雙電源冗余的移動基站收發(fā)器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種雙電源冗余的移動基站收發(fā)器，它包括電源模塊，所述的電源模塊包括第一電源端口和第二電源端口，所述的第一電源端口和第二電源端口分別連接在第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管上，所述的第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管均連接在場效應(yīng)管控制芯片上，所述的第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管分別連接在與門的兩個輸入端上。其優(yōu)點(diǎn)是：利用場效應(yīng)管代替二極管，壓降小，無需散熱器，減少電路板的面積，節(jié)約了制作成本。
【專利說明】雙電源冗余的移動基站收發(fā)器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種移動基站收發(fā)器，更具體的說是涉及一種雙電源冗余的移動基站收發(fā)器。
【背景技術(shù)】
[0002]移動基站收發(fā)器簡稱BTS，是移動通信系統(tǒng)的重要組成部分。其在電源供給部分為了使移動基站收發(fā)器能長時間不間斷的、可靠的運(yùn)行，其采用雙電源供給方式。在利用雙電源供電時，其分別將兩個電源或多個電源連接在二極管的陽極上，再并聯(lián)輸出到電源總線給設(shè)備供電。若一個電源出現(xiàn)故障，其余的冗余電源仍然繼續(xù)供電，以此使得其可靠運(yùn)行。但是，采用二極管有個弊端，二極管的最小壓降至少也有0.45V，其壓降引起的功耗大，因此也帶來需處理散熱的問題。因此，利用二極管還需設(shè)計散熱器，給電路板的面積帶來負(fù)擔(dān)，且增加了設(shè)計成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型提供一種雙電源冗余的移動基站收發(fā)器，其利用場效應(yīng)管代替二極管，壓降小，無需散熱器，減少電路板的面積，節(jié)約了制作成本。
[0004]為解決上述的技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0005]雙電源冗余的移動基站收發(fā)器，它包括電源模塊，所述的電源模塊包括第一電源端口和第二電源端口，所述的第一電源端口和第二電源端口分別連接在第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管上，所述的第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管均連接在場效應(yīng)管控制芯片上，所述的第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管分別連接在與門的兩個輸入端上。
[0006]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是:
[0007]作為優(yōu)選，所述的場效應(yīng)管控制芯片為芯片LTC4416，所述的芯片LTC4416的Vl引腳和第一電源端口均連接在第一場效應(yīng)管mosl的漏極上，所述的芯片LTC4416的Gl引腳連接在第一場效應(yīng)管mosl的柵極上，所述的芯片LTC4416的V2腳和第二電源端口均連接在第二場效應(yīng)管mos2的漏極上，所述的芯片LTC4416的G2引腳連接在第二場效應(yīng)管mos2的柵極上，所述的第一場效應(yīng)管mosl的源極和第二場效應(yīng)管mos2的源極分別與與門的兩個輸入端相連。
[0008]進(jìn)一步的,所述的第一場效應(yīng)管mosl和第二場效應(yīng)管mos2均為P型場效應(yīng)管。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0010]1、本實(shí)用新型利用場效應(yīng)管替代二極管，場效應(yīng)管的導(dǎo)通內(nèi)阻小，使得其壓降損耗低，無需設(shè)計散熱器，減少了電源電路板的面積。
[0011]2、本實(shí)用新型的電路結(jié)構(gòu)簡單，易于實(shí)現(xiàn)，無需散熱器，減少了電源模塊的制作成本。
【專利附圖】

【附圖說明】[0012]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0013]圖1為本實(shí)用新型的電源模塊的原理框圖。
[0014]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例2的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。本實(shí)用新型的實(shí)施方式包括但不限于下列實(shí)施例。
[0016][實(shí)施例1]
