專利名稱：射頻器件、光學(xué)收發(fā)器與制造收發(fā)器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)收發(fā)器模塊，尤其涉及一種寬帶阻抗匹配電路設(shè)計，該設(shè)計能同時提供從激光二極管驅(qū)動器到激光二極管的高帶寬信號路徑和針對激光二極管的直流電源的寄生效應(yīng)的屏蔽。
背景技術(shù)：
工作在高數(shù)據(jù)速率光學(xué)收發(fā)器或發(fā)射機中的激光二極管需要有用于傳送待發(fā)送數(shù)據(jù)的針對激光二極管驅(qū)動電路的寬帶高頻(交流或射頻)連接，和用于建立工作點的針對激光二極管的直流電源連接。
有些光學(xué)模塊通過射頻線建立工作點，這需要更高的偏置電壓，同時會產(chǎn)生更高的功率損耗。
對于其中直流和射頻采用不同電路連接的光學(xué)模塊，可有如下考慮。射頻線需要對待傳輸信號的帶寬(這里對10Gb/s的應(yīng)用高達(dá)15GHz)進(jìn)行精心設(shè)計。直流連接不那么敏感，但存在射頻設(shè)計方面的更多挑戰(zhàn)，因為它必須在整個頻率范圍(比如超過10MHz或一般地，數(shù)據(jù)率為1×10-4)。
這種去耦通過使用市場上可得到的射頻阻流器來實現(xiàn)。射頻阻流器對直流是一條低阻抗路徑，而對射頻信號是高阻抗路徑。然而，與射頻阻流器的布局和設(shè)計有關(guān)的寄生電磁效應(yīng)(容性耦合和感應(yīng)電壓降)能夠使得去耦失效，從而使信號到激光二極管的傳輸降級。

發(fā)明內(nèi)容
射頻阻流器襯墊的對地寄生電容(Cg)和連接到激光器的接合線的寄生電感(Lb)一起組成了一個諧振電路，該諧振電路為處于其諧振頻率上的高頻信號產(chǎn)生了一個并行(并聯(lián))低阻抗路徑。諧振頻率可以近似為fres=12πLb*Cg]]>fres的典型值可以低到幾GHz。
通過降低寄生元素Cg和Lb來提高諧振頻率fres只能達(dá)到一個極限。射頻阻流器的大小、最短接合線距離和其他設(shè)計或生產(chǎn)限制通常對寄生電感和電容值設(shè)置了一個下限。從而器件的全工作帶寬通常不能做成與任何寄生射頻阻流諧振都無關(guān)。
需要注意，不僅接合線，而且激光二極管與射頻阻流器之間的任何電連接都有寄生電感。因而上述考慮也適用于不同的電連接，比如帶狀電纜或直接焊接。
因此，收發(fā)器或其他射頻器件包括一個置于具有射頻(RF)傳輸線的接地板上的信號層，傳輸線的構(gòu)造和尺寸經(jīng)過設(shè)計，用于提供沿著射頻線的阻抗匹配。屏蔽被形成為射頻線的一部分，并且置于直流電源的射頻阻流器下方，以在阻流器和屏蔽之間形成一個控制寄生效應(yīng)的中間電容。
一種用于制造能同時提供射頻(RF)的阻抗匹配傳輸和針對寄生效應(yīng)引起的傳輸損失的屏蔽的收發(fā)器的方法包括以下步驟針對傳輸路徑上給定布置識別與射頻阻流器相關(guān)的寄生電磁元素，以及在傳輸路徑上設(shè)定射頻線的布局和尺寸以形成阻抗匹配的射頻線，其中射頻線的一部分針對給定帶寬屏蔽射頻阻流器，使得同時提供阻抗匹配和對射頻阻流器的寄生效應(yīng)的控制。
這些以及其他目標(biāo)、特征和優(yōu)點，通過下面對說明性實施例的詳細(xì)描述，將會變得明顯，下述描述需要結(jié)合附圖來閱讀。


下面對優(yōu)選實施例的詳細(xì)描述中，將會參考下列附圖，其中圖1是基于一個說明性實施例的說明性收發(fā)器的頂視圖；圖2是取自圖1的剖線2-2的截面圖；圖3A的頂視圖示出了具有阻抗匹配射頻線的信號層，根據(jù)一個說明性實施例，射頻線形成了一個屏蔽；圖3B的頂視圖示出了具有射頻阻流元素的直流電源路徑，該圖還進(jìn)一步示出了潛在寄生元素的區(qū)域；圖4所示是包括根據(jù)本發(fā)明的一個方面形成的屏蔽電容的寄生元素的示意圖；圖5對圖4中相同電路的三種傳輸情形，分別示出了dB-頻率的S-參數(shù)圖；圖6是一種原型設(shè)計的模擬傳輸?shù)膁B-頻率的S-參數(shù)圖；圖7是一種原型設(shè)計的實際傳輸?shù)膁B-頻率的S-參數(shù)圖；而圖8所示是制造能同時提供射頻(RF)阻抗匹配傳輸和針對寄生效應(yīng)引起的傳輸損失的屏蔽的收發(fā)器的框/流圖。
