本申請(qǐng)涉及射頻通信系統(tǒng),更具體的說(shuō),涉及一種毫米波段的玻璃基射頻微系統(tǒng)及其制備方法。
背景技術(shù):
1、在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域,為了實(shí)現(xiàn)超帶寬、低延時(shí)以及超大容量的傳輸需求,一種實(shí)現(xiàn)方式是將頻帶遷移到毫米波段,利用毫米波段的寬帶寬以及高方向性等優(yōu)點(diǎn),滿(mǎn)足上述傳輸需求。該方式可以結(jié)合mimo(多輸入多輸出)技術(shù)集成多個(gè)天線(xiàn),以增強(qiáng)增益,對(duì)抗毫米波段的空間損耗。其中,每個(gè)天線(xiàn)需要一個(gè)射頻模組配合實(shí)現(xiàn)功放以及濾波等功能。
2、目前,為了應(yīng)對(duì)系統(tǒng)在體積、損耗以及復(fù)雜度上的挑戰(zhàn),可以將天線(xiàn)與射頻模塊一體化集成,以縮短傳輸損耗,減小系統(tǒng)體積。現(xiàn)有一體化集成方案中,如常規(guī)采用硅基底的aoc(片上天線(xiàn))方案,系統(tǒng)損耗依然較大,且?guī)捿^窄。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N毫米波段的玻璃基射頻微系統(tǒng)及其制備方法,方案如下:
2、本申請(qǐng)第一方面提供一種毫米波段的玻璃基射頻微系統(tǒng),包括:
3、射頻模塊,射頻模塊包括:第一玻璃基板,具有相對(duì)第一表面和第二表面;毫米波通信芯片,固定在第一玻璃基板內(nèi);毫米波通信芯片與第一玻璃基板表面上的互連電路電連接;
4、天線(xiàn)模塊,天線(xiàn)模塊包括:第二玻璃基板,具有相對(duì)的第三表面和第四表面,第三表面與第二表面相對(duì)固定;輻射單元,輻射單元設(shè)置在第四表面上,且與互連電路電連接;其中,第二玻璃基板的厚度大于800μm。
5、優(yōu)選地,在上述玻璃基射頻微系統(tǒng)中,毫米波通信芯片背離天線(xiàn)模塊的底面具有芯片有源區(qū);
6、互連電路包括:位于第一表面上的第一線(xiàn)路和位于第二表面上的第二線(xiàn)路;第一線(xiàn)路與第二線(xiàn)路電連接;第二線(xiàn)路與輻射單元電連接;第一線(xiàn)路與有源區(qū)電連接。
7、優(yōu)選地,在上述玻璃基射頻微系統(tǒng)中,毫米波通信芯片背離天線(xiàn)模塊的底面具有芯片有源區(qū);
8、射頻模塊背離天線(xiàn)模塊的一側(cè)具有散熱開(kāi)口,散熱開(kāi)口露出毫米波通信芯片的至少部分表面。
9、優(yōu)選地,在上述玻璃基射頻微系統(tǒng)中,第一表面內(nèi)具有容納腔,毫米波通信芯片固定在容納腔內(nèi);
10、玻璃基射頻微系統(tǒng)還包括接地金屬層;接地金屬層包括一體成型的第一部分和第二部分;第一部分覆蓋毫米波通信芯片朝向天線(xiàn)模塊的頂面,且與毫米波通信芯片的頂面電接觸;第二部分設(shè)置在容納腔的側(cè)壁上,包圍毫米波通信芯片的側(cè)壁。
11、優(yōu)選地,在上述玻璃基射頻微系統(tǒng)中,互連電路包括貫穿第一玻璃基板的第一導(dǎo)電孔;
12、其中,接地金屬層與第一導(dǎo)電孔中的填充金屬基于同一次電鍍工藝制備。
13、優(yōu)選地,在上述玻璃基射頻微系統(tǒng)中,天線(xiàn)模塊與射頻模塊基于金-金低溫鍵合固定連接。
14、優(yōu)選地,在上述玻璃基射頻微系統(tǒng)中,第一玻璃基板的厚度小于第二玻璃基板的厚度。
15、本申請(qǐng)第二方面提供一種制備方法,用于制備上述玻璃基射頻微系統(tǒng),制備方法包括:
16、制備射頻模塊和天線(xiàn)模塊;
17、將射頻模塊與天線(xiàn)模塊層疊固定;
18、其中,射頻模塊包括:第一玻璃基板,具有相對(duì)第一表面和第二表面;毫米波通信芯片,固定在第一玻璃基板內(nèi);毫米波通信芯片與第一玻璃基板表面上的互連電路電連接;
19、天線(xiàn)模塊包括:第二玻璃基板,具有相對(duì)的第三表面和第四表面,第三表面與第二表面相對(duì)固定;輻射單元,輻射單元設(shè)置在第四表面上,且與互連電路電連接;其中,第二玻璃基板的厚度大于800μm。
20、優(yōu)選地,在上述制備方法中,制備射頻模塊的方法包括:
21、在第一表面形成盲孔和容納腔;盲孔的深度不小于容納腔的深度;
22、基于電鍍工藝,在盲孔內(nèi)填充金屬形成第一導(dǎo)電孔,在容納腔的表面形成接地金屬層;
