專利名稱：具有線性預(yù)失真器的射頻功率放大器的制作方法
具有線性預(yù)失真器的射頻功率放大器
背景技術(shù)：
射頻(RF)發(fā)送器、諸如在移動無線電話手持機(也稱為蜂窩電話機)和其他便攜式無線電收發(fā)器中包括的那些發(fā)送器通常包括功率放大器。該功率放大器通常是發(fā)送器電路的最后級。在一些類型的發(fā)送器中，實現(xiàn)線性功率放大是很重要的。但是，各種因素可能妨礙線性操作。例如，在一些類型的移動無線電話手持機中通常包括的該類發(fā)送器中，其中，該功率放大器接收上變頻混頻器的輸出，這種混頻器通常輸出的相對大的信號可以將功率放大器驅(qū)動到非線性操作中。增加功率放大器電流是用于促進在這種發(fā)送器中的線性操作的一個技術(shù)，但是其并非在所有情況下都工作得很好。如圖1-2所示，在一些類型的移動無線電話手持機中通常包括的該類發(fā)送器中， 功率放大器10通常包括若干放大器驅(qū)動級或部分12、14、16等，這些中的至少一個、諸如放大器驅(qū)動級14包括響應(yīng)于RF輸入電壓信號20 (V_IN)而輸出射頻(RF)電流信號18(I_0UT) 的跨導(dǎo)(Gm)放大器?？梢钥刂平?jīng)由RF扼流圈M提供的偏置電壓信號22(V_BIAQ來控制功率放大器10的增益。(雖然為了清楚而未在圖1-2中所示，但是在移動無線電話手持機中的電路響應(yīng)于需要調(diào)整發(fā)送器輸出功率的各種操作條件來生成偏置電壓信號22。)如圖 2所示，跨導(dǎo)放大器晶體管沈通常是在以共源配置的電路中布置的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。RF輸入電壓信號20經(jīng)由耦合電容器觀耦接于晶體管沈的柵極。為了清楚而未示出耦接于晶體管26的電流源電路，但用省略號(“...")符號來指示該電流源電路。這種MOSFET當由相對大的信號驅(qū)動時產(chǎn)生非線性電流信號18，作為諸如遷移率降低、速度飽和和輸入電容的非線性的晶體管效應(yīng)的結(jié)果。已知設(shè)計跨導(dǎo)放大器來以增加的電流電平操作，以試圖滿足噪聲性能需求并一定程度上促進線性操作。但是，單獨增加電流通常不能在柵極源極結(jié)處提供足夠的過驅(qū)動電壓，以呈現(xiàn)線性輸出電流信號18。已知為退化的技術(shù)可以與上述增加的電流技術(shù)組合，以進一步促進線性，但該退化阻礙了作為放大器增益控制的偏置電壓信號22的使用。而且，在移動無線電話手持機功率放大器中的增加的電流趨于更快地耗盡電池。將期望以不消耗過多電流、降級放大器噪聲性能或犧牲偏置電壓增益可控性的方式促進跨導(dǎo)放大器線性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例涉及一種功率放大器電路，包括放大器MOSFET和預(yù)失真器 MOSFET0該放大器MOSFET具有經(jīng)由線性耦合電容器耦接于第一偏置電壓且耦接于輸入電壓信號的柵極端。(在此使用的術(shù)語"耦接"意思是經(jīng)由零個或更多中間元件連接。)提供放大器輸出電流信號的放大器MOSFET源極和漏極端耦接于諸如地或電源電壓的參考電壓以及電流源或宿(sink)。所述預(yù)失真器MOSFET被連接在放大器MOSFET的柵極端和第二偏置電壓信號之間。所述預(yù)失真器MOSFET的源極和漏極端被連接在一起，使得其在放大器 MOSFET的柵極端處提供非線性電容。放大器MOSFET的柵極-源極電壓是在輸入線性耦合電容和放大器MOSFET和預(yù)失真器MOSFET的組合非線性電容之間電容地劃分的輸入電壓信號。因此，放大器MOSFET的柵極-源極電壓是非線性的或預(yù)失真的。該預(yù)失真促進消除由放大器MOSFET造成的失真或非線性?；跒g覽以下附圖和詳細描述，本發(fā)明的其他系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點將是或變得對本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯。