具體實施例方式
寬帶阻抗匹配與電路設(shè)計的系統(tǒng)和方法是為光學(xué)收發(fā)器模塊提供的，光學(xué)收發(fā)器模塊同時提供一條到激光二極管的高帶寬信號路徑，和對激光二極管的直流電源的寄生效應(yīng)的屏蔽。本發(fā)明是建立在對電高頻信號線和直流電源線的綜合設(shè)計的基礎(chǔ)上的。一個實施例使用惠斯通橋的一種具體實現(xiàn)，其中屏蔽充當(dāng)旁路(加速)電容。
只要光學(xué)收發(fā)器模塊電路下面存在金屬板(也稱為接地板)，就可能出現(xiàn)寄生效應(yīng)。按照一個實施例，這里提供的阻抗匹配電路在硅上實現(xiàn)。不過，襯底材料可以包括其他材料，比如陶磁、有機物、印刷或柔性電路板等。并且，直流電源不必位于單獨的子支架(submount)上或具有下文所述的形狀和尺寸。
現(xiàn)在詳細(xì)描述附圖，圖中相同數(shù)字代表相同或相似的組成部分，首先看圖1，根據(jù)一個實施例，收發(fā)器組件或其他器件10包括一個光具座(optical bench)或襯底11。組件10包括位于子支架14，例如小塊電介質(zhì)材料上的射頻阻流器12，其中具有用于進(jìn)行圓狀或帶狀引線接合的合適金屬襯墊20。子支架的尺寸最好保持盡可能小，以允許布置在激光二極管16附近。最好選擇子支架高度和材料，以針對合適的制造工藝并易于連接到光具座11上。
射頻阻流器子支架14的位置和/或變形(modification)是經(jīng)過安排的，使得通過射頻線設(shè)計來屏蔽和減少寄生電容。這就是說，子支架14的金屬接觸20置于射頻線22上，并盡可能靠近激光二極管16。
對設(shè)計中與射頻阻流器12和它們的布置有關(guān)的寄生電磁元素進(jìn)行識別，并且用以影響阻抗匹配電路的布局和設(shè)計。寄生元素包括從阻流器12到激光器16的電路徑(比如引線21)的寄生電感，和包括射頻阻流器終端13與光具座10的接地板(未示出)的寄生電容(射頻阻流器終端及其所在的任何金屬襯墊20都對這個電容有貢獻(xiàn))。接合引線23將射頻阻流器連接到直流電源(未示出)。
寄生電容影響阻抗匹配電路22的設(shè)計，使得電路的一部分在期望的帶寬上屏蔽射頻阻流器12。電路的設(shè)計可以進(jìn)行迭代調(diào)整，以滿足要求的規(guī)格，從而實現(xiàn)對射頻線22的寄生電容的充分屏蔽。
組件10并不試圖直接減少寄生元素；而是將對寄生電容有貢獻(xiàn)的射頻阻流元件12屏蔽到地，這將有效消除共振電路，否則共振電路將會引起寄生效應(yīng)。
光電二極管30通過連接32連接到控制電路。連接32被接合(bond)或連接到跡線(trace)36(光具座11的外部)。類似地，連接38將射頻線32連接到形成于光具座11之外的跡線40。可以在連接38之前提供隔直電容器，以防止交流電源(比如激光二極管驅(qū)動器)的直流偏置。激光二極管16置于射頻線22之間的間隙(d)內(nèi)。透鏡44，比如凸透鏡(ball lens)，被裝配在激光器16附近，用于將輸出信號聚焦進(jìn)隔離器46或光纖內(nèi)(未示出)。
在一個實施例中，光具座11由高電阻率的硅(比如，約1kOhm-cm)組成。還可以用到陶瓷或有機襯底。圖2示出了取自圖1中剖面線2-2的組件10的截面圖。
