專利名稱：熒光體薄膜和el板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及無機EL元件等發(fā)光層中使用的EL薄膜，特別涉及使用具有發(fā)光功能的堿土類硫化物薄膜的熒光體薄膜，和使用該薄膜的EL板。
進而，作為顯示器，為了與個人電腦用、TV用、其他顯示用相對應，彩色化是必不可少的。使用硫化物熒光體薄膜的薄膜EL顯示器，雖然可靠性、耐環(huán)境性很優(yōu)良，但目前的情況是以紅色、綠色、蘭色三原色發(fā)光的EL用熒光體的特性還很不理想，彩色使用也不適當。蘭色發(fā)光熒光體作為母體材料使用SrS、作為發(fā)光中心使用Ce的SrS∶Ce和ZnS∶Tm、作為紅色發(fā)光熒光體是ZnS∶Sm、CaS∶Eu、作為綠色發(fā)光熒光體是ZnS∶Tb、CaS∶Ce等等都是備選用的，而且研究仍在繼續(xù)。
這些紅色、綠色、蘭色三原色發(fā)光的熒光體薄膜，就發(fā)光亮度、效率、色純度仍存在問題，現在，彩色EL板還不能實用化。特別是紅色，使用CaS∶Eu，就得到色純度比較好的發(fā)光，進而，根據特開平1-206594號公報、特開平2-148688號公報等，雖然都有改進，但作為全色顯示用的紅色，亮度、效率等發(fā)光特性仍很不足，像特開平2-51891號公報、電視學會技術報告Vol.16、No.76、P7-11中講述的那樣，由于應答時間需要數秒到數十秒，相對于驅動信號，作為更求實時應答的動畫顯示的全色顯示用的紅色，仍舊不能實際使用。
為此，關于紅色，一般使用亮度和效率高的橙色熒光薄膜的ZnS∶Mn膜，作為板所需要的紅色，是通過濾色片，從EL熒光體薄膜的EL光譜中切割出紅色波長帶域。得到紅色光。然而，使用濾色片時，不僅使制造工序變得復雜，而且最大的問題是降低了亮度。由于用濾色片切取紅色，導致亮度降低10～20％，由于亮度不夠，所以不能實用。
為了同時解決上述所示問題，尋求一種即使不使用濾光片也能獲得良好色純度，而且在高亮度應答性良好地發(fā)光的紅色熒光體薄膜材料。
上述目的，根據下述(1)～(6)中任一項本發(fā)明的構成即可達到。
(1)母體材料是堿土類硫化物，進而是含有發(fā)光中心的熒光體薄膜，這種熒光體薄膜是厚度為50～300nm范圍的熒光體薄膜。
(2)作為上述發(fā)光中心必須含有至少Eu的上述(1)的熒光體薄膜。
(3)上述堿土類硫化物至少含有CaS的上述(1)或(2)的熒光體薄膜。
(4)使上述熒光體薄膜和ZnS薄膜層疊的上述(1)～(3)中任一項的熒光體薄膜。
(5)使上述熒光體薄膜和ZnS薄膜數層層疊的上述(1)～(4)中任一項的熒光體薄膜，使ZnS薄膜/熒光體薄膜/ZnS薄膜在夾持熒光體薄膜的狀態(tài)下與ZnS薄膜層疊，或者，使ZnS薄膜和熒光體薄膜交替且其兩端形成ZnS薄膜。
(6)具有上述(1)～(5)中任一項熒光體薄膜的EL板。
本發(fā)明是合成硫化鈣Eu熒光體薄膜結果獲得的發(fā)明，得到的熒光體薄膜純度高，并放射出高亮度的紅色光。
首先，本發(fā)明人用老方法將CaS∶Eu制成EL用的薄膜熒光體，并薄膜化。使用得到的薄膜制作成EL元件，但并不能得到所希望的發(fā)光。得到的薄膜發(fā)光亮度，以1kHz驅動為約200cd/m2，而且，由施加電壓到形成穩(wěn)定發(fā)光的應答時間，由數秒到數十秒，為了應用于EL元件的板，需要更高的亮度和改善應答性。
遵循這一結果，對該系列的熒光體薄膜進行了大量研究，結果完成了本發(fā)明。即，使硫化鈣母體材料很薄，通過采用以ZnS緩沖的結構，發(fā)現可極大地提高亮度，并且應答性也從目前的數秒～數十秒減少到10m秒～100m秒。