可以參考附圖來更好地理解本發(fā)明。附圖內(nèi)的組件不一定是成比例的，而是強調(diào)為了清楚地圖示本發(fā)明的原理來放置。另外，在圖中，類似附圖標記在不同視圖中指定對應(yīng)的部分。圖1是具有至少一個跨導(dǎo)級的已知功率放大器系統(tǒng)的框圖。圖2是圖1的功率放大器系統(tǒng)的跨導(dǎo)級的一部分的示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的功率放大器系統(tǒng)的跨導(dǎo)級的一部分的示意圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一示例實施例的功率放大器系統(tǒng)的跨導(dǎo)級的一部分的示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一示例實施例的功率放大器系統(tǒng)的跨導(dǎo)級的一部分的示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一示例實施例的功率放大器系統(tǒng)的跨導(dǎo)級的一部分的示意圖。圖7是示出在跨導(dǎo)放大器線性中的改進的圖。圖8是具有根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的功率放大器系統(tǒng)的移動無線電話手持機的方框圖。圖9是圖7的移動無線電話手持機的發(fā)送器部分的方框圖。
具體實施例方式如圖3所示，可以在例如一些類型的移動無線電話手持機中共同包括的該類RF功率放大器的跨導(dǎo)(gm)級中包括的放大器電路30響應(yīng)于RF輸入電壓信號34(V_IN)而輸出 RF電流信號32(I_0UT)。放大器電路30包括放大器MOSFET 36和預(yù)失真器MOSFET 38。在圖3所示的實施例中，放大器MOSFET 36是η溝道(NMOS)器件，且預(yù)失真器MOSFET 38是 P溝道(PMOS)器件。放大器MOSFET 36的柵極端經(jīng)由RF扼流圈42耦接于第一偏置電壓信號40 (V_ BIAS)。放大器MOSFET 36的柵極端經(jīng)由線性耦合電容器44也耦接于輸入電壓信號34。放大器MOSFET 36的源極端被連接到地。放大器MOSFET 36的漏極端連接到電流源電路，其為了清楚而未示出，但用省略號(“...")符號來指示該電流源電路。預(yù)失真器MOSFET 38的源極和漏極端連接到一起，由此有效地定義(非線性)電容。預(yù)失真器MOSFET 38被連接在放大器MOSFET 36的柵極端和第二偏置電壓信號46 (V_ BIAS_PM0S)之間，以便預(yù)失真器MOSFET 38的柵極端連接到放大器MOSFET 36的柵極端， 且預(yù)失真器MOSFET 38的源極和漏極端連接到第二偏置電壓信號46。預(yù)失真器MOSFET 38 的偏置使得其在放大器MOSFET 36的柵極端處提供非線性電容。
選擇第二偏置電壓信號46和預(yù)失真器MOSFET 38的尺寸，以使得預(yù)失真器MOSFET 38的非線性電容和放大器MOSFET 36的非線性電容的組合定義與放大器MOSFET 36的輸入電容器單獨行為的方式相反地行為的電容器。但是，注意，預(yù)失真器38的非線性電容不僅抵消放大器MOSFET 36的非線性電容。而是，放大器MOSFET 36的柵極-源極電壓是在線性耦合電容44器以及預(yù)失真器MOSFET 38和放大器MOSFET 38的組合非線性電容之間電容地劃分的輸入電壓信號34。因此，放大器MOSFET 36的柵極-源極電壓是非線性的或預(yù)失真的。該預(yù)失真抵消放大器MOSFET 36的失真或非線性?？梢詤⒖家韵鹿絹砀玫乩斫庠撔Ч?。