在圖2所示的實施例中，硅工作臺(silicon bench)11裝配在導(dǎo)體塊50上。塊50最好由高電導(dǎo)率材料制成，比如金屬，特別是銅或銅合金。其他合適的材料可以包括金、銀或其他金屬及其合金。塊50保持在地電位上，或作為光具座11的交流參考地。子支架14裝配在工作臺11上。工作臺11包括射頻線22，并形成信號層。射頻阻流器12裝配在子支架14上。子支架14上的阻流終端13和襯墊20形成針對信號層的電容(Cs)和針對接地層的電容(Cg)，后者是寄生的。通過同時平衡這些電容，本發(fā)明的優(yōu)點就實現(xiàn)了。即實現(xiàn)了從激光二極管驅(qū)動器(未示出)到激光二極管的阻抗匹配射頻信號傳輸，和對射頻信號沒有任何不利影響的激光二極管16的直流偏置。這是通過設(shè)計射頻線22的復(fù)雜形狀來實現(xiàn)的。
特別地，射頻線22包括為射頻輸入信號提供匹配阻抗的尺寸，該尺寸還防止這個信號像在現(xiàn)有技術(shù)系統(tǒng)中那樣由于直流電源連接的寄生影響而受到損失。
為了進(jìn)一步說明一個實施例的優(yōu)點，圖3A示意性地示出了提供阻抗匹配和屏蔽以抵消寄生電感和電容的射頻線22的特征。
參照圖3A，信號層包括射頻線22。對射頻線22進(jìn)行幾何設(shè)計，從而為交流信號路徑提供一個阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。此外，如圖3B所示，通過在子支架14的襯墊20和信號層(比如射頻線22)之間引入電容Cs，線22的一部分52提供了減小Cg的屏蔽。注意，在圖3B中，為便于說明，除去了信號層特征。通過幾何尺寸設(shè)計，線22被確定為允許交流電到達(dá)激光器，但在可接受的工作頻率范圍(比如2-20GHz)內(nèi)，不會由于直流供電路徑的寄生效應(yīng)而產(chǎn)生功率損失。
圖4中示出了一個等效電路，用于說明優(yōu)選實施例的優(yōu)點。屏蔽(圖3A，52)的提供引入了中間電容(Cs)。Rm表示一個電阻器，用于提供低阻抗激光二極管Rl與激光二極管驅(qū)動器(Driver)的匹配，該驅(qū)動器可包括比如薄的薄膜電阻器54(圖3A)。Cg是射頻阻流器與地之間的寄生電容，Lb是激光二極管(16)和射頻阻流器(12)之間的連接的寄生電感。假定在高頻情況下射頻阻流器的阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于Rm和Rl，所以為簡化起見，這里就不考慮它了?！皩拵ヅ洹笔且粋€模擬阻抗，它表示射頻線22的幾何效應(yīng)。
在無屏蔽的情況下，即沒有Cs的情況下，Cg和Lb形成為其諧振頻率上的高頻信號提供并聯(lián)低阻抗電路的諧振電路。這會導(dǎo)致傳輸能量損失。引入屏蔽52(圖3A)至少有兩點有利影響，第一，Cg將會減小，第二，引入了跨過匹配電阻器Rm的旁路(加速)電容Cs。這樣，一個類似復(fù)雜惠斯通橋的電路就建立了，其中Rm和Rl是一個臂，Cs和Cg是另一個臂。
現(xiàn)在可以區(qū)分下列情況1)Cs/Cg＜Rl/Rm屏蔽小于目標(biāo)值。將會產(chǎn)生傳輸損失。
2)Cs/Cg＝Rl/Rm屏蔽恰好位于目標(biāo)值(Lb上沒有電流)上。傳輸是平坦的。
3)Cs/Cg＞Rl/Rm屏蔽高于目標(biāo)值。傳輸有尖峰。
在圖5中，對上述三個情況進(jìn)行了等效電路仿真。為了區(qū)別三個情況，選擇了不同值。說明中的參數(shù)值包括Driver＝50Ohm，Rm＝40Ohm，Rl＝10Ohm，Lb＝10nH。
在情況1中，無屏蔽，Cs＝0，Cg＝40fF，Cs/Cg＝0。如曲線101所示，在傳輸(dB)-頻率(GHz)圖表中，傳輸有一個凹陷(notch)。
在情況2中，屏蔽位于目標(biāo)值上，Cs＝10fF，Cg＝40fF，Cs/Cg＝Rl/Rm。如曲線102所示，在傳輸(dB)-頻率(GHz)圖表中，傳輸是一個平坦的響應(yīng)。
在情況3中，完全屏蔽，在目標(biāo)值上，Cs＝10fF，Cg＝0fF，Cs/Cg無窮大。如曲線103所示，在傳輸(dB)-頻率(GHz)圖表中，傳輸有一個響應(yīng)尖峰。
