一種鏡頭暗角補(bǔ)償方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種鏡頭暗角補(bǔ)償方法和系統(tǒng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的芯片中必須設(shè)置進(jìn)行插值運算的硬件模塊而導(dǎo)致芯片尺寸增大，和芯片制造成本增加的問題。該鏡頭暗角補(bǔ)償方法包括：采集以均勻光照射鏡頭生成的圖像；利用圖像上每個像素的光照強(qiáng)度以及圖像中心點的光照強(qiáng)度計算出每個像素的矯正系數(shù)；將所述每個像素的矯正系數(shù)存儲在芯片外部存儲模塊；從所述芯片外部存儲模塊獲取待補(bǔ)償像素點的矯正系數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償。
【專利說明】-種鏡頭暗角補(bǔ)償方法和系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及圖像處理領(lǐng)域，特別涉及一種鏡頭暗角補(bǔ)償方法和系統(tǒng)。 技術(shù)背景
[0002] 鏡頭暗角是由于鏡頭本身的特性引起的，具體表現(xiàn)為鏡頭邊緣的光強(qiáng)要比鏡頭中 央?yún)^(qū)域小，導(dǎo)致圖像的四周出現(xiàn)比中也區(qū)域暗的暗角現(xiàn)象。為了消除暗角，需要給圖像的每 一個像素點用一個矯正系數(shù)來修正。
[0003] 圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中鏡頭暗角補(bǔ)償方法的原理示意圖。如圖1所示，該補(bǔ)償處 理過程是先將待補(bǔ)償圖像分為NXM個矩形區(qū)域，然后求出該NXM個矩形區(qū)域中每個端點 的端點矯正系數(shù)值，并將該些端點矯正系數(shù)值存儲在矯正系數(shù)表中。
[0004] 當(dāng)要對一待補(bǔ)償像素點進(jìn)行補(bǔ)償處理時，首先要判斷該待補(bǔ)償像素點是否為端 點。若該待補(bǔ)償點是端點，則直接從矯正系數(shù)表中讀取該端點矯正系數(shù)值進(jìn)行補(bǔ)償處理即 可。若該待補(bǔ)償點不是端點，則從矯正系數(shù)表中讀取該像素點周圍端點的端點矯正系數(shù)值， 利用該些周圍端點的端點矯正系數(shù)值進(jìn)行插值運算W求得該像素點的矯正系數(shù)。例如，如1 所示，利用編號為1?16的端點的端點矯正系數(shù)進(jìn)行H次多項式插值運算，W求得待補(bǔ)償 像素點A的矯正系數(shù)。該樣執(zhí)行補(bǔ)償處理的芯片中必須設(shè)置進(jìn)行插值運算的硬件模塊才能 完成補(bǔ)償過程，該不僅會增大芯片的尺寸，還提高了芯片的制造成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種新的鏡頭暗角補(bǔ)償方法和系統(tǒng)，解決了現(xiàn)有技 術(shù)中的芯片中必須設(shè)置進(jìn)行插值運算的硬件模塊而導(dǎo)致芯片尺寸增大，和芯片制造成本增 加的問題。
[0006] 本發(fā)明實施例提供了一種鏡頭暗角補(bǔ)償方法，包括：
[0007] 采集W均勻光照射鏡頭生成的圖像；
[0008] 利用圖像上每個像素的光照強(qiáng)度W及圖像中也點的光照強(qiáng)度計算出每個像素的 矯正系數(shù)；
[0009] 將所述每個像素的矯正系數(shù)存儲在芯片外部存儲模塊；
[0010] 從所述芯片外部存儲模塊獲取待補(bǔ)償像素點的矯正系數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償。
[0011] 本發(fā)明實施例提供的一種鏡頭暗角補(bǔ)償系統(tǒng)，包括：
[0012] 均勻光源，用于W均勻光源照射鏡頭使得鏡頭傳感器采集圖像；
[0013] 計算模塊，配置為利用圖像上每個像素的光照強(qiáng)度W及圖像中也點的光照強(qiáng)度計 算出每個像素的矯正系數(shù)；
[0014] 控制模塊，配置為將所述每個像素的矯正系數(shù)存儲在芯片外部存儲模塊；
[0015] 補(bǔ)償芯片，配置為從所述芯片外部存儲模塊獲取待補(bǔ)償像素點的矯正系數(shù)進(jìn)行補(bǔ) 償。
[0016] 利用本發(fā)明實施例所提供的鏡頭暗角補(bǔ)償方法和系統(tǒng)，將待補(bǔ)償圖像每個像素的 矯正系數(shù)存儲在芯片外部存儲模塊中。該樣當(dāng)要對一待補(bǔ)償像素進(jìn)行處理時，芯片直接從 該芯片外部存儲模塊中讀取該待補(bǔ)償像素的矯正系數(shù)即可，無需在芯片內(nèi)部進(jìn)行插值運 算，從而節(jié)省了芯片內(nèi)部設(shè)置插值運算的硬件開銷。該樣既減小了芯片的尺寸，又降低了芯 片的制造成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中鏡頭暗角補(bǔ)償方法的原理示意圖。
[0018] 圖2所示為本發(fā)明一實施例所提供的鏡頭暗角補(bǔ)償方法的流程示意圖。