圖2是表示可利用本發(fā)明的方法、裝置制造的無機EL元件構成實例的局部剖面圖。
圖3是表示實施例1中EL元件(EL板)的發(fā)光光譜的曲線圖。
圖4是表示實施例2中EL元件(EL板)的CaS薄膜厚度發(fā)光亮度特性的曲線圖。
圖5是表示實施例3中EL元件(EL板)的CaS薄膜厚度Eu濃度的發(fā)光亮度特性的曲線圖。
發(fā)明的實施方式以下對本發(fā)明的實施方式詳細說明。
本發(fā)明的熒光體薄膜是將堿土類硫化物作為母體材料，進而添加稀土類元素作為發(fā)光中心。
堿土類元素是Be、Mg、Ca、Sr、Ba和Ra中的任何一種。這些中好的是Mg、Ca、Sr和Ba，特別好的是Ca。也可以使用二種以上，如Ca和Sr、Ca和Mg等。
作為發(fā)光中心所含的元素，可以從Mn、Cu等過渡金屬元素、稀土類金屬元素、Pb、和Bi中選出1種或2種以上的元素。稀土類元素至少從Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Lu、Sm、Eu、Dy和Yb中選出，作為蘭色熒光體最好是Eu、和Ce中任一種，作為綠色熒光體最好是Eu、Ce、Tb和Ho中的任何一種，作為紅色熒光體最好是Pr、Eu、Sm、Yb和Nd中的任何一種。
這些中，在與母體材料組合時，作為紅色熒光體較好是Eu、Pr和Sm中的任何一種，最好的是Eu。添加量，相對于堿土類原子，形成發(fā)光中心的元素總計，最好添加0.1～10原子％，關于CaS，0.1～0.5原子％較好，0.2～0.4原子％最好。也可以添加二種以上的元素。例如，將Eu作為發(fā)光中心時，通過添加Cu、Ce等，可提高應答性和發(fā)光亮度。
作為使用這種材料的熒光體薄膜厚度為50～300nm，最好100～250nm。過厚時，驅動電壓升高，特別是應答性變差，從數秒到數十秒。過薄時，發(fā)光效率又會降低。通過選取該范圍，可獲得應答性和發(fā)光效率都優(yōu)良的EL元件。
進而，EL薄膜最好是ZnS薄膜/熒光體薄膜/ZnS薄膜的構造。熒光體薄膜在很薄的范圍內時，通過用ZnS薄膜形成夾層結構，可提高熒光體薄膜的電荷注入特性和耐電壓特性，特別是作為熒光體薄膜，使用CaS∶Eu時，效果很顯著，可以高亮度獲得應答性很高的紅色EL薄膜。ZnS薄膜的厚度為30～400nm，最好100～300nm。
EL薄膜可以使上述熒光體薄膜和ZnS薄膜多層層疊，使ZnS薄膜/熒光體薄膜/ZnS薄膜在夾持熒光體薄膜的狀態(tài)下與ZnS薄膜層疊，或者，使ZnS薄膜和熒光體薄膜交替而且該積層體的兩端形成ZnS薄膜。具體是使ZnS薄膜/熒光體薄膜/ZnS薄膜層疊，或者使ZnS薄膜/熒光體薄膜/ZnS薄膜/熒光體薄膜/ZnS薄膜層疊，或者，使ZnS薄膜/熒光體薄膜/ZnS薄膜/··重復··/熒光體薄膜/ZnS薄膜那樣形成多層層疊。
為獲得這樣的熒光體薄膜，例如，最好利用以下蒸鍍法。此處僅以CaS∶Eu熒光體薄膜為例進行說明。
即，制作添加Eu的硫化鈣顆粒，可以在通入H2S氣體的真空槽內將該顆粒進行EB蒸鍍。因為硫和蒸發(fā)物質反應，為了避免制作薄膜時硫不足，此處使用H2S氣體。
進而，也可與制作成薄膜后的退火處理組合。即，通過使用添加Eu的硫化鈣顆粒、H2S氣體的反應性蒸鍍，最好的方法是在得到硫化鈣薄膜后，在氮氣中、Ar中、真空中等還原氣氛、氧中或空氣等氧化氣氛中進行退火處理。例如，在使用添加Eu的硫化鈣顆粒、硫化氫(H2S)氣體的反應性蒸鍍方法中得到薄膜后，在空氣中進行退火。作為退火條件，在氧濃度為大氣環(huán)境以上的氧化性環(huán)境中，優(yōu)選500～1000℃，最好600～800℃的溫度下進行。
添加的Eu，以金屬、氟化物、氧化物或硫化物的形式添加到原料中。添加量，由于原料和形成的薄膜不同，所以調整原料的組成，形成適當的添加量。
