光學(xué)模組和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種利用多層液晶光闌實(shí)現(xiàn)可調(diào)光圈的光學(xué)模組，以及使用該光學(xué)模組的電子設(shè)備。所述光學(xué)模組，包括：至少一個(gè)光闌層，所述光闌層具有完全透光的透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的可變透光區(qū)；以及電極單元，用于向所述至少一個(gè)光闌層施加調(diào)整電壓，其中，所述可變透光區(qū)的透光率根據(jù)由所述電極單元施加的所述調(diào)整電壓而變化。
【專利說明】光學(xué)模組和電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光學(xué)模組領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種利用多層液晶光闌實(shí)現(xiàn)可調(diào)光圈的光學(xué)模組，以及使用該光學(xué)模組的電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]通常，諸如智能手機(jī)的電子設(shè)備上配置有用于圖像捕獲的相機(jī)部件，這樣的相機(jī)部件一般僅具有固定的光圈，從而限制了對于不同拍攝場景的曝光控制和成像質(zhì)量。盡管傳統(tǒng)的數(shù)字相機(jī)可具有適用于不同場景的可調(diào)光圈，但是其結(jié)構(gòu)通常比較復(fù)雜并且成本很高，使得其不適用于體積較小的電子設(shè)備。
[0003]因此，希望提供一種光學(xué)模組以及使用該光學(xué)模組的電子設(shè)備，該光學(xué)模組以低成本和小體積實(shí)現(xiàn)可調(diào)光圈，從而獲得更好的成像質(zhì)量和用戶體驗(yàn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于上述情況，本發(fā)明提供了一種光學(xué)模組以及使用該光學(xué)模組的電子設(shè)備驗(yàn)。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種光學(xué)模組，包括:至少一個(gè)光闌層，所述光闌層具有完全透光的透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的可變透光區(qū)；以及電極單元，用于向所述至少一個(gè)光闌層施加調(diào)整電壓，其中，所述可變透光區(qū)的透光率根據(jù)由所述電極單元施加的所述調(diào)整電壓而變化。
[0006]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)模組，其中所述透光區(qū)位于所述至少一個(gè)光闌層的中心，所述可變透光區(qū)圍繞所述透光區(qū)。
[0007]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)模組，其中當(dāng)施加的所述調(diào)整電壓大于或等于預(yù)定閾值電壓時(shí)，所述可變透光區(qū)完全不透光。
[0008]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)模組，其中所述至少一個(gè)光闌層包括第一光闌層、第二光闌層和第三光闌層，所述第一光闌層、第二光闌層和第三光闌層在所述光學(xué)模組的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置。
[0009]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)模組，其中所述第一光闌層具有第一透光區(qū)和第一可變透光區(qū)，所述第二光闌層具有第二透光區(qū)和第二可變透光區(qū)，并且所述第三光闌層具有第三透光區(qū)和第三可變透光區(qū)，所述第一透光區(qū)、所述第二透光區(qū)和所述第三透光區(qū)的大小相互不同。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種光學(xué)模組，包括:第一光闌層，所述第一光闌層具有完全透光的第一透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的第一可變透光區(qū)；第二光闌層，所述第二光闌層具有完全透光的第二透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的第二可變透光區(qū)，所述第一光闌層和所述第二光闌層在所述光學(xué)模組的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置；電極單元，用于向所述第一光闌層和所述第二光闌層施加調(diào)整電壓，其中，所述第一可變透光區(qū)和所述第二可變透光區(qū)的透光率根據(jù)由所述電極單元施加的所述調(diào)整電壓而變化。