在諸如圖2所示的放大器驅(qū)動級14的現(xiàn)有跨導(dǎo)放大器電路中(1) V_GS26 = V_IN* [C28/ (C28+C26GG)]，其中，放大器MOSFET沈的柵極-源極電壓，Q8是耦合電容器觀的電容， 且C26 ；是放大器MOSFET 26在其柵極端的電容；(2) I_0UT = Gm26*V_GS26 = Gm26*V_IN* [C28/ (C28GG+C26GG)]，其中，Gm26是放大器MOSFET 26的跨導(dǎo)；以及。(3) Gmeff = Gm26* [C28gg/ (C28GG+C26GG)]，其中，Gmeff是放大器驅(qū)動級14的有效跨導(dǎo)。從公式(3)，可以看出，非線性跨導(dǎo)和非線性電容劃分的乘積(其中，這些非線性彼此不相關(guān))導(dǎo)致組合的非線性有效跨導(dǎo)(Gmrff)。相反，在上面參考圖3所描述的示例跨導(dǎo)放大器電路30中(4) I_0UT = Gm36*V_GS36 = Gm36*V_IN* [C44/ (C44+C36GG+C38GG)]，其中Gm36是放大器MOSFET 36的跨導(dǎo)，是放大器MOSFET 36的柵極-源極電壓，C44是耦合電容器44的線性電容，C36 ；是放大器MOSFET 36在其柵極端處的非線性電容，且C38ee是預(yù)失真器MOSFET 38在其柵極端處的非線性電容；以及(5) Gmeff = Gm36* [C44/ (C44+C36GG+C38GG)]，其中，Gmeff是放大器電路30的有效跨導(dǎo)。從公式(5)，可以看出，非線性跨導(dǎo)和非線性電容劃分的乘積(其中，這些非線性被調(diào)整以彼此抵消)導(dǎo)致線性有效跨導(dǎo)(Gmeff)。可以通過選擇MOSFET 38的尺寸和第二偏置電壓46的值來調(diào)整預(yù)失真器MOSFET 38的非線性電容。預(yù)失真器38的總非線性電容和放大器MOSFET 36的總非線性電容應(yīng)該被使得彼此類似，S卩，具有類似的非線性特征。可以通過經(jīng)驗或通過任何其他適當方式來確定導(dǎo)致放大器電路30的非線性操作的最大減小且導(dǎo)致預(yù)失真器MOSFET 38的總非線性電容與放大器MOSFET 36的總非線性電容彼此相類似的預(yù)失真器MOSFET 38的尺寸和第二偏置電壓46的值的組合。可以通過電路仿真、即使用共同可用的仿真器軟件、通過軟件方式在適當工作站計算機(未示出)上對電路建模，來進行實驗性估計。在仿真中，第二偏置電壓46以及預(yù)失真器MOSFET 38的長度和寬度可以橫掃彼此相關(guān)的值的范圍，且可以觀察到放大器電路30如何線性或非線性地動作，且注意到最佳值。通過這種方式，本發(fā)明涉及的本領(lǐng)域技術(shù)人員可以快速且容易地確定預(yù)失真器 MOSFET 38的尺寸和第二偏置電壓46之一或兩者的適當值。作為例子，放大器MOSFET 36 可以是4. 80微米寬且0. 24微米長；預(yù)失真器MOSFET 38可以是6. 72微米寬且0. 24微米長；且第二偏置電壓46可以是650毫伏。第一偏置電壓40可以是例如1. 1伏特。
圖4中示出了替換的放大器電路48?？梢栽诶缫恍╊愋偷囊苿訜o線電話手持機中共同包括的該類RF功率放大器的跨導(dǎo)(gm)級中包括的放大器電路48響應(yīng)于RF輸入電壓信號52 (V_IN)而輸出RF電流信號50 (I_0UT)。放大器電路48包括放大器MOSFET 54 和預(yù)失真器MOSFET 56。在圖4所示的實施例中，放大器MOSFET M是ρ溝道(PMOS)器件， 且預(yù)失真器M0SFET56是η溝道(匪OS)器件。放大器MOSFET 54的柵極端經(jīng)由RF扼流圈60耦接于第一偏置電壓信號58 (V_ BIAS)。放大器MOSFET M的柵極端經(jīng)由線性耦合電容器62也耦接于輸入電壓信號52。放大器MOSFET M的源極端被連接到電源電壓(VCC)。放大器MOSFET M的漏極端連接到電流宿電路，其為了清楚而未示出，但用省略號(“...")