蒸鍍中的基板溫度，為室溫～600℃，最好300～500℃，基板溫度過高時，母體材料的薄膜表面形成劇烈的凹凸狀，而且在薄膜中產生針孔，對于EL元件產生電流泄漏問題。薄膜也變成褐色。為此，最好在上述溫度范圍內。成膜后最好進行退火處理。退火溫度優(yōu)選為600～1000℃，最好600～800℃。
形成的堿土類硫化物熒光薄膜最好是高結晶性的薄膜。結晶性的評價，例如可利用X射線衍射進行。為了提高結晶性，盡可能提高基板溫度。薄膜形成后在真空中、N2中、Ar中、大氣中、氧中、S蒸氣中、H2S中等，退火也是有效的。
蒸鍍時的壓力最好1.33×10-4～1.33×10-1Pa(1×10-6～1×10-3乇)。通入H2S等氣體時，調整壓力，最好為6.65×10-3～6.65×10-2Pa(5×10-5～5×10-4乇)。壓力高于此范圍時，E槍工作不穩(wěn)定，組成變得極難控制。作為氣體通入量，根據真空系統(tǒng)的能力為5～200SCCM，最好為10～30SCCM。
根據需要，蒸鍍時也可移動或轉動基板。通過移動、轉動基板，薄膜組成變得均勻，膜厚度分布偏差也很小。
旋轉基板時，作為基板的轉數，較好在10次/min以上，更好10～50次/min，尤其好為10～30次/min左右。基板的轉數過快時，在向真空室內導入時，很容易產生密封性等問題。過慢時，在槽內的膜厚方向上很容易產生組成不勻，會降低制成的發(fā)光層特性。作為轉動基板的旋轉裝置，可以用馬達、油壓旋轉機構等動力源和齒輪、傳送帶、皮帶輪等組裝成的動力傳送機構、減速機構等的公知的旋轉機構構成。
加熱蒸發(fā)源、基板的加熱裝置，最好具有規(guī)定的熱容量和反應性等，例如有鉭線加熱器、夾套加熱器、碳加熱器等。由加熱裝置產生的加熱溫度最好為100～1400℃左右，溫度控制精度在1000℃時為±1℃，最好±0.5℃左右。
形成的硫化物熒光薄膜最好是高結晶性的薄膜。結晶性的評價，例如可利用X射線衍射進行。為了提高結晶性，最好盡可能地提高基板溫度。形成薄膜后，在真空中、N2中、Ar中、S蒸氣中、H2S中進行退火非常有效。特別是，利用上述方法獲得堿土類硫化物薄膜，隨后，通過在氧化氣氛中進行退火處理，可得到高亮度發(fā)光的EL薄膜。


圖1示出了形成本發(fā)明發(fā)光層的一例裝置構成圖。這里，將添加Eu的堿土類硫化物作為蒸發(fā)源，一邊通入H2S，一邊制作添加Eu的堿土類硫化物薄膜，以此方法為實例。圖中，在真空層11內，配置形成發(fā)光層的基板12和EB蒸發(fā)源15。
作為堿土類硫化物蒸發(fā)裝置的EB(電子束)蒸發(fā)源15具有盛裝堿土類硫化物15a的“坩堝”50、和內裝釋放電子用燈絲51a的電子槍51。電子槍51內裝有控制電子束的機構。該電子槍51與交流電源52和偏置電源53連接。由電子槍51控制電子束，用預先設定的功率，以規(guī)定的蒸發(fā)速度蒸發(fā)堿土類硫化物15a。向堿土類硫化物15a中添加發(fā)光中心，例如Eu等。
圖示例中，雖然見到的是將蒸發(fā)源15相對于基板偏置設置，但實際上設置在能使組成和膜厚均勻的位置。
真空槽11具有排氣口11a，通過由該排氣口排氣。可以使真空槽11內形成規(guī)定的真空度。該真空槽11具有通入硫化氫等原料氣體的通入口11b。
將基板12固定在基板夾持架12a上，該基板夾持架12a的固定軸12b由未圖示的旋轉軸固定裝置一邊保持真空槽11內的真空度，一邊由外部能自由旋轉地固定住。同樣，由未圖示的旋轉裝置，可以根據需要以規(guī)定轉數進行旋轉。在基板夾持架12a上緊密固定由加熱線等構成的加熱裝置13，將基板加熱到規(guī)定的溫度，并保持此溫度。