23、在容納腔內(nèi)固定毫米波通信芯片后,在第一表面形成互連電路的第一線(xiàn)路,第一線(xiàn)路與毫米波通信芯片電連接;
24、對(duì)第二表面進(jìn)行減薄后,在第二表面形成互連電路的第二線(xiàn)路,第二線(xiàn)路通過(guò)第一導(dǎo)電孔與第一線(xiàn)路電連接。
25、優(yōu)選地,在上述制備方法中,制備天線(xiàn)模塊的方法包括:
26、形成貫穿第二玻璃基板的第二導(dǎo)電孔;
27、在第四表面形成輻射單元;
28、在第三表面形成用于與射頻模塊鍵合固定的鍵合層。
29、通過(guò)上述描述可知,本申請(qǐng)技術(shù)方案所提供的毫米波段的玻璃基射頻微系統(tǒng)及其制備方法中,玻璃基射頻微系統(tǒng)的天線(xiàn)模塊和射頻模塊分別基于玻璃基板制備。與常規(guī)采用硅基底的aoc方案相比,本申請(qǐng)技術(shù)方案至少包括如下優(yōu)點(diǎn):
30、玻璃基板沒(méi)有硅基材料的物理場(chǎng)耦合問(wèn)題,能夠避免物理場(chǎng)耦合效應(yīng)導(dǎo)致的損耗,可以有效提升系統(tǒng)帶寬;
31、玻璃基板相對(duì)于硅基底具有較小的介電常數(shù),具有較低的損耗角正切,玻璃基板厚度方便調(diào)節(jié),可以較好的實(shí)現(xiàn)毫米波段的天線(xiàn)模塊性能;
32、玻璃基板的剛性較好,可以有效防止翹曲問(wèn)題;
33、玻璃基板可以滿(mǎn)足晶圓級(jí)工藝,可以形成較小的線(xiàn)寬和線(xiàn)間距,可以使得線(xiàn)寬和線(xiàn)間距達(dá)到10μm,甚至是5μm,使得線(xiàn)寬和線(xiàn)間距很好的滿(mǎn)足射頻系統(tǒng)的信號(hào)傳輸要求;
34、另外,第二玻璃基板需要設(shè)置導(dǎo)電孔(如下文所述的第二導(dǎo)電孔),以便于輻射單元通過(guò)貫穿第二玻璃基板的導(dǎo)電孔與下方第一玻璃板上的互連電路電連接。本申請(qǐng)實(shí)施例中,以玻璃材質(zhì)的第二玻璃基板制備天線(xiàn)模塊,第二玻璃基板的厚度大于800μm,可以采用厚度較大的玻璃板基板,通過(guò)較大厚度的第二玻璃基板設(shè)置輻射單元,便于與下方互連電路的隔離。另外,基于玻璃材質(zhì),第二玻璃基板便于形成深度較大的導(dǎo)電孔,第二玻璃基板的厚度對(duì)導(dǎo)電孔的制備影響較小。而采用常規(guī)硅基板或是有機(jī)基板的方案,在基板厚度大于800μ時(shí),形成貫穿的導(dǎo)電孔難度較大。
1.一種毫米波段的玻璃基射頻微系統(tǒng),其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃基射頻微系統(tǒng),其特征在于,所述毫米波通信芯片背離所述天線(xiàn)模塊的底面具有芯片有源區(qū);
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃基射頻微系統(tǒng),其特征在于,所述毫米波通信芯片背離所述天線(xiàn)模塊的底面具有芯片有源區(qū);
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃基射頻微系統(tǒng),其特征在于,所述第一表面內(nèi)具有容納腔,所述毫米波通信芯片固定在所述容納腔內(nèi);
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的玻璃基射頻微系統(tǒng),其特征在于,所述互連電路包括貫穿所述第一玻璃基板的第一導(dǎo)電孔;
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃基射頻微系統(tǒng),其特征在于,所述天線(xiàn)模塊與所述射頻模塊基于金-金低溫鍵合固定連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的玻璃基射頻微系統(tǒng),其特征在于,所述第一玻璃基板的厚度小于所述第二玻璃基板的厚度。
8.一種制備方法,其特征在于,用于制備如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述玻璃基射頻微系統(tǒng),所述制備方法包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,制備所述射頻模塊的方法包括:
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,制備所述天線(xiàn)模塊的方法包括: