一種基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，包括焊盤本體，傳輸線，阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，所述傳輸線連接所述焊盤本體，通過所述焊盤本體進(jìn)行傳輸，所述傳輸線下具有第一介質(zhì)層，所述阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)包括在所述第一介質(zhì)層下部增加的預(yù)定厚度的第二介質(zhì)層，用于通過增加第二介質(zhì)層的厚度以增加所述傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的阻抗。本實(shí)用新型采用缺陷地方式來(lái)進(jìn)行阻抗補(bǔ)償，將第二介質(zhì)層增加預(yù)定厚度，來(lái)改善由于突變引起的阻抗減小，通過這種方式增加了傳輸線的有效參考厚度、有效介電常數(shù)，從而減小了插入損耗、改善了噪聲抖動(dòng)、增大了帶寬、減小了噪聲。
【專利說明】
一種基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電路傳輸線領(lǐng)域，特別涉及一種基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目高速互聯(lián)電路中為獲得最佳功率傳輸和最小損耗的平衡，一般會(huì)將傳輸線的特征阻抗設(shè)定到固定的一個(gè)值，如50 Ω，這使得系統(tǒng)中的傳輸線必須保持固定的走線尺寸，但系統(tǒng)中的各集成元器件封裝上的焊盤如BGA球形焊盤，QFN矩形焊盤、傳輸上上串并聯(lián)耦合元件；以及各種互聯(lián)器件:插座、SMA轉(zhuǎn)接頭、排陣，過孔、金手指等，使得傳輸線很難與這些器件電氣尺寸匹配，即使尺寸上能匹配，焊接過程中，錫焊層對(duì)導(dǎo)體厚度的厚度增加也必然導(dǎo)致阻抗不連續(xù)，產(chǎn)生阻抗突變，進(jìn)而影響系統(tǒng)中的信號(hào)質(zhì)量。
[0003]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種傳輸線方案，由于傳輸線上走線經(jīng)過各種焊盤，導(dǎo)致系統(tǒng)中器件焊盤、過孔或互連器件的橫向尺寸增大；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的另一種傳輸線方案，由于對(duì)互連器件進(jìn)行焊接、封裝、裝配等，導(dǎo)致系統(tǒng)的導(dǎo)體厚度增加;綜上，現(xiàn)有的方案均會(huì)具有如下缺陷:插入損耗增大、抖動(dòng)劣化、帶寬減小、系統(tǒng)噪聲增大。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種能夠減小插入損耗、改善噪聲抖動(dòng)、增大帶寬、減小噪聲的基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
[0006]—種基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，包括焊盤本體，傳輸線，阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，所述傳輸線連接所述焊盤本體，通過所述焊盤本體進(jìn)行傳輸，所述傳輸線下具有第一介質(zhì)層，所述阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)包括在所述第一介質(zhì)層下部增加的預(yù)定厚度的第二介質(zhì)層，用于通過增加第二介質(zhì)層的厚度以增加所述傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的阻抗。
[0007]在本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例方式中，所述第一介質(zhì)層的介電常數(shù)大于所述第二介質(zhì)層的介電常數(shù)。
[0008]在本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例方式中，所述傳輸線為微帶線、平面耦合微帶線、帶狀線、耦合帶狀線中的一種。
[0009]在本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例方式中，還包括回流過孔，所述回流過孔設(shè)置于所述阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的前端或/和后端，用于減少所述第二介質(zhì)層引起的寄生電容效應(yīng)。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果
[0011 ]本實(shí)用新型采用缺陷地方式來(lái)進(jìn)行阻抗補(bǔ)償，將第二介質(zhì)層增加預(yù)定厚度，來(lái)改善由于突變引起的阻抗減小，通過這種方式增加了傳輸線的有效參考厚度、有效介電常數(shù)，從而減小了插入損耗、改善了噪聲抖動(dòng)、增大了帶寬、減小了噪聲。
【附圖說明】
[0012]圖1所示是現(xiàn)有技術(shù)一個(gè)方案中的傳輸線突變?nèi)毕菔疽鈭D。
[0013]圖2所示是現(xiàn)有技術(shù)另一個(gè)方案中的傳輸線突變?nèi)毕菔疽鈭D。
[0014]圖3所示是本實(shí)用新型的基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖4所示是本實(shí)用新型的阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。但不應(yīng)將此理解為本實(shí)用新型上述主題的范圍僅限于以下的實(shí)施例，凡基于本【實(shí)用新型內(nèi)容】所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本實(shí)用新型的范圍。
[0017]實(shí)施例1:
[0018]圖3、圖4示出了本實(shí)用新型的基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)示意圖，包括焊盤本體I，傳輸線2，阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)3，所述傳輸線2連接所述焊盤本體I，通過所述焊盤本體I進(jìn)行傳輸，所述傳輸線2下具有第一介質(zhì)層4，所述阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)3包括在所述第一介質(zhì)層4下部增加的預(yù)定厚度的第二介質(zhì)層31，用于通過增加第二介質(zhì)層31的厚度以增加所述傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的阻抗。
[0019]通過對(duì)現(xiàn)有技術(shù)方案的分析，傳輸線突變一般是寬度上的突變或厚度上的突變，當(dāng)突變發(fā)生時(shí)，線電流密度減小，磁能減小并導(dǎo)致電勢(shì)能增加，這使得傳輸線上的寄生電容增加呈容性，由特征阻抗的定義可知，上述突變將造成特征阻抗的減小，因此，本實(shí)用新型通過缺陷地的方式來(lái)增加傳輸線的有效參考厚度、填充有效介電常數(shù)的介質(zhì)。
[0020]具體的，在一個(gè)實(shí)施例中，補(bǔ)償前的傳輸線模型的介電常數(shù)為Erl，參考厚度為hi，采用本實(shí)用新型的方案，原有介質(zhì)層下面增加介電常數(shù)為Er2，參考厚度為h2的第二介質(zhì)層，因此，補(bǔ)償后的有效介電常數(shù)變?yōu)镋re=(Erl*Er2)~l/2，有效參考厚度變?yōu)閔e=hl+h2。
[0021]具體的厚度設(shè)計(jì)與介質(zhì)層的設(shè)計(jì)根據(jù)傳輸線模型而確定，或者也可以借助全三維電磁場(chǎng)仿真工具來(lái)進(jìn)行建模分析及掃描獲得最佳修改尺寸，這屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0022]本實(shí)用新型采用缺陷地方式來(lái)進(jìn)行阻抗補(bǔ)償，將第二介質(zhì)層增加預(yù)定厚度，來(lái)改善由于突變引起的阻抗減小，通過這種方式增加了傳輸線的有效參考厚度、有效介電常數(shù)，從而減小了插入損耗、改善了噪聲抖動(dòng)、增大了帶寬、減小了噪聲。
[0023]在本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例方式中，所述第一介質(zhì)層的介電常數(shù)大于所述第二介質(zhì)層的介電常數(shù)。
[0024]在本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例方式中，所述傳輸線為微帶線、平面耦合微帶線、帶狀線、耦合帶狀線中的一種。
[0025]由于傳輸線的不同，其模型也就不同，在實(shí)際應(yīng)用于中需要根據(jù)具體的傳輸線針對(duì)性的設(shè)計(jì)補(bǔ)償中第二介質(zhì)層的介電常數(shù)、厚度。
[0026]在本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例方式中，還包括回流過孔，所述回流過孔設(shè)置于所述阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的前端或/和后端，用于減少所述第二介質(zhì)層引起的寄生電容效應(yīng)。
[0027]上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型并不限制于上述實(shí)施方式，在不脫離本申請(qǐng)的權(quán)利要求的精神和范圍情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以作出各種修改或改型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括焊盤本體，傳輸線，阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，所述傳輸線連接所述焊盤本體，通過所述焊盤本體進(jìn)行傳輸，所述傳輸線下具有第一介質(zhì)層，所述阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)包括在所述第一介質(zhì)層下部增加的預(yù)定厚度的第二介質(zhì)層，用于通過增加第二介質(zhì)層的厚度以增加所述傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的阻抗。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的介電常數(shù)大于所述第二介質(zhì)層的介電常數(shù)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳輸線為微帶線、平面耦合微帶線、帶狀線、耦合帶狀線中的一種。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的基于缺陷地的傳輸線補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括回流過孔，所述回流過孔設(shè)置于所述阻抗補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的前端或/和后端，用于減少所述第二介質(zhì)層引起的寄生電容效應(yīng)。
【文檔編號(hào)】H05K1/11GK205681691SQ201620610765
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月21日 公開號(hào)201620610765.1, CN 201620610765, CN 205681691 U, CN 205681691U, CN-U-205681691, CN201620610765, CN201620610765.1, CN205681691 U, CN205681691U
【發(fā)明人】江桓, 彭奇, 田永猛
【申請(qǐng)人】索爾思光電（成都）有限公司