專利名稱:橫向振動器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種橫向振動器,尤其涉及一種用于電子發(fā)聲器件的橫向振動
o
背景技術(shù):
在手機(jī)等便攜通信設(shè)備快速發(fā)展的過程中,對安裝在其中的電聲器件的要求越來 越高。為了達(dá)到節(jié)省空間、提升品質(zhì)的目的,電子元器件逐步向超小超薄方向發(fā)展,由 此,作為來電提示、觸控反饋等效果的最主要實(shí)現(xiàn)者,振動器的發(fā)展也相應(yīng)加快。振動器中 的橫向振動器因?yàn)樵诟叨确较蛏暇哂休^強(qiáng)的優(yōu)勢而有取代一般振動器的趨勢。在橫向振動 器向超小超薄的方向發(fā)展趨勢下,對橫向振動器振動量的要求也越來越高,這對現(xiàn)行的振 動量設(shè)計(jì)模式提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。請參閱圖1,是一種橫向振動器1的剖面示意圖,所述橫向振動器1包括一對磁體 10和一線圈12。所述橫向振動器1主要存在驅(qū)動力較小的問題,主要原因是其采用了單線 圈12結(jié)構(gòu),導(dǎo)致與所述線圈12配合的磁體10的磁場僅有靠近所述線圈12 —側(cè)的磁場可 以利用,而遠(yuǎn)離所述線圈12—側(cè)的磁場則被浪費(fèi),決定了所述橫向振動器1的驅(qū)動力較小。
實(shí)用新型內(nèi)容針對現(xiàn)有橫向振動器存在的驅(qū)動力較小的問題,本實(shí)用新型提供一種驅(qū)動力較大 的橫向振動器。一種橫向振動器,包括第一磁體、第二磁體、第三磁體和線圈,所述第一磁體和所 述第二磁體的充磁方向相反,所述第三磁體的充磁方向垂直于所述第一磁體的充磁方向。作為上述橫向振動器的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一磁體、所述第二磁體和所述第三磁 體從左到右依次設(shè)置。作為上述橫向振動器的進(jìn)一步改進(jìn),所述第一磁體的充磁方向向下,所述第三磁 體的充磁方向向上,所述第二磁體的充磁方向向左。作為上述橫向振動器的進(jìn)一步改進(jìn),進(jìn)一步包括線圈,所述線圈設(shè)置在所述第一 磁體、所述第二磁體和所述第三磁體的下方。作為上述橫向振動器的進(jìn)一步改進(jìn),所述線圈為單層線圈或者多層線圈結(jié)構(gòu)。作為上述橫向振動器的進(jìn)一步改進(jìn),進(jìn)一步包括導(dǎo)磁片,所述導(dǎo)磁片設(shè)置在所述 第一磁體、所述第二磁體和所述第三磁體的上方,且與所述第一磁體、所述第二磁體和所述 第三磁體接合成一體。作為上述橫向振動器的進(jìn)一步改進(jìn),進(jìn)一步包括上殼和下殼,所述上殼和下殼共 同收容所述第一磁體、所述第二磁體和所述第三磁體。本實(shí)用新型的所述橫向振動器中,在所述第一磁體和所述第三磁體都是垂直于所 述線圈充磁的情況下,采用水平方向充磁的所述第三磁體,可以有效改善并利用所述第一
3磁體和所述第三磁體的有用磁場分布,從而在不增加振動部分質(zhì)量的情況下,可以有效提 高所述橫向振動器的振動量。
圖1是一種與本實(shí)用新型相關(guān)的橫向振動器的剖面示意圖。圖2是本實(shí)用新型橫向振動器一較佳實(shí)施方式的剖面示意圖。圖3是圖2所示橫向振動器的磁體的磁力線分布示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的橫向振動器進(jìn)行說明。請參閱圖2,是本實(shí)用新型橫向振動器一較佳實(shí)施方式的剖面示意圖,所述橫向振 動器2包括第一磁體21、第二磁體22、第三磁體23、導(dǎo)磁片24、線圈25、下殼26和上殼27。 所述下殼26和所述上殼27配合形成所述橫向振動器2的外殼(未標(biāo)示)以收容所述第一 磁體、所述第二磁體22、所述第三磁體23、所述導(dǎo)磁片24和所述線圈25。所述第一磁體21、所述第二磁體22和所述第三磁體23都設(shè)置在所述外殼內(nèi),且都 是永磁體,其通常由多種硬度較高的金屬制得,如鐵、鋁、鎳和鈷等,或者銅、鈮和鉭等,根據(jù) 成分的不同,其磁性能也對應(yīng)有所區(qū)別。所述第一磁體21、所述第二磁體22和所述第三磁體23從左到右依次相鄰設(shè)置。 所述第一磁體21和所述第三磁體23的充磁方向相反,而所述第二磁體22的充磁方向和所 述第一磁體21的充磁方向垂直。例如,所述第一磁體21的充磁方向?yàn)橄蛳拢闯蛩鱿?殼26,所述第三磁體23的充磁方向則為向上,即朝向所述上殼27,設(shè)置在所述第一磁體21 和所述第三磁體23之間的第二磁體22的充磁方向?yàn)橄蜃?。