揚(yáng)聲器模組的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種揚(yáng)聲器模組，涉及電聲產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，包括外殼，所述外殼內(nèi)收容有揚(yáng)聲器單體，所述外殼上設(shè)有泄露孔，所述泄露孔與所述揚(yáng)聲器模組的后聲腔連通，所述泄露孔設(shè)置在所述揚(yáng)聲器單體的正投影范圍內(nèi)或靠近所述揚(yáng)聲器單體正投影范圍的位置。本實(shí)用新型揚(yáng)聲器模組解決了現(xiàn)有技術(shù)中后腔較大的揚(yáng)聲器模組聲學(xué)性能低等技術(shù)問題。本實(shí)用新型揚(yáng)聲器模組聲學(xué)性能高，使用壽命長。
【專利說明】揚(yáng)聲器模組
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電聲產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種揚(yáng)聲器模組。
【背景技術(shù)】
[0002]揚(yáng)聲器模組是便攜式電子設(shè)備的重要聲學(xué)部件,其包括外殼，外殼內(nèi)收容有揚(yáng)聲器單體，揚(yáng)聲器單體向外福射聲音的一側(cè)與外殼圍成的腔體為揚(yáng)聲器模組的前聲腔，揚(yáng)聲器單體的另一側(cè)與外殼圍成的腔體為揚(yáng)聲器模組的后聲腔。外殼上設(shè)有與后聲腔相通的泄露孔，泄露孔能夠平衡振膜振動時產(chǎn)生的模組內(nèi)外壓強(qiáng)差，還可以將模組內(nèi)部產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，通常情況下泄露孔都設(shè)置在模組后聲腔遠(yuǎn)離揚(yáng)聲器單體的一端。
[0003]然而，在一些較大的模組中，比如應(yīng)用在pad等體積較大的電子設(shè)備內(nèi)的模組，這些模組的體積較大，其后聲腔的體積也較大，且多為長寬比較大的細(xì)長形結(jié)構(gòu)，如圖4所不，泄露孔12a設(shè)置在第一殼體IOa遠(yuǎn)離揚(yáng)聲器單體的一端，由于泄露孔12a距離揚(yáng)聲器單體(虛線60圍成的區(qū)域?yàn)閾P(yáng)聲器單體的正投影區(qū)域)，又由于模組后聲腔內(nèi)通常會填充吸音棉，吸音棉進(jìn)一步的阻礙了氣流的流通。所以，此種結(jié)構(gòu)的揚(yáng)聲器模組上的泄露孔無法很好的起到平衡模組內(nèi)外氣壓的作用，同時也不能較快的將揚(yáng)聲器單體產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，嚴(yán)重的降低了揚(yáng)聲器模組的聲學(xué)性能和使用壽命。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種揚(yáng)聲器模組，此揚(yáng)聲器模組聲學(xué)性能高，使用壽命長。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0006]—種揚(yáng)聲器模組，包括外殼，所述外殼內(nèi)收容有揚(yáng)聲器單體，所述外殼上設(shè)有泄露孔，所述泄露孔與所述揚(yáng)聲器模組的后聲腔連通，所述泄露孔設(shè)置在所述揚(yáng)聲器單體的正投影范圍內(nèi)或靠近所述揚(yáng)聲器單體正投影范圍的位置。
[0007]其中，所述泄露孔靠近所述揚(yáng)聲器單體的后腔聲孔設(shè)置。
[0008]其中，所述揚(yáng)聲器模組為狹長結(jié)構(gòu)，所述揚(yáng)聲器單體設(shè)置在所述揚(yáng)聲器模組的一端。
[0009]其中，所述外殼包括結(jié)合在一起的第一殼體和第二殼體，所述泄露孔位于所述第
一殼體上。
[0010]其中，所述揚(yáng)聲器單體包括邊緣部位固定在所述第二殼體上的振動系統(tǒng)，還包括設(shè)置在所述振動系統(tǒng)后端并固定在所述第二殼體上的磁路系統(tǒng)。
[0011]其中，所述磁路系統(tǒng)包括盆架，所述盆架包括底壁以及設(shè)置在所述底壁邊緣部位的側(cè)壁，所述側(cè)壁為斷續(xù)結(jié)構(gòu)，所述底壁上未設(shè)有側(cè)壁的邊緣部位設(shè)有向所述底壁的中心部位延伸的凹陷部，所述凹陷部避讓出的空間為所述揚(yáng)聲器單體的后腔聲孔。
[0012]其中，所述泄露孔位于所述第一殼體外側(cè)的一端覆蓋有阻尼網(wǎng)。