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備，包括:光學(xué)系統(tǒng)，用于形成被攝體的光學(xué)圖像；信號處理系統(tǒng)，用于將所述光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為圖像信號；以及控制系統(tǒng)，用于控制所述光學(xué)系統(tǒng)和所述信號處理系統(tǒng)對所述被攝體成像并且獲得所述圖像信號，其中，所述光學(xué)系統(tǒng)包括光學(xué)模組，用于控制進(jìn)入所述光學(xué)系統(tǒng)的光量，所述光學(xué)模組包含至少一個(gè)光闌層，所述光闌層具有完全透光的透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的可變透光區(qū)；以及電極單元，用于向所述至少一個(gè)光闌層施加調(diào)整電壓，其中，所述可變透光區(qū)的透光率根據(jù)由所述電極單元施加的所述調(diào)整電壓而變化。
[0012]此外，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備，其中所述透光區(qū)位于所述至少一個(gè)光闌層的中心，所述可變透光區(qū)圍繞所述透光區(qū)。
[0013]此外，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備，其中當(dāng)施加的所述調(diào)整電壓大于或等于預(yù)定閾值電壓時(shí)，所述可變透光區(qū)完全不透光。
[0014]此外，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備，其中所述至少一個(gè)光闌層包括第一光闌層、第二光闌層和第三光闌層，所述第一光闌層、第二光闌層和第三光闌層在所述光學(xué)模組的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置。
[0015]此外，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備，其中所述第一光闌層具有第一透光區(qū)和第一可變透光區(qū)，所述第二光闌層具有第二透光區(qū)和第二可變透光區(qū)，并且所述第三光闌層具有第三透光區(qū)和第三可變透光區(qū)，所述第一透光區(qū)、所述第二透光區(qū)和所述第三透光區(qū)的大小相互不同。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備，包括:光學(xué)系統(tǒng)，用于形成被攝體的光學(xué)圖像；信號處理系統(tǒng)，用于將所述光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為圖像信號；以及控制系統(tǒng)，用于控制所述光學(xué)系統(tǒng)和所述信號處理系統(tǒng)對所述被攝體成像并且獲得所述圖像信號，其中，所述光學(xué)系統(tǒng)包括光學(xué)模組，用于控制進(jìn)入所述光學(xué)系統(tǒng)的光量，所述光學(xué)模組包含第一光闌層，所述第一光闌層具有完全透光的第一透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的第一可變透光區(qū)；第二光闌層，所述第二光闌層具有完全透光的第二透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的第二可變透光區(qū)，所述第一光闌層和所述第二光闌層在所述光學(xué)模組的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置；電極單兀，用于向所述第一光闌層和所述第二光闌層施加調(diào)整電壓，其中，所述第一可變透光區(qū)和所述第二可變透光區(qū)的透光率根據(jù)由所述電極單元施加的所述調(diào)整電壓而變化。
[0017]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組以及使用該光學(xué)模組的電子設(shè)備，以低成本和小體積實(shí)現(xiàn)了可調(diào)光圈，從而獲得更好的成像質(zhì)量和用戶體驗(yàn)。
[0018]要理解的是，前面的一般描述和下面的詳細(xì)描述兩者都是示例性的，并且意圖在于提供要求保護(hù)的技術(shù)的進(jìn)一步說明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組的第一示例的示意圖；