所述線圈25和所述導(dǎo)磁片24分別設(shè)置在所述第一磁體21、所述第二磁體22和所 述第三磁體23的上下兩側(cè)。本實(shí)施方式中,所述線圈25設(shè)置在所述第一磁體21、所述第二 磁體22和所述第三磁體23靠近所述下殼26的一側(cè),其主要由銅線繞制而成,根據(jù)所需驅(qū) 動力的大小,其可以是單層線圈,也可以是多層線圈。所述導(dǎo)磁片24設(shè)置在所述第一磁體21、所述第二磁體22和所述第三磁體23的上 方,即靠近所述上殼27的一側(cè),且與所述第一磁體21、所述第二磁體22和所述第三磁體23 接合在一起,從而形成磁路。請參考圖3,是所述第一磁體21、所述第二磁體22和所述第三磁體23所形成的磁 場的磁力線分布示意圖。由于所述第一磁體21向上充磁,所述第三磁體23向下充磁,在所 述第一磁體21和所述第二磁體22間的所述第二磁體22向左充磁,所以,垂直于所述線圈 25向上的磁場強(qiáng)度較弱,而垂直于所述線圈25向下的磁場強(qiáng)度較強(qiáng),因此,放在垂直向下 磁場中的所述線圈25的驅(qū)動力可以有效提高,從而對應(yīng)提高產(chǎn)生的振動量。在本實(shí)用新型的所述橫向振動器2中,在所述第一磁體21和所述第三磁體23都 是垂直于所述線圈25充磁的同時(shí),采用水平方向充磁的所述第三磁體23,可以有效改善并 利用所述第一磁體21和所述第三磁體23的有用磁場分布,從而在不增加振動部分質(zhì)量的 情況下,可以有效提高所述橫向振動器2的振動量。以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施案例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之 內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種橫向振動器,包括第一磁體和第二磁體,所述第一磁體和所述第二磁體的充磁方向相反,其特征在于進(jìn)一步包括第三磁體,且所述第三磁體的充磁方向垂直于所述第一磁體的充磁方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向振動器,其特征在于所述第一磁體、所述第二磁體和所 述第三磁體從左到右依次設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的橫向振動器,其特征在于所述第一磁體的充磁方向向下,所 述第三磁體的充磁方向向上,所述第二磁體的充磁方向向左。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的橫向振動器,其特征在于進(jìn)一步包括線圈,所述線圈設(shè)置在 所述第一磁體、所述第二磁體和所述第三磁體的下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的橫向振動器,其特征在于所述線圈為單層線圈。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的橫向振動器,其特征在于所述線圈為多層線圈結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的橫向振動器,其特征在于進(jìn)一步包括導(dǎo)磁片,所述導(dǎo)磁片設(shè) 置在所述第一磁體、所述第二磁體和所述第三磁體的上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的橫向振動器,其特征在于所述導(dǎo)磁片與所述第一磁體、所述 第二磁體和所述第三磁體接合成一體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向振動器,其特征在于進(jìn)一步包括上殼和下殼,所述上殼 和下殼共同收容所述第一磁體、所述第二磁體和所述第三磁體。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種橫向振動器。所述橫向振動器包括第一磁體、第二磁體和第三磁體,所述第一磁體和所述第二磁體的充磁方向相反,所述第三磁體的充磁方向垂直于所述第一磁體的充磁方向。本實(shí)用新型的橫向振動器具有驅(qū)動力較大的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H04R9/02GK201585120SQ20092026131
公開日2010年9月15日 申請日期2009年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月7日
發(fā)明者令狐榮林 申請人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司;瑞聲聲學(xué)科技(常州)有限公司