符號來指示該電流宿電路。預(yù)失真器MOSFET 56的源極和漏極端被連接到一起，由此有效地定義(非線性) 電容。預(yù)失真器MOSFET 56被連接在放大器MOSFET M的柵極端和第二偏置電壓信號64(V_ BIAS_NM0S)之間，以便預(yù)失真器MOSFET 56的柵極端被連接到放大器MOSFET M的柵極端， 且預(yù)失真器MOSFET 56的源極和漏極端連接到第二偏置電壓信號64。預(yù)失真器MOSFET 56 的該偏置使得其在放大器MOSFET 54的柵極端處提供非線性電容。選擇第二偏置電壓信號64和預(yù)失真器MOSFET 56的尺寸，以使得預(yù)失真器MOSFET 56的非線性電容和放大器MOSFET M的非線性電容的組合定義與放大器MOSFET M的輸入電容器單獨行為的方式相反地行為的電容器。該預(yù)失真抵消放大器MOSFET M的失真或非線性。圖5中示出了另一替換的放大器電路66。可以在例如一些移動無線電話手持機中共同包括的該類RF功率放大器的跨導(dǎo)(gm)級中包括的放大器電路66響應(yīng)于RF輸入電壓信號70 (V_IN)而輸出RF電流信號68 (I_0UT)。放大器電路66包括放大器MOSFET 72和預(yù)失真器MOSFET 74。在圖5所示的實施例中，放大器MOSFET 72是η溝道(NMOS)器件，且預(yù)失真器M0SFET74是η溝道(NMOS)器件。放大器MOSFET 72的柵極端經(jīng)由RF扼流圈78耦接于第一偏置電壓信號76 (V_ BIAS)。放大器MOSFET 72的柵極端經(jīng)由線性耦合電容器80也耦接于輸入電壓信號70。放大器MOSFET 72的源極端被連接到地。放大器MOSFET 72的漏極端連接到電流源電路，其為了清楚而未示出，但用省略號(“...")符號來指示該電流源電路。預(yù)失真器MOSFET 74的源極和漏極端被連接到一起，由此有效地定義(非線性) 電容。預(yù)失真器MOSFET 74被連接在放大器MOSFET 72的柵極端和第二偏置電壓信號82 (V_ BIAS_NM0S)之間，以便預(yù)失真器MOSFET 74的柵極端連接到所述第二偏置電壓信號82，且預(yù)失真器MOSFET 74的源極和漏極端連接到放大器MOSFET 72的柵極端。預(yù)失真器MOSFET 74的該偏置使得其在放大器MOSFET 72的柵極端處提供非線性電容。選擇第二偏置電壓信號82和預(yù)失真器MOSFET 74的尺寸，以使得預(yù)失真器MOSFET 74的非線性電容和放大器MOSFET 72的非線性電容的組合定義與放大器MOSFET 72的輸入電容器單獨行為的方式相反地行為的電容器。該預(yù)失真抵消放大器MOSFET 72的失真或非線性。以下公式應(yīng)用于圖5所示的實施例(6) I_0UT = Gm72*V_GS72 = Gm72*V_IN* [C80/ (C80+ {C72GG+ (C74DD+C74SS)})],其中Gm36是放大器MOSFET 36的跨導(dǎo)，是放大器MOSFET 36的柵極-源極電壓，C44是耦合電容器44的線性電容，C72 ；是放大器MOSFET 72在其柵極端處的非線性電容，且C74dd是預(yù)失真器MOSFET 36在其漏極端處的非線性電容，且C74ss是預(yù)失真器MOSFET 38在其源極端處的非線性電容；以及(7) Gmeff = Gm72* [C80/ (C80+ {C72GG+ (C7 棚+C74ss)})],其中，Gmeff是放大器電路66的有效跨導(dǎo)。從公式(7)，可以看出，非線性跨導(dǎo)和非線性電容劃分的乘積(其中，這些非線性被調(diào)整以彼此抵消)導(dǎo)致線性有效跨導(dǎo)(Gmeff)?？梢酝ㄟ^選擇MOSFET 74的尺寸和/或第二偏置電壓82的值來調(diào)整預(yù)失真器MOSFET 74的非線性電容。圖6中示出了另一替換的放大器電路84?？