[0013]采用了上述技術(shù)方案后，本實(shí)用新型的有益效果是:[0014]由于本實(shí)用新型揚(yáng)聲器模組的泄露孔設(shè)置在揚(yáng)聲器單體的正投影范圍內(nèi)或靠近揚(yáng)聲器單體正投影范圍的位置的外殼上。泄露孔靠近揚(yáng)聲器單體設(shè)置，振膜振動時產(chǎn)生的氣流可以很容易的通過泄露孔與外界氣流進(jìn)行交換，從而很容易的平衡了模組內(nèi)外氣壓，使得振膜振動得更加穩(wěn)定。同時，由于氣流流通順暢，揚(yáng)聲器單體產(chǎn)生的熱量可以很迅速的散發(fā)出去，從而有效的改善了揚(yáng)聲器模組的THD (總諧波失真)、HOHD (高次諧波失真)和靈敏度，提升了后聲腔較大的揚(yáng)聲器模組的聲學(xué)性能，延長了模組的使用壽命。
[0015]由于泄露孔靠近揚(yáng)聲器單體的后腔聲孔設(shè)置，更進(jìn)一步的提升了氣流流通的順暢性，從而更進(jìn)一步的提升了揚(yáng)聲器模組的聲學(xué)性能和使用壽命。
[0016]綜上所述，本實(shí)用新型揚(yáng)聲器模組解決了現(xiàn)有技術(shù)中后腔較大的揚(yáng)聲器模組聲學(xué)性能低等技術(shù)問題。本實(shí)用新型揚(yáng)聲器模組聲學(xué)性能高，使用壽命長。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是本實(shí)用新型揚(yáng)聲器模組的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是圖1的組合圖；
[0019]圖3是本實(shí)用新型揚(yáng)聲器模組的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4是【背景技術(shù)】中揚(yáng)聲器模組的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖中:10a、第一殼體，10b、第一殼體，12a、泄露孔，12b、泄露孔,20、第二殼體,30、振動系統(tǒng)，32、振膜，34、球頂，40、磁路系統(tǒng)，42、盆架，420、底壁，422、側(cè)壁，424、凹陷部，44、磁鐵，46、華司，50、阻尼網(wǎng)，60、虛線，70、后腔聲孔。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0023]如圖1所不,一種揚(yáng)聲器模組,為長寬比較大的細(xì)長結(jié)構(gòu),包括相互結(jié)合在一起的第一殼體10b、第二殼體20和第三殼體(圖中未不出),第一殼體10b、第二殼體20和第三殼體圍成的空間內(nèi)收容有揚(yáng)聲器單體，揚(yáng)聲器單體設(shè)置在揚(yáng)聲器模組的一端。揚(yáng)聲器單體向外福射聲音的一側(cè)與第二殼體20和第三殼體圍成揚(yáng)聲器模組的前聲腔,揚(yáng)聲器單體與第二殼體20和第一殼體IOb圍成揚(yáng)聲器模組的后聲腔。第一殼體IOb上靠近揚(yáng)聲器單體的位置設(shè)有泄露孔12b，泄露孔12b用于平衡模組內(nèi)外氣壓同時還可以將揚(yáng)聲器單體產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去。第一殼體IOb靠近揚(yáng)聲器單體的一側(cè)為內(nèi)側(cè)，第一殼體IOb遠(yuǎn)離揚(yáng)聲器單體的一側(cè)為外側(cè)，泄露孔12b位于第一殼體IOb外側(cè)的一端覆蓋有阻尼網(wǎng)50。
[0024]如圖2和圖3共同所示，泄露孔12b位于揚(yáng)聲器單體的正投影區(qū)域(圖2中虛線60圍成的區(qū)域)內(nèi)，且靠近揚(yáng)聲器單體的一個后腔聲孔70的位置。泄露孔12b靠近后腔聲孔70，揚(yáng)聲器單體的振膜32 (如圖1所示)振動時產(chǎn)生的氣流可以很容易的通過泄露孔12b與外界氣流進(jìn)行交換，從而很容易的平衡了模組內(nèi)外氣壓，使得振膜32振動得更加穩(wěn)定，也使得揚(yáng)聲器單體產(chǎn)生的熱量可以很迅速的散發(fā)出去，從而有效的提升了后聲腔較大的揚(yáng)聲器模組的聲學(xué)性能，延長了模組的使用壽命。
[0025]如圖1所不,揚(yáng)聲器模組為一體化模組,位于模組外殼內(nèi)的揚(yáng)聲器單體包括振動系統(tǒng)30和磁路系統(tǒng)40。振動系統(tǒng)30包括邊緣部固定在第二殼體20和第三殼體(圖中未不出)之間的振膜32，振膜32遠(yuǎn)離第三殼體的一側(cè)固定有音圈(圖中未示出)，振膜32靠近第三殼體的一側(cè)的中部設(shè)有球頂34,音圈的端部位于磁路系統(tǒng)的磁間隙內(nèi)。磁路系統(tǒng)40位于振動系統(tǒng)30的后端，磁路系統(tǒng)40包括固定在第二殼體20上的盆架42，盆架42包括側(cè)壁422和底壁420，側(cè)壁422垂直設(shè)置在底壁420的四側(cè)邊緣部位，側(cè)壁422為斷續(xù)結(jié)構(gòu)，即側(cè)壁422在底壁420的四個角部位置均設(shè)有開孔，盆架42上依次設(shè)有磁鐵44和華司46，磁鐵44和華司46與盆架42的側(cè)壁422之間形成有磁間隙。音圈根據(jù)通過其線圈的電流的大小和方向在磁間隙內(nèi)做往復(fù)切割磁力線運(yùn)動，帶動振膜32產(chǎn)生振動，振膜32策動空氣發(fā)聲，從而實(shí)現(xiàn)電聲的轉(zhuǎn)換。