[0020]圖2A到2C是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組及其使用狀態(tài)的第二示例的示意圖；
[0021]圖3A到3D是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組及其使用狀態(tài)的第三示例的示意圖；
[0022]圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的示意圖；以及
[0023]圖5是圖示控制根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024]下文中，將參照附圖描述多個(gè)實(shí)施例、應(yīng)用和修改。此外，下面描述的實(shí)施例是優(yōu)選的特定示例，并且設(shè)置了技術(shù)上優(yōu)選的各種限制，但是在以下描述中，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
[0025]首先，將參照圖1描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組10包括光闌層11和電極單兀12。
[0026]具體地，所述光闌層11具有完全透光的透光區(qū)111以及填充有具有可變透光率材料的可變透光區(qū)112。所述透光區(qū)111位于所述光闌層11的中心，所述可變透光區(qū)112圍繞所述透光區(qū)111。所述電極單元12用于向所述光闌層11施加調(diào)整電壓。
[0027]在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，可變透光率材料為液晶材料。當(dāng)所述電極單元12沒有向所述光闌層11施加調(diào)整電壓時(shí)，所述可變透光區(qū)112中的液晶分子的取向隨之變化，并且隨著施加的調(diào)整電壓的提升，所述可變透光區(qū)112的透光率相應(yīng)地降低。當(dāng)施加的所述調(diào)整電壓大于或等于預(yù)定閾值電壓時(shí)，所述可變透光區(qū)變?yōu)橥耆煌腹獾臓顟B(tài)。在此情況下，所述光闌層11將處于位于中心的所述透光區(qū)111透光，而圍繞所述透光區(qū)111的所述可變透光區(qū)112完全不透光的狀態(tài)。在所述可變透光區(qū)112從沒有被施加調(diào)整電壓的透光狀態(tài)到被施加預(yù)定閾值電壓的不透光狀態(tài)期間，所述光闌層11的總體透光率也相應(yīng)地經(jīng)歷從最大透光率到最小透光率的轉(zhuǎn)變。
[0028]圖2A到2C是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組及其使用狀態(tài)的第二示例的示意圖。如圖2A所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組20包括兩個(gè)光闌層。具體地，所述光學(xué)模組20包括第一光闌層21、第二光闌層22以及電極單元23。所述第一光闌層21和所述第二光闌層22在所述光學(xué)模組的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置。所述電極單元23用于向所述第一光闌層21和所述第二光闌層22施加調(diào)整電壓。所述第一光闌層21具有完全透光的第一透光區(qū)211以及填充有具有可變透光率材料的第一可變透光區(qū)212，所述第一透光區(qū)211位于所述第一光闌層21的中心，所述第一可變透光區(qū)212圍繞所述第一透光區(qū)211。所述第二光闌層22具有完全透光的第二透光區(qū)221以及填充有具有可變透光率材料的第二可變透光區(qū)222，所述第二透光區(qū)221位于所述第二光闌層22的中心，所述第二可變透光區(qū)222圍繞所述第二透光區(qū)221。
[0029]類似于圖1所示的所述可變透光區(qū)112，圖2中的所述第一可變透光區(qū)212和所述第二可變透光區(qū)222中的液晶分子的取向隨著由所述電極單元23施加的調(diào)整調(diào)壓而變化。隨著施加的調(diào)整電壓的提升，所述第一可變透光區(qū)212和所述第二可變透光區(qū)222的透光率相應(yīng)地降低。當(dāng)施加的所述調(diào)整電壓大于或等于預(yù)定閾值電壓時(shí)，所述第一可變透光區(qū)212和所述第二可變透光區(qū)222變?yōu)橥耆煌腹獾臓顟B(tài)。所述第一可變透光區(qū)212和所述第二可變透光區(qū)222具有不同的大小。如圖2A所示，所述第一可變透光區(qū)212的面積小于所述第二可變透光區(qū)222的面積。