根據(jù)本公開的各個方面，屏蔽是通過設(shè)計的整個部分，即激光器所在的硅光具座11上的射頻線22實現(xiàn)的。通過設(shè)計和布置射頻線22與射頻阻流器子支架14，使得在保持阻抗匹配的同時，屏蔽恰好位于或大于目標(biāo)值(比如Cs/Cg＝Rl/Rm)，并且阻抗匹配是射頻線22的物理幾何形狀的函數(shù)。
原型模擬與測量再來看圖1，一個說明性實施例的原型被構(gòu)造出來并進(jìn)行測試。原型包括具有下列特征的圖1的特征(量級微米)硅光具座(11) 5100×5100×(高約700)激光二極管(L)(16) 200×300射頻阻流器(12)/終端(13)1524×762/380×762射頻線(22)(寬) 1250，1550，400，1300電阻器(R)(54) 600×246子支架(14) 2050×1600×(高約500)子支架上的襯墊(20) 525×1400字母表示的以微米為單位的距離a.中心軸到光電二極管(PD)襯墊 2100b.射頻線到射頻線(最小)400c.射頻線到射頻線(最大)1200d.激光器(L)的空間 308e.Y-支路長度 800f.Y-支路到PD 200g.PD到L 500h.L到凸透鏡 200i.凸透鏡到隔離器 615j.阻抗匹配射頻線長600+650k.射頻線總長 2650原型包括底部有一塊金屬接地板(圖2)的硅光具座(約700微米厚)，位于頂部的射頻線22和固定射頻阻流器12的子支架14。射頻線22和子支架襯墊20進(jìn)行了綜合設(shè)計，以使屏蔽最優(yōu)化。使用的射頻阻流器12是在8Ghz以下(out to 8GHz)具有最小阻抗200Ohm的0613標(biāo)準(zhǔn)尺寸。
參照圖6和7，模擬表明，具有上述特征的原型能夠?qū)崿F(xiàn)的總體屏蔽效果在直到15GHz的范圍內(nèi)都是可以接受的(圖6)。具有射頻阻流器子支架的原型(圖6中曲線202)與沒有射頻阻流器子支架的原型(圖6曲線201)相比，在15GHz以下性能相似或更好。模擬是使用3維頻域全波電磁測量儀進(jìn)行的，其中射頻阻流器部件的阻抗被模擬為無窮大。
測量(圖7)表明，具有射頻阻流器子支架的原型(曲線302)在11GHz以下與沒有射頻阻流器的原型(曲線301)性能相似。當(dāng)在11GHz以上時，可以注意到，傳輸不斷下降；但是傳輸沒有凹陷。
圖8說明性地示出了一個制造能同時提供阻抗匹配射頻傳輸線和屏蔽寄生效應(yīng)的器件的方法。在模塊402中，射頻阻流器可以置于子支架上。子支架包括多塊電介質(zhì)材料，其中具有用于接合或帶狀連接的合適金屬墊。子支架的尺寸做得越小越好，以允許布置在激光二極管附近，比如在幾百微米以內(nèi)。為針對合適的制造工藝和易于連接到光具座，需要對子支架的高度和材料進(jìn)行選擇。
在模塊404中，確定與設(shè)計中射頻阻流器和它們的位置有關(guān)的寄生電磁元素的識別。這些元素可能包含包括從阻流器到激光器的電路徑(比如接合引線)的寄生電感，和包括射頻阻流接觸和光具座接地板的寄生電容(射頻阻流終端和它們所在的任何金屬墊，均對該電容有貢獻(xiàn))。寄生電容在下一步模擬。
在模塊406中，設(shè)計射頻阻流器子支架的位置和/或變形，以使寄生電容可以通過射頻線被屏蔽，即減小。這可能包括將子支架的金屬接觸放在射頻線上，并且盡量靠近激光二極管。
在模塊408中，設(shè)計阻抗匹配電路(射頻線)(比如，包括射頻線的布局和尺寸)，從而使射頻線在要求的帶寬內(nèi)屏蔽射頻阻流器。如果設(shè)計未達(dá)到要求的標(biāo)準(zhǔn)，在模塊409中，上述步驟可重復(fù)進(jìn)行，直到在模塊410中，實現(xiàn)對射頻線的寄生電容的充分屏蔽。