[0017]如圖1所示的雙電源冗余的移動基站收發(fā)器，它包括電源模塊，所述的電源模塊包括第一電源端口和第二電源端口，所述的第一電源端口和第二電源端口分別連接在第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管上，所述的第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管均連接在場效應(yīng)管控制芯片上，所述的第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管分別連接在與門的兩個輸入端上。在本實(shí)用新型中，利用兩個電源端口給移動基站收發(fā)器的負(fù)載供電，場效應(yīng)管控制芯片控制第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管的導(dǎo)通，使的其實(shí)現(xiàn)雙電源冗余的功能。采用場效應(yīng)管，相比于采用二極管，其導(dǎo)通內(nèi)阻小，壓降低，一般為20-30mV，其功耗小，不需額外的設(shè)計散熱器，節(jié)約成本，進(jìn)一步的減小功耗。
[0018][實(shí)施例2]
[0019]如圖2所示的雙電源冗余的移動基站收發(fā)器，所述的場效應(yīng)管控制芯片為芯片LTC4416，所述的芯片LTC4416的Vl引腳和第一電源端口均連接在第一場效應(yīng)管mosl的漏極上，所述的芯片LTC4416的Gl引腳連接在第一場效應(yīng)管mosl的柵極上，所述的芯片LTC4416的V2腳和第二電源端口均連接在第二場效應(yīng)管mos2的漏極上，所述的芯片LTC4416的G2引腳連接在第二場效應(yīng)管mos2的柵極上，所述的第一場效應(yīng)管mosl的源極和第二場效應(yīng)管mos2的源極分別與與門的兩個輸入端相連。
[0020]所述的第一場效應(yīng)管mosl和第二場效應(yīng)管mos2均為P型場效應(yīng)管。
[0021]在本實(shí)施例中，利用芯片LTC4416來控制第一場效應(yīng)管mosl和第二場效應(yīng)管mos2，使得該電路還可達(dá)到防止電流倒流的現(xiàn)象。當(dāng)?shù)谝浑娫炊丝诤偷诙娫炊丝谳斎腚娫措妷合嗤瑫r，芯片LTC4416的Gl引腳和G2引腳分別控制第一場效應(yīng)管mosl和第二場效應(yīng)管mos2導(dǎo)通，給負(fù)載供電；當(dāng)?shù)谝浑娫炊丝诤偷诙娫炊丝谳斎腚娫措妷翰煌瑫r，輸出電源電壓可能高于某個電源端口的輸入電壓，這時，芯片LTC4416的芯片LTC4416關(guān)斷第一場效應(yīng)管mosl和第二場效應(yīng)管mos2,即芯片LTC4416可防止輸出向輸入倒灌電流的現(xiàn)象。
[0022]如上所述即為本實(shí)用新型的實(shí)施例。本實(shí)用新型不局限于上述實(shí)施方式，任何人應(yīng)該得知在本實(shí)用新型的啟示下做出的結(jié)構(gòu)變化，凡是與本實(shí)用新型具有相同或相近的技術(shù)方案，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.雙電源冗余的移動基站收發(fā)器，它包括電源模塊，其特征在于:所述的電源模塊包括第一電源端口和第二電源端口，所述的第一電源端口和第二電源端口分別連接在第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管上，所述的第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管均連接在場效應(yīng)管控制芯片上，所述的第一場效應(yīng)管和第二場效應(yīng)管分別連接在與門的兩個輸入端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電源冗余的移動基站收發(fā)器，其特征在于:所述的場效應(yīng)管控制芯片為芯片LTC4416，所述的芯片LTC4416的Vl引腳和第一電源端口均連接在第一場效應(yīng)管mosl的漏極上，所述的芯片LTC4416的Gl引腳連接在第一場效應(yīng)管mosl的柵極上，所述的芯片LTC4416的V2腳和第二電源端口均連接在第二場效應(yīng)管mos2的漏極上，所述的芯片LTC4416的G2引腳連接在第二場效應(yīng)管mos2的柵極上，所述的第一場效應(yīng)管mosl的源極和第二場效應(yīng)管mos2的源極分別與與門的兩個輸入端相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙電源冗余的移動基站收發(fā)器，其特征在于:所述的第一場效應(yīng)管mosl和第二場效應(yīng)管mos2均為P型場效應(yīng)管。
【文檔編號】H04B1/38GK203596818SQ201320792896
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年12月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月6日
【發(fā)明者】王學(xué)宗 申請人:四川聯(lián)友電訊技術(shù)有限公司