梢栽诶缫恍╊愋偷囊苿訜o線電話手持機中共同包括的該類RF功率放大器的跨導(dǎo)(gm)級中包括的放大器電路84響應(yīng)于RF輸入電壓信號88 (V_IN)而輸出RF電流信號86 (I_0UT)。放大器電路84包括放大器MOSFET 90和預(yù)失真器MOSFET 92。在圖6所示的實施例中，放大器MOSFET 90是ρ溝道(PMOS)器件，且預(yù)失真器MOSFET 92是ρ溝道(PMOS)器件。放大器MOSFET 90的柵極端經(jīng)由RF扼流圈96耦接于第一偏置電壓信號94 (V_ BIAS)。放大器MOSFET 90的柵極端經(jīng)由線性耦合電容器98也耦接于輸入電壓信號88。放大器MOSFET 90的源極端被連接到電源電壓(VCC)。放大器MOSFET 90的漏極端連接到電流漏(current drain)電路，其為了清楚而未示出，但用省略號(“...")符號來指示該電流源電路。預(yù)失真器MOSFET 92的源極和漏極端被連接到一起，由此有效地定義(非線性)電容。預(yù)失真器MOSFET 92被連接在放大器MOSFET 90的柵極端和第二偏置電壓信號100(V_BIAS_PM0S)之間，以便預(yù)失真器MOSFET 92的柵極端連接到第二偏置電壓信號 100，且預(yù)失真器MOSFET 92的源極和漏極端連接到放大器MOSFET 90的柵極端。預(yù)失真器 MOSFET 92的該偏置使得其在放大器MOSFET 90的柵極端處提供非線性電容。選擇第二偏置電壓信號100和預(yù)失真器MOSFET 92的尺寸，以使得預(yù)失真器 MOSFET 92的非線性電容和放大器MOSFET 90的非線性電容的組合定義與放大器MOSFET 90的輸入電容器單獨行為的方式相反地行為的電容器。該預(yù)失真抵消放大器MOSFET 90的失真或非線性。圖7中圖示了上述類型的跨導(dǎo)放大器的改進的線性。通常是圖2所示的該類現(xiàn)有放大器電路的特征的跨導(dǎo)(Gm)99是非線性的，而通常是上述示例RF功率放大器電路30、 48,66和84或本發(fā)明涉及的其他這種放大器電路的特征的有效跨導(dǎo)(Gmeff) 101是更線性的。如圖8和圖9所示，上述示例RF功率放大器電路30、48、66和84或本發(fā)明涉及的其他這種放大器電路中的任何一個可以被包括在移動無線電信設(shè)備102、諸如蜂窩電話手持機中。設(shè)備102包括射頻(RF)子系統(tǒng)104、天線106、基帶子系統(tǒng)108和用戶接口部分 110。RF子系統(tǒng)104包括發(fā)送器部分112和接收器部分114。發(fā)送器部分112的輸出和接收器部分114的輸入經(jīng)由前端模塊116被耦接于天線106，該前端模塊116允許同時傳送通過由發(fā)送器部分112產(chǎn)生的發(fā)送的RF信號和提供給接收器部分114的接收的RF信號。 但是對于發(fā)送器部分112的一部分來說，上述列出的元件可以是傳統(tǒng)地包括在這種移動無線電信設(shè)備中的類型。作為傳統(tǒng)元件，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將很好理解本發(fā)明所涉及的且因此在此不詳細描述的。但是，不像這種移動無線電信設(shè)備的傳統(tǒng)發(fā)送器部分，發(fā)送器部分 112包括具有具備上述示例放大器電路30、48、66和84(圖7-8中未示出)或本發(fā)明涉及的其他這種放大器電路的一個或更多跨導(dǎo)級的功率放大器系統(tǒng)118。應(yīng)該注意，雖然在涉及移動無線通信設(shè)備的示例實施例的背景下描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明或者可以在包括RF 發(fā)送器的其他設(shè)備中實現(xiàn)。如圖8所示，在發(fā)送器部分112中，功率放大器系統(tǒng)118接收上變頻器120的輸出， 該上變頻器120進而接收調(diào)制器122的輸出。