應(yīng)該理解，本文描述的特殊實施例只是為了說明。也可以考慮其他實施例，其中可包括下面的某些特征。光具座可以由有機物、陶瓷或其他合適的材料形成。光具座可以具有射頻線的不同尺寸和形狀。射頻阻流器子支架可以包括不同的取向、尺寸、厚度、形狀和電介質(zhì)材料。射頻阻流器可以有不同的尺寸和形狀，比如可以采用更小的阻流器。也可以采用能利用屏蔽效應(yīng)的集成阻流器(也就是說，比如與硅光具座單片集成在一塊的阻流器)。設(shè)計可以包括不具有中間子支架而直接布置在射頻線上的射頻阻流器。這可能意味著不再需要接合引線。而是通過比如焊接或?qū)щ娬辰Y(jié)來實現(xiàn)電接觸。
在其他實施例中，射頻阻流器可以不經(jīng)過中間子支架而直接布置在光具座上。接合引線可以直接連接到射頻阻流終端，并且屏蔽可以通過將射頻線制造在比射頻阻流器所在平面更低的平面上來實現(xiàn)，比如在射頻阻流器的第一個終端下方的硅上蝕刻一個V型凹槽。
在其他實施例中，本方法和系統(tǒng)可以與光或電輸出一起用于給定的工作臺設(shè)置或組件。換言之，射頻信號可以被接收，并為器件提供交流功率，同時，可以為另一器件另外采用直流電源，輸出既可以是電信號也可以是光信號。這可以包括對高頻晶體管的使用。此外，整個電路(射頻和直流)可以集成在一塊芯片上。本發(fā)明不局限于光具座，也可以用于任何射頻偏置-T應(yīng)用或射頻環(huán)境的器件。在這樣的一個例子中，實施例可以用于光調(diào)制器或其他器件。
上面描述了同時屏蔽收發(fā)器模塊的寄生效應(yīng)的阻抗匹配電路的優(yōu)選實施例(僅用于說明，并不限于此)，需注意，根據(jù)上面的講解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以做出修改和變動。所以應(yīng)該理解，允許對公開的特殊實施例進(jìn)行修改，這些方案是在所附權(quán)利要求書規(guī)定的本發(fā)明的范圍和思想之內(nèi)的。這樣就根據(jù)專利法要求的細(xì)節(jié)和特殊性，描述了本發(fā)明的各個方面，權(quán)利要求和需要通過專利文件保護(hù)的權(quán)利在所附的權(quán)利要求書中說明。
權(quán)利要求
1.一種射頻器件，包括具有布置在接地板上的射頻(RF)傳輸線的信號層，射頻傳輸線的構(gòu)造和尺寸被設(shè)定為提供沿著射頻傳輸線的阻抗匹配；以及屏蔽，被形成為傳輸線的一部分，并且置于直流電源的射頻阻流器的下方，以形成阻流器和屏蔽之間的中間電容，從而控制寄生效應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中，該器件包括具有由直流電源偏置的激光器的光學(xué)收發(fā)器。
3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中，中間電容和寄生效應(yīng)的阻抗組成控制寄生效應(yīng)的惠斯通橋電路。
4.如權(quán)利要求1所述的器件，其中，實現(xiàn)中間電容與寄生效應(yīng)之間的平衡，以在選擇的頻率范圍內(nèi)提供平坦或具有尖峰的傳輸響應(yīng)。
5.如權(quán)利要求4所述的收發(fā)器，其中平衡包括Cs/Cg≥Rl/Rm，其中Cs是中間電容，Cg是阻流器和接地板之間的寄生電容，Rm是匹配電阻器，Rl是負(fù)載。
6.如權(quán)利要求1所述的收發(fā)器，進(jìn)一步包括用于支撐阻流器的子支架。
7.如權(quán)利要求1所述的收發(fā)器，其中，射頻線為激光二極管提供交流信號。
8.如權(quán)利要求7所述的收發(fā)器，進(jìn)一步包括對激光二極管輸出的光進(jìn)行聚焦的透鏡。
9.如權(quán)利要求1所述的收發(fā)器，進(jìn)一步包括光電二極管。
10.一種光學(xué)收發(fā)器，包括在其上形成有信號層的襯底，信號層具有置于接地板上的射頻(RF)傳輸線，射頻傳輸線的形狀和尺寸被設(shè)定為提供沿著射頻傳輸線的阻抗匹配，射頻傳輸線的一部分形成屏蔽；所述屏蔽，置于直流電源的射頻阻流器的下方，以形成阻流器和屏蔽之間的中間電容，從而控制寄生效應(yīng)；以及根據(jù)射頻線傳輸?shù)纳漕l信號調(diào)制的激光器。
