一種屏蔽暗箱的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種屏蔽暗箱。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，電磁環(huán)境日趨復(fù)雜，軍事和民用領(lǐng)域都對(duì)設(shè)備使用的電磁環(huán)境提出了更嚴(yán)格的要求。半實(shí)物仿真試驗(yàn)系統(tǒng)進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，設(shè)備電磁信號(hào)的泄漏使試驗(yàn)電磁環(huán)境更加復(fù)雜，這樣不僅會(huì)對(duì)試驗(yàn)進(jìn)程以及試驗(yàn)結(jié)果置信度造成影響，也給參試人員的身體健康帶來一定危害。因此，試驗(yàn)通常在屏蔽暗室中進(jìn)行，在暗室內(nèi)做天線、雷達(dá)等無線通訊產(chǎn)品和電子產(chǎn)品測(cè)試可以免受雜波干擾，提高被測(cè)設(shè)備的測(cè)試精度和效率。當(dāng)外部的線纜與暗室內(nèi)的電子設(shè)備連接時(shí)，就需要在屏蔽層上開設(shè)通孔供線纜穿過該通孔進(jìn)入暗室內(nèi)部，為防止電磁波通過該通孔傳播，就需要屏蔽暗箱對(duì)大量線纜集中貫穿屏蔽層處進(jìn)行有效屏蔽，屏蔽暗箱是目前屏蔽性能比較好的線纜貫穿屏蔽層的裝置。
[0003]目前常見的屏蔽暗箱有正交箱體式和紫銅顆粒壓填式等，完成線纜連接后，在箱體中充填吸波材料，從而達(dá)到屏蔽目的。但是這樣的屏蔽往往會(huì)有空隙或出入線纜不正交造成電磁波泄漏，不利于高性能的屏蔽暗室的性能要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種提高線纜穿過暗室屏蔽層處的屏蔽效果的屏蔽暗箱。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
[0006]—種屏蔽暗箱，包括由導(dǎo)電材料制成的箱體，所述箱體的底部向下方傾斜延伸并在底部最低位置處設(shè)置有泄漏口，所述泄漏口上設(shè)有用于封閉該泄漏口的泄漏口蓋，所述箱體的相對(duì)兩側(cè)壁上分別開設(shè)有進(jìn)線槽口和出線槽口，位于所述出線槽口的側(cè)壁靠近中心位置處還設(shè)有盤線口，所述盤線口上設(shè)有用于封閉該盤線口的盤線口蓋。線纜由進(jìn)線槽口進(jìn)入箱體，在箱體內(nèi)至少盤旋一周后由出線槽口引出，可確保出入線纜正交。線纜布完后，將紫銅顆粒倒入箱體中，直到填滿為止，因箱體底部向下傾斜延伸可確保紫銅顆粒將箱體填滿無空隙，從而達(dá)到電磁波無泄漏的目的。
[0007]優(yōu)選地，所述箱體的底部為向下延伸的半圓形形狀，且在半圓形的底部中心設(shè)有泄漏口。
[0008]優(yōu)選地，所述箱體的底部為向下延伸的錐形形狀，且在底部錐頂處設(shè)有泄漏口。
[0009]優(yōu)選地，所述進(jìn)線槽口和出線槽口上均設(shè)置有向外側(cè)斜上方延伸的導(dǎo)管。
[0010]優(yōu)選地，所述箱體的外側(cè)設(shè)有用于與屏蔽層連接的連接板。
[0011]本發(fā)明的有益效果如下:
[0012]大量線纜由進(jìn)線槽口進(jìn)入屏蔽線纜箱體，在屏蔽線纜箱體中至少要盤旋一周后由出線槽口引出，可確保出入線纜正交。
[0013]線纜布完后，將紫銅顆粒倒入屏蔽線纜箱體中，直到填滿為止，可確保屏蔽線纜箱體中無空隙，達(dá)到電磁波無泄漏的目的。
[0014]本發(fā)明的屏蔽暗箱裝置是一種屏蔽性能很好的裝置，在屏蔽暗室或屏蔽體中可廣泛應(yīng)用。
【附圖說明】
[0015]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0016]圖1示出本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2示出本發(fā)明的側(cè)視圖。