可以通過調(diào)整一個或多個功率控制信號124 來控制功率放大器系統(tǒng)118的增益。功率控制電路1 可以響應(yīng)于各種操作條件而以傳統(tǒng)方式生成控制信號124，如本領(lǐng)域很理解的。功率放大器系統(tǒng)118中的偏置電壓生成器電路 (為了清楚而未示出)可以響應(yīng)于功率控制信號1 而產(chǎn)生上述第一和第二偏置電壓信號。 如上所述，可以通過調(diào)整其第一偏置電壓信號來控制示例放大器電路30、48、66和84中的任一個的增益。雖然在該示例實施例中，通過功率放大器系統(tǒng)118內(nèi)的電路來生成第一和第二偏置電壓控制信號，但是在其他實施例中，發(fā)送器部分112中的任何其他電路或移動無線通信設(shè)備102的任何其他適當部分可以生成第一和第二偏置電壓信號。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的各種實施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將明了更多實施例和實施方式在本發(fā)明的范圍內(nèi)是可能的。因此，不限制本發(fā)明，除了在所附權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種用于射頻(RF)發(fā)送器的功率放大器電路，包括放大器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，具有經(jīng)由線性電容耦接于第一偏置電壓且耦接于輸入電壓信號的柵極端，源極端和漏極端中的一個耦接于參考電壓，源極端和漏極端中的另一個耦接于電流電路，其中，所述源極端和漏極端中的一個響應(yīng)于輸入電壓信號而提供輸出電流信號；以及預(yù)失真器M0SFET，連接在放大器MOSFET的柵極端和第二偏置電壓信號之間，所述預(yù)失真器MOSFET的源極端連接到所述預(yù)失真器MOSFET的漏極端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的功率放大器電路，其中所述放大器MOSFET是η溝道(匪0幻器件，所述放大器MOSFET的源極端耦接于地參考電壓，且所述放大器MOSFET的漏極端耦接于電流源電路；以及所述預(yù)失真器MOSFET是ρ溝道(PMOS)器件，所述預(yù)失真器MOSFET的源極端和漏極端連接到第二偏置電壓信號，且所述預(yù)失真器MOSFET的柵極端連接到所述放大器MOSFET的柵極端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的功率放大器電路，其中所述放大器MOSFET是ρ溝道(PM0Q器件，所述放大器MOSFET的源極端耦接于電源參考電壓，且所述放大器MOSFET的漏極端耦接于電流宿電路；以及所述預(yù)失真器MOSFET是η溝道(NMOS)器件，所述預(yù)失真器MOSFET的源極端和漏極端連接到第二偏置電壓信號，且所述預(yù)失真器MOSFET的柵極端連接到所述放大器MOSFET的柵極端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的功率放大器電路，其中所述放大器MOSFET是η溝道(匪0幻器件，所述放大器MOSFET的源極端耦接于地參考電壓，且所述放大器MOSFET的漏極端耦接于電流源電路；以及所述預(yù)失真器MOSFET是η溝道(NMOS)器件，所述預(yù)失真器MOSFET的源極端和漏極端連接到放大器MOSFET的柵極端，且所述預(yù)失真器MOSFET的柵極端連接到所述第二偏置電壓信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的功率放大器電路，其中所述放大器MOSFET是ρ溝道(PM0Q器件，所述放大器MOSFET的源極端耦接于電源參考電壓，且所述放大器MOSFET的漏極端耦接于電流宿電路；以及所述預(yù)失真器MOSFET是ρ溝道(PMOS)器件，所述預(yù)失真器MOSFET的源極端和漏極端連接到所述預(yù)失真器MOSFET的柵極端，且所述預(yù)失真器MOSFET的柵極端連接到所述第二偏置電壓信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的功率放大器電路，其中，所述放大器MOSFET具有基本上等于所述預(yù)失真器MOSFET的非線性電容的非線性電容。