11.如權(quán)利要求10所述的收發(fā)器，其中激光器由直流電源偏置。
12.如權(quán)利要求10所述的收發(fā)器，其中中間電容和寄生效應(yīng)的阻抗組成控制寄生效應(yīng)的惠斯通橋電路。
13.如權(quán)利要求10所述的收發(fā)器，其中，實現(xiàn)中間電容與寄生效應(yīng)之間的平衡，以在選擇的頻率范圍內(nèi)提供平坦或具有尖峰的傳輸響應(yīng)。
14.如權(quán)利要求13所述的收發(fā)器，其中，平衡包括Cs/Cg≥Rl/Rm，其中Cs是中間電容，Cg是阻流器和接地板之間的寄生電容，Rm是匹配電阻器，Rl是負(fù)載。
15.如權(quán)利要求10所述的收發(fā)器，進(jìn)一步包括支撐阻流器的子支架。
16.如權(quán)利要求10所述的收發(fā)器，進(jìn)一步包括對激光二極管輸出的光進(jìn)行聚焦的透鏡。
17.如權(quán)利要求1所述的收發(fā)器，進(jìn)一步包括光電二極管。
18.一種用于制造同時提供射頻(RF)阻抗匹配傳輸和針對寄生效應(yīng)引起的傳輸損失的屏蔽的收發(fā)器的方法，包括以下步驟針對子支架上的給定布置，識別與射頻阻流器相關(guān)的寄生電磁元素；設(shè)定工作臺上射頻線的布置與尺寸以形成阻抗匹配射頻線，其中，射頻線的一部分在給定的頻率范圍內(nèi)屏蔽射頻阻流器，從而同時提供阻抗匹配和射頻阻流器的寄生效應(yīng)的控制。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括迭代修改射頻線的布置和尺寸以滿足規(guī)格的步驟。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，寄生效應(yīng)包括從射頻阻流器到激光器的電路徑的寄生電感，和射頻阻流器與接地板之間的寄生電容。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包含用于射頻阻流器的子支架，并且包括修改射頻阻流器子支架位置以屏蔽射頻阻流器與地之間的寄生電容的步驟。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中收發(fā)器是光學(xué)收發(fā)器。
23.如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括用屏蔽形成中間電容，其中，中間電容和寄生效應(yīng)的阻抗組成控制寄生效應(yīng)的惠斯通橋電路。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，進(jìn)一步包括在中間電容和寄生效應(yīng)之間進(jìn)行平衡以在選擇的頻率范圍內(nèi)提供平坦或具有尖峰的傳輸響應(yīng)的步驟。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中平衡包括確立Cs/Cg≥Rl/Rm，其中Cs是中間電容，Cg是阻流器和接地板之間的寄生電容，Rm是匹配電阻器，Rl是負(fù)載。
全文摘要
一個射頻器件包括布置在具有射頻(RF)傳輸線接地板上的信號層，傳輸線的形狀和尺寸經(jīng)過設(shè)計可以在射頻線上實現(xiàn)阻抗匹配。射頻線的一部分形成屏蔽，置于直流電源射頻阻流器的下方，形成阻流器和屏蔽層之間控制寄生效應(yīng)的中間電容。
文檔編號H04B10/02GK1625082SQ20041007863
公開日2005年6月8日 申請日期2004年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月4日
發(fā)明者丹尼爾·M·庫切塔, 馬克·B·萊特, 阿爾伯特·E·盧里, 克里斯蒂·斯舒斯特 申請人:國際商業(yè)機器公司