[0026]如圖1和圖3共同所示，底壁420的四個角部未設(shè)有側(cè)壁422的邊緣部位均設(shè)有向底壁420的中心部位延伸的凹陷部424，凹陷部424避讓出的空間為揚(yáng)聲器單體的后腔聲孔70，振膜32振動發(fā)出聲波經(jīng)后腔聲孔70進(jìn)入模組的后聲腔。
[0027]如圖2和圖3共同所示，本實(shí)施例中的泄露孔12b靠近揚(yáng)聲器單體的后腔聲孔70設(shè)置，為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，實(shí)際應(yīng)用中泄露孔還可設(shè)置在揚(yáng)聲器單體正投影范圍內(nèi)的其它位置，或是設(shè)置在揚(yáng)聲器單體正投影范圍外靠近揚(yáng)聲器單體的位置，同樣可以起到平衡模組內(nèi)外氣壓，改善散熱效果的作用。
[0028]本實(shí)用新型泄露孔設(shè)置在靠近揚(yáng)聲器單體的位置，用以平衡模組內(nèi)外氣壓，改善散熱效果的技術(shù)方案，不僅適用于上述實(shí)施方式中的一體化模組上，還適用于分體的揚(yáng)聲器模組上；不僅適用于三殼模組上，還適用于兩殼模組上，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本說明書的介紹不需要付出創(chuàng)造性的勞動就可以將本實(shí)用新型的技術(shù)方案移植到上述的各揚(yáng)聲器模組中，故針對上述各揚(yáng)聲器模組的【具體實(shí)施方式】在此不再詳述。
[0029]本實(shí)用新型中第一殼體、第二殼體和第三殼體的命名只是為了區(qū)別技術(shù)特征，不代表三者之間的安裝順序，工作順序以及位置關(guān)系等。
[0030]本實(shí)用新型不局限于上述具體的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出發(fā)，不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動，所作出的種種變換，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.揚(yáng)聲器模組，包括外殼，所述外殼內(nèi)收容有揚(yáng)聲器單體，所述外殼上設(shè)有泄露孔，所述泄露孔與所述揚(yáng)聲器模組的后聲腔連通，其特征在于，所述泄露孔設(shè)置在所述揚(yáng)聲器單體的正投影范圍內(nèi)或靠近所述揚(yáng)聲器單體正投影范圍的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器模組，其特征在于，所述泄露孔靠近所述揚(yáng)聲器單體的后腔聲孔設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的揚(yáng)聲器模組，其特征在于，所述揚(yáng)聲器模組為狹長結(jié)構(gòu)，所述揚(yáng)聲器單體設(shè)置在所述揚(yáng)聲器模組的一端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的揚(yáng)聲器模組，其特征在于，所述外殼包括結(jié)合在一起的第一殼體和第二殼體，所述泄露孔位于所述第一殼體上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的揚(yáng)聲器模組，其特征在于，所述揚(yáng)聲器單體包括邊緣部位固定在所述第二殼體上的振動系統(tǒng)，還包括設(shè)置在所述振動系統(tǒng)后端并固定在所述第二殼體上的磁路系統(tǒng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的揚(yáng)聲器模組，其特征在于，所述磁路系統(tǒng)包括盆架，所述盆架包括底壁以及設(shè)置在所述底壁邊緣部位的側(cè)壁，所述側(cè)壁為斷續(xù)結(jié)構(gòu)，所述底壁上未設(shè)有側(cè)壁的邊緣部位設(shè)有向所述底壁的中心部位延伸的凹陷部，所述凹陷部避讓出的空間為所述揚(yáng)聲器單體的后腔聲孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的揚(yáng)聲器模組,其特征在于，所述泄露孔位于所述第一殼體外側(cè)的一端覆蓋有阻尼網(wǎng)。
【文檔編號】H04R9/02GK203574851SQ201320719102
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月14日
【發(fā)明者】汲鵬程, 張友林 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司