[0018]圖3示出本發(fā)明安裝線纜后的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明，下面結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的，不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0020]如圖1和圖2所示，一種屏蔽暗箱包括由導(dǎo)電材料制成的箱體I，箱體I的底部向下方延伸形成半圓形的形狀，并在底部中心位置設(shè)有泄漏口 11，泄漏口 11上通過螺紋連接有泄漏口蓋12，箱體I的相對(duì)兩側(cè)面上分別開設(shè)有進(jìn)線槽口 13和出線槽口 14，進(jìn)線槽口 13和出線槽口 14上均設(shè)有向外側(cè)斜上方延伸的導(dǎo)管，出線槽口 14所在的箱體I側(cè)壁靠近中心位置處開設(shè)有盤線口 15，盤線口 15上通過螺紋連接有盤線口蓋16，箱體I的側(cè)壁上焊接有用于連接暗室屏蔽層的連接板17。
[0021]如圖3所示，屏蔽暗箱的裝配過程如下:
[0022]在暗室需要穿過線纜的位置處開設(shè)通孔，將連接板17的四邊與屏蔽體通過焊接方式連接，這里屏蔽暗箱豎直布置，進(jìn)線槽口 13和出線槽口 14向上，焊縫連續(xù)無泄漏。
[0023]擰下泄漏口蓋12和盤線口蓋16，將里面所有東西由泄漏口 11引出并清理干凈，再擰緊泄漏口蓋12。
[0024]線纜2由進(jìn)線槽口13進(jìn)入屏蔽線纜箱體I，在屏蔽線纜箱體I中，通過盤線口 15讓線纜2至少要盤旋一周后由出線槽口 14引出，擰緊盤線口蓋16。
[0025]將紫銅顆粒3由進(jìn)線槽口13、出線槽口 14倒入箱體I中，直到進(jìn)線槽口 13、出線槽口14填滿為止。
[0026]顯然，本發(fā)明的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的限定，對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)，這里無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉，凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種屏蔽暗箱，包括由導(dǎo)電材料制成的箱體，其特征在于:所述箱體的底部向下方傾斜延伸并在底部最低位置處設(shè)置有泄漏口，所述泄漏口上設(shè)有用于封閉該泄漏口的泄漏口蓋，所述箱體的相對(duì)兩側(cè)壁上分別開設(shè)有進(jìn)線槽口和出線槽口，位于所述出線槽口的側(cè)壁靠近中心位置處還設(shè)有盤線口，所述盤線口上設(shè)有用于封閉該盤線口的盤線口蓋。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種屏蔽暗箱，其特征在于:所述箱體的底部為向下延伸的半圓形形狀，且在半圓形的底部中心設(shè)有泄漏口。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種屏蔽暗箱，其特征在于:所述箱體的底部為向下延伸的錐形形狀，且在底部錐頂處設(shè)有泄漏口。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種屏蔽暗箱，其特征在于:所述進(jìn)線槽口和出線槽口上均設(shè)置有向外側(cè)斜上方延伸的導(dǎo)管。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種屏蔽暗箱，其特征在于:所述箱體的外側(cè)設(shè)有用于與屏蔽層連接的連接板。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種屏蔽暗箱，包括由導(dǎo)電材料制成的箱體，所述箱體的底部向下方傾斜延伸并在底部最低位置處設(shè)置有泄漏口，所述泄漏口上設(shè)有用于封閉該泄漏口的泄漏口蓋，所述箱體的相對(duì)兩側(cè)壁上分別開設(shè)有進(jìn)線槽口和出線槽口，位于所述出線槽口的側(cè)壁靠近中心位置處還設(shè)有盤線口，所述盤線口上設(shè)有用于封閉該盤線口的盤線口蓋。線纜由進(jìn)線槽口進(jìn)入箱體，在箱體內(nèi)至少盤旋一周后由出線槽口引出，可確保出入線纜正交。線纜布完后，將紫銅顆粒倒入箱體中，直到填滿為止，因箱體底部向下傾斜延伸可確保紫銅顆粒將箱體填滿無空隙，從而達(dá)到電磁波無泄漏的目的。
【IPC分類】H05K9/00
【公開號(hào)】CN105636420
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610012680
【發(fā)明人】張 杰, 李超, 揭力, 程龍
【申請(qǐng)人】北京仿真中心
【公開日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2016年1月11日