎo)管(4)的內(nèi)部且用于發(fā)射所述磁控管(3)產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線(5)，其特征在于，還具備直接照射抑制裝置(6)，所述直接照射抑制裝置(6)設(shè)置在所述波導(dǎo)管(4)內(nèi)的出口(1)附近或者面對(duì)所述出口(1)的所述腔體(2)的內(nèi)壁(2’)上。2.如權(quán)利要求1所述的微波爐，其特征在于，還具備凸塊(7)，所述凸塊(7)設(shè)置在波導(dǎo)管(4)內(nèi)，并且相對(duì)于所述磁控管發(fā)射天線(5)與所述直接照射抑制裝置(6)設(shè)置在同一側(cè)。3.如權(quán)利要求1所述的微波爐，其特征在于，所述直接照射抑制裝置(6)為片狀體。4.如權(quán)利要求3所述的微波爐，其特征在于，所述凸塊(7)的形狀與所述直接照射抑制裝置(6)的形狀相對(duì)應(yīng)。5.如權(quán)利要求3所述的微波爐，其特征在于，所述直接照射抑制裝置(6)為半圓形的片狀體。6.如權(quán)利要求3所述的微波爐，其特征在于，所述直接照射抑制裝置(6)為作圓角的矩形或梯形或不規(guī)則形狀的片狀體。7.如權(quán)利要求2或5所述的微波爐，其特征在于，所述凸塊(7)為半球形的凸起。8.如權(quán)利要求2所述的微波爐，其特征在于，所述磁控管發(fā)射天線(5)、所述直接照射抑制裝置(6)以及所述凸塊(7)的各自的中心線位于同一平面內(nèi)。9.如權(quán)利要求8所述的微波爐，其特征在于，所述直接照射抑制裝置(6)的中心線和凸塊(7)的中心線之間距離為15～23mm。全文摘要本發(fā)明旨在提供一種加熱效率高且加熱均勻、全面的微波爐。本發(fā)明的微波爐具備放置被加熱物的腔體；設(shè)置在腔體之外且產(chǎn)生高頻波的磁控管；入口、出口分別與磁控管、腔體連接且用于將高頻波傳遞到腔體的波導(dǎo)管；設(shè)置于波導(dǎo)管內(nèi)部且用于發(fā)射磁控管產(chǎn)生的高頻波的磁控管發(fā)射天線；以及直接照射抑制裝置，該直接照射抑制裝置設(shè)置在波導(dǎo)管內(nèi)的出口附近或者面對(duì)所述出口的腔體的內(nèi)壁上。由于設(shè)置了直接照射抑制裝置，能夠使得從磁控管天線發(fā)射出來(lái)的高頻波發(fā)生散射，以抑制高頻波直接照射到被加熱物上，而且還能夠防止高頻波反射回波導(dǎo)管。因此，本發(fā)明的微波爐能夠使得高頻波全面地覆蓋整個(gè)被加熱物以進(jìn)行均勻加熱并提高加熱效率。文檔編號(hào)H05B6/80GK1731023SQ200410053530公開(kāi)日2006年2月8日申請(qǐng)日期2004年8月6日優(yōu)先權(quán)日2004年8月6日發(fā)明者傅煒昶,馮光輝申請(qǐng)人:上海松下微波爐有限公司