使用這樣的裝置，將由EB蒸發(fā)源15蒸發(fā)的堿土類硫化物蒸氣堆積并聚結在基板12上，形成添加Eu的堿土類硫化物熒光層。這時，根據需要通過旋轉基板12，可使堆積的發(fā)光層組成和膜厚分布更均勻。
為了使用本發(fā)明的熒光薄膜發(fā)光層3獲得無機EL元件，例如，也可形成圖2所示的結構。
圖2是表示使用了本發(fā)明發(fā)光層的無機EL元件結構的局部剖面斜視圖。圖2中，在基板1上形成規(guī)定圖形的下部電極5，在該下部電極5上形成厚膜的第1絕緣層(厚膜電介質層)2。在該第1絕緣層2上依次形成發(fā)光層3、第2絕緣層(薄膜電介質層)4，同時，在第2絕緣層4上以規(guī)定圖形形成上部電極6，使其與上述下部電極5構成矩陣變換電路。在矩陣變換電極的交點處，分別涂抹上紅、綠、蘭的熒光體薄膜。
在基板1、電極5、6、厚膜絕緣層2、薄膜絕緣層4各層之間，也可設置提高粘著性的層、緩和應力的層、防止反應的屏障層等中間層。也可將厚膜表面進行研磨，或使用平坦化層等，提高平坦性。
這里，最好在厚膜絕緣層和薄膜絕緣層之間設置BaTiO3薄膜層作為屏障層。
用作基板的材料，使用能忍耐厚膜形成溫度、和EL熒光層形成溫度、EL元件退火溫度的耐熱溫度或熔點是600℃以上，最好700℃以上，更好800℃以上的基板，只要是利用在其上形成的發(fā)光層等功能性薄膜形成EL元件，并保持規(guī)定的強度的材料都可以，對此沒有特殊限定。具體講可以使用玻璃基板、氧化鋁(Al2O3)、鎂橄欖石(2MgO·SiO2)、滑石(MgO·SiLO2)、莫來石(3Al2O3·2SiO2)、貝里利耐火材料(BeO)、氮化鋁(AIN)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC+BeO)等陶瓷基板、結晶化玻璃等耐熱性玻璃基板。這些中，最好的是氧化鋁基板、結晶化玻璃，在需要熱傳導性時，最好的是貝里利耐火材料、氮化鋁、碳化硅等。
除此之外，也可以使用石英、熱氧化硅薄片等，鈦、不銹鋼、鎳鉻鐵耐熱合金、鐵系等的金屬板。在使用金屬等導電性基板時，在基板上最好形成內部具有電極的厚膜結構。
作為電介質厚膜材料(第1絕緣層)，可使用公知的電介質厚膜材料。最好是介電常數比較大的材料。
例如，可使用鈦酸鉛系、鈮酸鉛系、鈦酸鋇系等材料。
作為電介質厚膜的電阻率，在108Ω·cm以上，特別是1010～1018Ω·cm左右。最好是介電常數比較高的物質，作為其介電常數ε，最好ε＝100～10000左右。作為膜厚為5～50μm，最好10～30μm。
絕緣層厚膜的形成方法，沒有特殊限定，只要是比較容易獲得10～50μm厚膜的方法均可以，最好溶膠凝膠法、印刷燒制法等。
利用印刷燒制法時，適當使材料的粒度一致，與粘合劑混合，加工成適當粘度的糊狀物。利用篩網印刷法將該糊狀物施用在基板上，進行干燥。將生片在適當的溫度下進行燒制，得到厚膜。
作為薄膜絕緣層(第2絕緣層)的構成材料，例如有氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧化鉭(Ta2O5)、鈦酸鍶(SrTiO3)、氧化釔(Y2O3)、鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、PZT、二氧化鋯(ZrO2)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、鈮酸鉛、PMN-PI系材料等，以及它們的多層或混合薄膜。作為用這些材料形成絕緣層的方法，可使用蒸鍍法、噴濺法、CVD法、溶膠凝膠法、印刷燒制法等已知的方法。作為這時絕緣層的膜厚，為50～1000nm，最好為100～500nm左右。