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中，所述預(yù)失真器MOSFET具有基本上類似于所述放大器 MOSFET的非線性電容的非線性電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，所述預(yù)失真器MOSFET尺寸和第二偏置電壓信號值的組合定義了與所述放大器MOSFET的輸入電容相反地行為的非線性電容。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的功率放大器電路，其中，所述功率放大器電路被包括在移動無線通信設(shè)備中。
10.一種用于在射頻(RF)發(fā)送器中線性地放大RF信號的方法，包括經(jīng)由線性電容器向放大器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的柵極端提供輸入電壓信號；向放大器MOSFET的柵極端提供第一偏置電壓；向耦接于放大器MOSFET的源極端和漏極端中的一個提供參考電壓；在源極端和漏極端的另一個中容納電流，其中，所述源極端和漏極端中的一個響應(yīng)于輸入電壓信號而提供輸出電流信號；以及預(yù)矯正對在預(yù)矯正器MOSFET的柵極端和源極端之間的電壓進行，預(yù)矯正器MOSFET連接在放大器MOSFET的柵極端和第二偏置電壓信號之間、所述預(yù)矯正器MOSFET的源極端連接到所述預(yù)矯正器MOSFET的漏極端，其中，通過將預(yù)矯正器MOSFET的非線性電容與放大器 MOSFET的非線性電容組合來預(yù)矯正對在預(yù)矯正器MOSFET的柵極端和源極端之間的電壓進行。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中，預(yù)失真電壓包括向所述預(yù)失真器MOSFET提供類似于所述放大器MOSFET的非線性電容的非線性電容。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中，向所述預(yù)失真器MOSFET提供類似于所述放大器 MOSFET的非線性電容的非線性電容包括選擇預(yù)失真器MOSFET尺寸和第二偏置電壓信號值的組合。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，所述預(yù)失真器MOSFET尺寸和第二偏置電壓信號值的組合定義了與所述放大器MOSFET的輸入電容相反地行為的非線性電容。
全文摘要
一種功率放大器電路包括放大器MOSFET和預(yù)失真器MOSFET。所述預(yù)失真器MOSFET源極和漏極被連接到一起，且所述預(yù)失真器MOSFET被連接在放大器MOSFET的柵極和第二偏置電壓信號之間。所述預(yù)失真器MOSFET的該偏置使得其在放大器MOSFET的柵極處提供非線性電容。放大器MOSFET和預(yù)失真器MOSFET的組合的非線性電容提供促進消除單獨由放大器MOSFET帶來的失真或非線性的預(yù)失真。
文檔編號H04B1/04GK102577136SQ200980161984
公開日2012年7月11日 申請日期2009年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月17日
發(fā)明者B.阿加瓦爾, H.R.阿米爾費羅茲庫西, H.阿克約爾 申請人:天工方案公司