[0019] 圖3所示為本發(fā)明一實施例所提供的獲取像素矯正系數(shù)的原理示意圖。
[0020] 圖4所示為本發(fā)明一實施例所提供的鏡頭暗角補(bǔ)償系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0021] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0022] 圖2所示為本發(fā)明一實施例所提供的鏡頭暗角補(bǔ)償方法的流程示意圖。如圖2所 示，該鏡頭暗角補(bǔ)償方法包括：
[0023] 步驟201 ;采集W均勻光照射鏡頭生成的圖像。由于要保證鏡頭傳感器所生成的 圖像上每個像素的光照條件均相同，因此要采用均勻光照射鏡頭。
[0024] 步驟202 ;利用圖像上每個像素的光照強(qiáng)度W及圖像中也點的光照強(qiáng)度計算出每 個像素的矯正系數(shù)。在本發(fā)明一實施例中，矯正系數(shù)與圖像中也點的光照強(qiáng)度成正比，與像 素的光照強(qiáng)度成反比。
[0025] 本領(lǐng)域技術(shù)人員可W理解，可W采用現(xiàn)有技術(shù)中的任何方法求得圖像中每個像素 的矯正系數(shù)，本發(fā)明對此不做限定。下面通過一個例子來說明獲取圖像中一個像素的矯正 系數(shù)的具體方法。
[0026] 圖3所示為本發(fā)明一實施例所提供的獲取像素矯正系數(shù)的原理示意圖。如圖3所 示，Ex代表像素點X的光強(qiáng)，Eo代表焦平面中也O位置的光強(qiáng)。Ex和EO之間的光強(qiáng)關(guān)系 為= ; 0為光源與像素點X和焦平面中也O的光線夾角；
[0027] 再根據(jù)H角形幾何關(guān)系；/ = 一^和Ii2 = I。2甘2 ;其中，r為像素點距焦平面上中 COS W 也位置的距離，1。為焦平面到鏡頭的距離；
[002引可W得出矯正系數(shù)coef :
[0029]

【權(quán)利要求】
1. 一種鏡頭暗角補(bǔ)償方法，其特征在于，包括： 采集以均勻光照射鏡頭生成的圖像； 利用圖像上每個像素的光照強(qiáng)度以及圖像中心點的光照強(qiáng)度計算出每個像素的矯正 系數(shù)； 將所述每個像素的矯正系數(shù)存儲在芯片外部存儲模塊； 從所述芯片外部存儲模塊獲取待補(bǔ)償像素點的矯正系數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡頭暗角補(bǔ)償方法，其特征在于，所述芯片外部存儲模塊包 括非揮發(fā)性存儲器； 所述將所述每個像素的矯正系數(shù)存儲在芯片外部存儲模塊包括： 將所述每個像素的矯正系數(shù)存儲在非揮發(fā)性存儲器中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的鏡頭暗角補(bǔ)償方法，其特征在于，所述芯片外部存儲模塊進(jìn) 一步包括芯片外掛存儲器； 所述將所述每個像素的矯正系數(shù)存儲在芯片外部存儲模塊進(jìn)一步包括： 在補(bǔ)償初始化時，將所述每個像素的矯正系數(shù)從所述非揮發(fā)性存儲器轉(zhuǎn)存至芯片外掛 存儲器。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡頭暗角補(bǔ)償方法，其特征在于，所述利用圖像上每個像素 的光照強(qiáng)度以及圖像中心點的光照強(qiáng)度計算出每個像素的矯正系數(shù)包括： 所述矯正系數(shù)與所述圖像中心點的光照強(qiáng)度成正比，與所述像素的光照強(qiáng)度成反比。
5. -種鏡頭暗角補(bǔ)償系統(tǒng)，其特征在于，包括： 均勻光源，用于以均勻光源照射鏡頭使得鏡頭傳感器采集圖像； 計算模塊，配置為利用圖像上每個像素的光照強(qiáng)度以及圖像中心點的光照強(qiáng)度計算出 每個像素的矯正系數(shù)； 控制模塊，配置為將所述每個像素的矯正系數(shù)存儲在芯片外部存儲模塊； 補(bǔ)償芯片，配置為從所述芯片外部存儲模塊獲取待補(bǔ)償像素點的矯正系數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片外部存儲模塊包括非揮發(fā)性存 儲器。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，所述非揮發(fā)性存儲器為EEPROM存儲器或FLASH存儲 器。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片外部存儲模塊進(jìn)一步包括芯片 外掛存儲器。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，所述芯片外掛存儲器為DDR存儲器。
【文檔編號】H04N5/357GK104363390SQ201410633297
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月11日
【發(fā)明者】吳大斌, 李國新 申請人:廣東中星電子有限公司