電極(下部電極)至少形成在基板側或第1電介質內。形成厚膜時，進而在熱處理的高溫下與發(fā)光層同時形成電極層，作為主成分，可以使用鈀、銠、銥、錸、釕、鉑、鉭、鎳、鉻、鈦等中的1種或2種以上通常用的金屬電極。
成為上部電極的其他電極層，通常為了使發(fā)光能從基板相反側透出，最好是在規(guī)定發(fā)光波長域內具有透光性的透明電極。透明電極，若是基板和絕緣層具有透光性的話，也可以用于能從基板側透出發(fā)光的下部電極。這種情況，最好使用ZnO、ITO等透明電極。ITO通常按化學計量組成含有In2O3和SnO，O量可以多少有些偏離。相對于In2O3，SnO2的混合比為1～20質量％，最好為5～12質量％。相對于IZO中的In2O3，ZnO的混合比，通常為12～32質量％左右。
電極也可以具有硅。這種硅電極層可以是多晶硅(p-Si)，也可以是非晶態(tài)硅(a-Si)，根據需要還可以是單晶硅。
電極，除了主成分硅外，為確保導電性也可摻入雜質。用作雜質的摻雜劑，最好是確保規(guī)定導電性的，可以使用硅半導體中通常使用的摻雜劑。具體有B、P、As、Sb、Al等，這些中最好的是B、P、As、Sb和Al。作為摻雜劑的濃度最好為0.001～5at％左右。
作為用這些材料形成電極層的方法，雖然可以使用蒸鍍法、噴濺法、CVD法、溶膠凝膠法、印刷燒制法等已知的方法，但是在基板上形成內部具有電極的厚膜結構時，最好是與電介質厚膜相同的方法。
作為電極層最好的電阻率，為了向發(fā)光層付與高效的電場，為1Ω·cm以下，最好為0.003～0.1Ω·cm。作為電極層的膜厚，根據形成的材料，最好為50～2000nm，更好為100～1000nm左右。
以上雖然對本發(fā)明的EL板進行了說明。當使用本發(fā)明的EL板時，可應用于其他形態(tài)的元件，主要是顯示用的全色板、多色板、部分顯示3色的局部(パ-シヤリ-)色板。
實施例1制作使用本發(fā)明熒光薄膜的EL元件(EL板)。使用與基板、厚膜絕緣層相同材料的BaTiO3系電介質材料介電常數為5000的材料，作為下部電極使用Pd電極。制作時，制作基板的片，在其上篩網印刷下部電極、厚膜絕緣層制作生片，同時進行燒制。表面進行研磨，得到附有30μm厚的厚膜第一絕緣層的基板。進而，在其上利用噴濺形成400nm的BaTiO3膜作為屏障層，在700℃的空氣中進行退火，形成復合基板。
在該復合基板上，作為EL元件，為了穩(wěn)定發(fā)光，制作Al2O3膜、50nm/EL薄膜/Al2O3膜、50nm的構造體。EL薄膜，形成ZnS膜、200nm/熒光體薄膜、200nm/ZnS膜、200nm構造。
在制作熒光體薄膜時，使用如下裝置。圖1是本發(fā)明制造方法中使用的一蒸發(fā)裝置實例。
將裝有添加0.5mol％Eu的CaS粉的EB源15設置在通入H2S氣體的真空槽11內，由源進行蒸發(fā)，加熱到400℃，在旋轉的基板上形成薄膜。蒸發(fā)源的蒸發(fā)速度，使得在基板上形成膜的成膜速度調節(jié)為1nm/sec。此時通入20SCCMH2S氣體，得到熒光體薄膜。所得薄膜，在形成Al2O3膜50nm/ZnS膜200nm/熒光體薄膜300nm/ZnS膜200nm/Al2O3膜50nm的構造后，在750℃的空氣中進行10分鐘退火。
與上述一樣，在Si基板上形成熒光體薄膜。對于得到的熒光體薄膜，用熒光X射線分析對CaS∶Eu薄膜進行組成分析的結果，以原子比計是Ca∶S∶Eu＝23.07∶24.00∶0.15。即CaS中的Eu濃度為0.318mol％。
進而，在得到的構造體上，通過用ITO氧化物靶子的RF磁控管噴濺法，在基板溫度250℃下形成膜厚200nm的ITO透明電極，完成EL元件。
在得到的EL元件的2個電極間施加1kHz、脈沖寬度50μS的電場，得到1023cd/m2、CIE1931色度圖中(0.69，0.31)的紅色發(fā)光，發(fā)光亮度再現性很好。本EL元件，應答性從以前的數秒～數十秒，提高到20mS。圖3中示出了發(fā)光光譜。
實施例2按表1所示改變實施例1中的CaS膜厚，測定與各膜厚度相對應的亮度和應答特性。結果示于表1和圖4。應答性低于30mS的記為○，30～300mS的記為Δ，超過300mS的記為×。
表1

如表1和圖4所明確的那樣，可知CaS熒光體薄膜厚度在50nm～300nm范圍內，獲得800cd/m2以上良好的發(fā)光亮度和優(yōu)良的應答性。
實施例3
按表2所示改變實施例1中向CaS熒光體母材中添加Eu的濃度，測定Eu添加量發(fā)光亮度特性。結果示于表2和圖5。
表2

如表2和圖5所明確的那樣，可知相對于CaS的Eu添加量為0.1～0.5mol％(原子％)時，獲得良好的發(fā)光亮度。
實施例4將實施例1中的EL薄膜形成ZnS薄膜200nm/熒光體薄膜200nm/ZnS薄膜100nm/熒光體薄膜200nm/ZnS薄膜200nm，制作EL元件。
在得到的EL元件的2個電極間施加1kHz、脈沖寬度50μS的電場，得到848cd/m2、CIE 1931色度圖中(0.69，0.31)的紅色發(fā)光，發(fā)光亮度再現性很好。與以前的即1層的CaS∶Eu膜厚在600nm以上的元件比較，本EL元件的應答性達到25mS，非常好。
實施例5作為實施例1中的發(fā)光中心，除Eu元素外再加入Cu，制作成ZnS膜200nm/熒光體薄膜200nm/ZnS膜200nm的構造，制成EL元件，獲得大致和實施例1相同的結果。應答性得到進一步提高，為10mS。
實施例6作為實施例1的堿土類金屬，分別使用Mg、Ca、Ba中的1種或2種以上代替Ca或與其同時使用，得到大致相同的結果。這時的亮度提高到1000～1500cd/m2。紅色的色度偏重于橙色側。
如以上那樣，本發(fā)明的EL薄膜，即使不使用濾色片色純度也很好，而且使用以高亮度發(fā)紅光的熒光體薄膜材料，也能獲得很高的亮度。
使用這樣薄膜的EL元件，應答性很好，特別是形成多色EL元件和全色EL元件時，可制造出再現性良好的發(fā)光層，實用價值極大。
如上所述，根據本發(fā)明，沒有必要使用濾色片，就能提供高亮度、色純度良好、應答性良好，特別適于全色EL用紅色的熒光體薄膜，以及EL板。
權利要求
1.一種熒光體薄膜，其母體材料為堿土類硫化物，且含有發(fā)光中心，其特征是該熒光體薄膜的厚度為50～300nm。
2.根據權利要求1的熒光體薄膜，其特征是作為上述發(fā)光中心，至少必須含有Eu。
3.根據權利要求1或2的熒光體薄膜，其特征是上述堿土類硫化物至少含有CaS。
4.根據權利要求1～3中任一項的熒光體薄膜，其特征是將上述熒光體薄膜和ZnS薄膜層疊。
5.根據權利要求1～4中任一項的熒光體薄膜，其特征是多層層疊上述熒光體薄膜和ZnS薄膜，使ZnS薄膜/熒光體薄膜/ZnS薄膜在夾持著熒光體薄膜的狀態(tài)下與ZnS薄膜層疊，或者，使ZnS薄膜和熒光體薄膜交替且其兩端形成ZnS薄膜。
6.具有權利要求1～5中任一項熒光體薄膜的EL板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不需要濾光片，高亮度、色純度好、應答性好、特別是適用于全色EL用的紅色的熒光體薄膜、及EL板。熒光體薄膜的構成是母體材料為堿土類硫化物且有發(fā)光中心的熒光體薄膜，這種熒光體薄膜的厚度為50～300nm。
文檔編號H05B33/14GK1402599SQ0113034
公開日2003年3月12日 申請日期2001年9月30日 優(yōu)先權日2001年8月10日
發(fā)明者矢野義彥, 大池智之 申請人:Tdk株式會社