[0030]圖2B進(jìn)一步圖示圖2A中所述光學(xué)模組20的第一使用狀態(tài)。在所述第一使用狀態(tài)下，所述電極單元23向所述第一光闌層21施加大于等于預(yù)定閾值電壓的調(diào)整電壓，使得所述第一光闌層21中的所述第一可變透光區(qū)212處于不透光狀態(tài)。同時(shí)，所述電極單元23未向所述第二光闌層22施加調(diào)整電壓。也就是說，所述第一光闌層21處于最小透光率狀態(tài)，所述第二光闌層22處于最大透光率狀態(tài)，而所述光學(xué)模組20的透光率則由所述第一光闌層21的透光率所決定。
[0031]圖2C進(jìn)一步圖示圖2A中所述光學(xué)模組20的第二使用狀態(tài)。在所述第二使用狀態(tài)下，所述電極單元23向所述第二光闌層22施加大于等于預(yù)定閾值電壓的調(diào)整電壓，使得所述第二光闌層22中的所述第二可變透光區(qū)222處于不透光狀態(tài)。同時(shí)，所述電極單元23未向所述第一光闌層21施加調(diào)整電壓。也就是說，所述第一光闌層21處于最大透光率狀態(tài)，所述第二光闌層22處于最小透光率狀態(tài)，而所述光學(xué)模組20的透光率則由所述第二光闌層22的透光率所決定。
[0032]在圖2B和圖2C所示的第一使用狀態(tài)和第二使用狀態(tài)中，由于所述第一可變透光區(qū)212的面積小于所述第二可變透光區(qū)222的面積，所述光學(xué)模組20在所述第一使用狀態(tài)下的整體透光率比在所述第二使用狀態(tài)下的整體透光率高。
[0033]圖3A到3D是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組及其使用狀態(tài)的第三示例的示意圖。如圖3A所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組30包括三個(gè)光闌層。具體地，所述光學(xué)模組30包括第一光闌層31、第二光闌層32、第三光闌層33以及電極單元34。所述第一光闌層31、所述第二光闌層32和所述第三光闌層33在所述光學(xué)模組30的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置。所述電極單元34用于向所述第一光闌層31、所述第二光闌層32和所述第三光闌層33施加調(diào)整電壓。所述第一光闌層31具有完全透光的第一透光區(qū)311以及填充有具有可變透光率材料的第一可變透光區(qū)312，所述第一透光區(qū)311位于所述第一光闌層31的中心，所述第一可變透光區(qū)312圍繞所述第一透光區(qū)311。所述第二光闌層32具有完全透光的第二透光區(qū)321以及填充有具有可變透光率材料的第二可變透光區(qū)322，所述第二透光區(qū)321位于所述第二光闌層32的中心，所述第二可變透光區(qū)322圍繞所述第二透光區(qū)321。所述第三光闌層33具有完全透光的第三透光區(qū)331以及填充有具有可變透光率材料的第三可變透光區(qū)332，所述第三透光區(qū)331位于所述第三光闌層33的中心，所述第三可變透光區(qū)332圍繞所述第三透光區(qū)331。
[0034]類似于圖1所示的所述可變透光區(qū)112，圖3中的所述第一可變透光區(qū)312、所述第二可變透光區(qū)322和所述第三可變透光區(qū)332中的液晶分子的取向隨著由所述電極單元34施加的調(diào)整調(diào)壓而變化。隨著施加的調(diào)整電壓的提升，所述第一可變透光區(qū)312、所述第二可變透光區(qū)322和所述第三可變透光區(qū)332的透光率相應(yīng)地降低。當(dāng)施加的所述調(diào)整電壓大于或等于預(yù)定閾值電壓時(shí)，所述第一可變透光區(qū)312、所述第二可變透光區(qū)322和所述第三可變透光區(qū)332變?yōu)橥耆煌腹獾臓顟B(tài)。所述第一可變透光區(qū)312、所述第二可變透光區(qū)322和所述第三可變透光區(qū)332相互具有不同的大小。如圖3A所示，所述第一可變透光區(qū)312的面積小于所述第二可變透光區(qū)322的面積，并且所述第二可變透光區(qū)322的面積小于所述第三可變透光區(qū)332的面積。
[0035]圖3B進(jìn)一步圖示圖3A中所述光學(xué)模組30的第一使用狀態(tài)。在所述第一使用狀態(tài)下，所述電極單元34向所述第一光闌層31施加大于等于預(yù)定閾值電壓的調(diào)整電壓，使得所述第一光闌層31中的所述第一可變透光區(qū)312處于不透光狀態(tài)。同時(shí)，所述電極單元34未向所述第二光闌層32和所述第三光闌層33施加調(diào)整電壓。也就是說，所述第一光闌層31處于最小透光率狀態(tài)，所述第二光闌層32和所述第三光闌層33處于最大透光率狀態(tài)，而所述光學(xué)模組30的透光率則由所述第一光闌層31的透光率所決定。
[0036]類似地，圖3C進(jìn)一步圖示圖3A中所述光學(xué)模組30的第二使用狀態(tài)。在所述第二使用狀態(tài)下，所述電極單元34向所述第二光闌層32施加大于等于預(yù)定閾值電壓的調(diào)整電壓，使得所述第二光闌層32中的所述第二可變透光區(qū)322處于不透光狀態(tài)。同時(shí)，所述電極單元34未向所述第一光闌層31和所述第三光闌層33施加調(diào)整電壓。也就是說，所述第一光闌層21和所述第三光闌層33處于最大透光率狀態(tài),所述第二光闌層32處于最小透光率狀態(tài)，而所述光學(xué)模組30的透光率則由所述第二光闌層32的透光率所決定。
[0037]此外，圖3D進(jìn)一步圖示圖3A中所述光學(xué)模組30的第三使用狀態(tài)。在所述第三使用狀態(tài)下，所述電極單元34向所述第三光闌層33施加大于等于預(yù)定閾值電壓的調(diào)整電壓，使得所述第三光闌層33中的所述第三可變透光區(qū)332處于不透光狀態(tài)。同時(shí)，所述電極單元34未向所述第一光闌層31和所述第二光闌層32施加調(diào)整電壓。也就是說，所述第一光闌層21和所述第二光闌層32處于最大透光率狀態(tài)，所述第三光闌層33處于最小透光率狀態(tài)，而所述光學(xué)模組30的透光率則由所述第三光闌層33的透光率所決定。
[0038]在圖3B到3D所示的第一使用狀態(tài)到第三使用狀態(tài)中，由于所述第一可變透光區(qū)312、所述第二可變透光區(qū)322和所述第三可變透光區(qū)332的面積依次增大，所述光學(xué)模組30從所述第一使用狀態(tài)到所述第三使用狀態(tài)下的整體透光率則依次降低。例如，當(dāng)所述光學(xué)模組30用作電子設(shè)備中光圈調(diào)節(jié)光學(xué)模組時(shí)，處于所述第一使用狀態(tài)的所述光學(xué)模組30可以提供等價(jià)于F = 1.8的透光率，處于所述第二使用狀態(tài)的所述光學(xué)模組30可以提供等價(jià)于F = 2.4的透光率，而處于所述第三使用狀態(tài)的所述光學(xué)模組30可以提供等價(jià)于F= 3.6的透光率。
[0039]圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的示意圖。如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備40包括用于形成被攝體的光學(xué)圖像的光學(xué)系統(tǒng)41、用于將所述光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為圖像信號的信號處理系統(tǒng)42、以及用于控制所述光學(xué)系統(tǒng)41和所述信號處理系統(tǒng)42對所述被攝體成像并且獲得所述圖像信號的控制系統(tǒng)。進(jìn)一步地，所述光學(xué)系統(tǒng)41包括調(diào)焦光學(xué)模組401和光圈調(diào)節(jié)光學(xué)模組402。
[0040]具體地，所述調(diào)焦光學(xué)模組401可以由有多個(gè)透鏡組成的透鏡組構(gòu)成，其根據(jù)來自控制系統(tǒng)43的控制信號，自動地或經(jīng)由用戶手動地進(jìn)行成像的焦點(diǎn)調(diào)節(jié)。所述光圈調(diào)節(jié)光學(xué)模組402可以由參照圖1到圖3D描述的光學(xué)模組構(gòu)成。例如，所述光圈調(diào)節(jié)光學(xué)模組402可以是采用圖1所示的單光闌層的固定光圈光學(xué)模組?？商娲兀龉馊φ{(diào)節(jié)光學(xué)模組402可以是采用圖2A或3A所示的雙層或三層光闌層的可變光圈光學(xué)模組。在所述光圈調(diào)節(jié)光學(xué)模組402為可變光圈光學(xué)模組的情況下，其根據(jù)來自控制系統(tǒng)43的控制信號，自動地或經(jīng)由用戶手動地調(diào)整由所述光圈調(diào)節(jié)光學(xué)模組402中的電極單元向各個(gè)光闌層施加的調(diào)整電壓，以實(shí)現(xiàn)所需要的光圈值。
[0041]此外，所示信號處理系統(tǒng)42包括諸如CXD或CMOS的圖像傳感器單元，用于將通過所述光學(xué)系統(tǒng)41采集的光學(xué)圖像變換為圖像信號。該圖像信號此可能經(jīng)歷A/D轉(zhuǎn)換處理、壓縮處理等圖像處理后被存儲為圖像數(shù)據(jù)。
[0042]在參照圖4描述的電子設(shè)備40中，其光學(xué)系統(tǒng)41中采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組作為光圈調(diào)節(jié)光學(xué)模組402，以低成本和小體積實(shí)現(xiàn)可調(diào)光圈的效果。
[0043]圖5是圖示控制根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組的流程圖。如圖5所示，控制根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組的方法包括以下步驟。
[0044]在步驟S501中，感測環(huán)境參數(shù)或者接收用戶輸入。配置有根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組的電子設(shè)備可以包括環(huán)境光感測模組，其用于感測環(huán)境光參數(shù)。電子設(shè)備的控制模組將給予由環(huán)境光感測模組感測的環(huán)境光參數(shù)，自動確定所需的光圈值?？商娲兀娮釉O(shè)備可以包括用戶指令輸入模組，用戶經(jīng)由該用戶指令輸入模組直接輸入指定的光圈值。此后，處理進(jìn)到步驟S502。
[0045]在步驟S502中，電子設(shè)備的控制模組給予光圈值生成光學(xué)模組的光圈參數(shù)。此后，處理進(jìn)到步驟S503。
[0046]在步驟S503中，由電子設(shè)備的控制模組或者光學(xué)模組內(nèi)部配置的專用微處理芯片基于生成的光圈參數(shù)計(jì)算要施加到具有可變透光區(qū)的光闌層的調(diào)整電壓。此后，處理進(jìn)到步驟S504。
[0047]在步驟S504中，光學(xué)模組內(nèi)部配置的電極層向光闌層施加計(jì)算的電壓值，從而使得所述電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)所需的光圈值。
[0048]以上，參照圖1到圖5描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)模組以及使用該光學(xué)模組的電子設(shè)備，其以低成本和小體積實(shí)現(xiàn)可調(diào)光圈，從而獲得更好的成像質(zhì)量和用戶體驗(yàn)。
[0049]需要說明的是，在本說明書中，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0050]最后，還需要說明的是，上述一系列處理不僅包括以這里所述的順序按時(shí)間序列執(zhí)行的處理，而且包括并行或分別地、而不是按時(shí)間順序執(zhí)行的處理。
[0051]通過以上的實(shí)施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本發(fā)明可借助軟件加必需的硬件平臺的方式來實(shí)現(xiàn)，當(dāng)然也可以全部通過硬件來實(shí)施。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案對【背景技術(shù)】做出貢獻(xiàn)的全部或者部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲在存儲介質(zhì)中，如R0M/RAM、磁碟、光盤等，包括若干指令用以使得一臺計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。
[0052]以上對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種光學(xué)模組，包括: 至少一個(gè)光闌層，所述光闌層具有完全透光的透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的可變透光區(qū)；以及 電極單元，用于向所述至少一個(gè)光闌層施加調(diào)整電壓， 其中，所述可變透光區(qū)的透光率根據(jù)由所述電極單元施加的所述調(diào)整電壓而變化。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)模組，其中所述透光區(qū)位于所述至少一個(gè)光闌層的中心，所述可變透光區(qū)圍繞所述透光區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)模組，其中當(dāng)施加的所述調(diào)整電壓大于或等于預(yù)定閾值電壓時(shí)，所述可變透光區(qū)完全不透光。
4.如權(quán)利要求1到3的任一所述的光學(xué)模組，其中所述至少一個(gè)光闌層包括第一光闌層、第二光闌層和第三光闌層，所述第一光闌層、第二光闌層和第三光闌層在所述光學(xué)模組的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置。
5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)模組，其中所述第一光闌層具有第一透光區(qū)和第一可變透光區(qū)，所述第二光闌層具有第二透光區(qū)和第二可變透光區(qū)，并且所述第三光闌層具有第三透光區(qū)和第三可變透光區(qū)，所述第一透光區(qū)、所述第二透光區(qū)和所述第三透光區(qū)的大小相互不同。
6.一種光學(xué)模組，包括: 第一光闌層，所述第一光闌層具有完全透光的第一透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的第一可變透光區(qū)； 第二光闌層，所述第二光闌層具有完全透光的第二透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的第二可變透光區(qū)，所述第一光闌層和所述第二光闌層在所述光學(xué)模組的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置； 電極單元，用于向所述第一光闌層和所述第二光闌層施加調(diào)整電壓， 其中，所述第一可變透光區(qū)和所述第二可變透光區(qū)的透光率根據(jù)由所述電極單元施加的所述調(diào)整電壓而變化。
7.—種電子設(shè)備,包括: 光學(xué)系統(tǒng)，用于形成被攝體的光學(xué)圖像； 信號處理系統(tǒng)，用于將所述光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為圖像信號；以及 控制系統(tǒng)，用于控制所述光學(xué)系統(tǒng)和所述信號處理系統(tǒng)對所述被攝體成像并且獲得所述圖像信號， 其中，所述光學(xué)系統(tǒng)包括光學(xué)模組，用于控制進(jìn)入所述光學(xué)系統(tǒng)的光量，所述光學(xué)模組包含 至少一個(gè)光闌層，所述光闌層具有完全透光的透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的可變透光區(qū)；以及 電極單元，用于向所述至少一個(gè)光闌層施加調(diào)整電壓， 其中，所述可變透光區(qū)的透光率根據(jù)由所述電極單元施加的所述調(diào)整電壓而變化。
8.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備，其中所述透光區(qū)位于所述至少一個(gè)光闌層的中心，所述可變透光區(qū)圍繞所述透光區(qū)。
9.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備，其中當(dāng)施加的所述調(diào)整電壓大于或等于預(yù)定閾值電壓時(shí)，所述可變透光區(qū)完全不透光。
10.如權(quán)利要求7到9的任一所述的電子設(shè)備，其中所述至少一個(gè)光闌層包括第一光闌層、第二光闌層和第三光闌層，所述第一光闌層、第二光闌層和第三光闌層在所述光學(xué)模組的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置。
11.如權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其中所述第一光闌層具有第一透光區(qū)和第一可變透光區(qū)，所述第二光闌層具有第二透光區(qū)和第二可變透光區(qū)，并且所述第三光闌層具有第三透光區(qū)和第三可變透光區(qū)，所述第一透光區(qū)、所述第二透光區(qū)和所述第三透光區(qū)的大小相互不同。
12.—種電子設(shè)備,包括: 光學(xué)系統(tǒng)，用于形成被攝體的光學(xué)圖像； 信號處理系統(tǒng)，用于將所述光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為圖像信號；以及 控制系統(tǒng)，用于控制所述光學(xué)系統(tǒng)和所述信號處理系統(tǒng)對所述被攝體成像并且獲得所述圖像信號， 其中，所述光學(xué)系統(tǒng)包括光學(xué)模組，用于控制進(jìn)入所述光學(xué)系統(tǒng)的光量，所述光學(xué)模組包含 第一光闌層，所述第一光闌層具有完全透光的第一透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的第一可變透光區(qū)； 第二光闌層，所述第二光闌層具有完全透光的第二透光區(qū)以及填充有具有可變透光率材料的第二可變透光區(qū)，所述第一光闌層和所述第二光闌層在所述光學(xué)模組的進(jìn)光方向上以光軸為中心依次布置； 電極單元，用于向所述第一光闌層和所述第二光闌層施加調(diào)整電壓， 其中，所述第一可變透光區(qū)和所述第二可變透光區(qū)的透光率根據(jù)由所述電極單元施加的所述調(diào)整電壓而變化。
【文檔編號】H04N5/225GK104243782SQ201410515915
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月29日
【發(fā)明者】何科, 陳杰峰 申請人:聯(lián)想(北京)有限公司