一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，包括功率級轉(zhuǎn)換模塊、mV級電壓振蕩器、啟動管、輸出電壓采樣模塊、基準源、比較器、控制模塊、驅(qū)動模塊、整形模塊，本發(fā)明通過mV級電壓振蕩器產(chǎn)生啟動電路所需頻率信號，通過啟動管與電感和功率管MP寄生的二極管共同實現(xiàn)啟動功能，比較器將比較結(jié)果輸出給控制模塊，控制模塊根據(jù)該結(jié)果調(diào)節(jié)整形模塊輸出方波信號的占空比并調(diào)節(jié)每個周期P型功率管MP和N型功率管MN的導(dǎo)通時間；驅(qū)動模塊將該方波信號的驅(qū)動能力提升后，控制功率管MP和功率管MN的通斷實現(xiàn)能量收集，并將輸出電壓穩(wěn)定在一定的范圍內(nèi)，該接口電路能自供電而獨立工作。本發(fā)明適用于微功耗電子器件與系統(tǒng)。
【專利說明】—種用于熱電能量收集的自供電式接口電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種熱電能量收集電路，具體涉及一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路。

【背景技術(shù)】
[0002]科技迅速發(fā)展的今天，微功耗電子器件與系統(tǒng)的應(yīng)用越來越廣泛。微功耗技術(shù)的發(fā)展使得無線傳感節(jié)點在大型機械設(shè)備、高速交通工具、醫(yī)療監(jiān)測等領(lǐng)域大有作為。然而，目前大部分無線傳感器采用電池供電，除帶來污染外，也增加了維護的困難性，甚至導(dǎo)致監(jiān)測結(jié)果的不準確。從周圍自然環(huán)境中獲取能量實現(xiàn)自供電是解決這一問題的有效方案。自然環(huán)境中存在熱能、太陽能、機械能等，熱能因?qū)崟r存在、收集方便、無污染等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用，人體與環(huán)境溫差產(chǎn)生的熱能適合為腦電、肌電、心電等醫(yī)療監(jiān)測系統(tǒng)供電。
[0003]對于熱電能量收集的研究主要集中在:材料、結(jié)構(gòu)和接口電路。材料主要采用Bi2Te3 ;結(jié)構(gòu)主要采用η型和ρ型半導(dǎo)體交替排列的二維結(jié)構(gòu)；接口電路主要有開關(guān)電感型的DC-DC轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)和開關(guān)電容型的電荷泵結(jié)構(gòu)。其中，開關(guān)電感型DC -DC轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)具有轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點。
[0004]接口電路包括全集成式和帶有片外電感、電容的部分集成式。其中,全集成式接口電路具有功耗低、攜帶方便等優(yōu)點。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)缺點，提供一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，能夠同時實現(xiàn)自啟動和最大能量轉(zhuǎn)換效率、以及自供電，并且實現(xiàn)了單芯片全集成化。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為:包括功率級轉(zhuǎn)換模塊、mV級電壓振蕩器、啟動管、電壓采樣模塊、基準源、比較器、控制模塊、驅(qū)動模塊、整形模塊；
[0007]所述的功率級轉(zhuǎn)換模塊包括電感L、輸出存儲電容Csto、P型功率管MP和N型功率管麗；
[0008]所述的電感L的一端與熱電發(fā)生器TEG和mV級電壓振蕩器的輸入端連接，電感L的另一端接啟動管Mstart的漏極、N型功率管MN的漏極以及P型功率管MP源極，P型功率管MP的漏極接輸出存儲電容Csto的一端以及電壓米樣模塊,輸出存儲電容Csto的另一端接地；
[0009]電壓采樣模塊的輸出端接與電源相連的比較器的正相輸入端，比較器的反相輸入端接基準源的輸出端，比較器的輸出端接控制模塊，控制模塊的輸出端接驅(qū)動模塊，驅(qū)動模塊接P型功率管MP和N型功率管MN的柵極，基準源的輸入端接接口電路的輸出端Vout ；
[0010]所述的mV級電壓振蕩器的輸出端與啟動管Mstart的柵極相連，且mV級電壓振蕩器的輸出端通過整形模塊與控制模塊相連。
[0011]所述的mV級電壓振蕩器為射頻振蕩器。
[0012]所述的射頻振蕩器為科耳皮茲振蕩器，該科耳皮茲振蕩器包括電感L1、電感L2、電容Cl、電容C2以及NMOS管Mf，電感LI的一端接熱電發(fā)生器TEG的輸出Vt，并和NMOS管Mf的柵極連接，電感LI的另一端、NMOS管Mf的漏極以及電容Cl的一端接啟動管Mstart的柵極以及整形模塊，電容Cl的另一端接電容C2的一端，電容C2的另一端與電感L2的另一端相連并接地，電感L2的一端接NMOS管Mf的源極，NMOS管Mf的源極接電容C2的一端。
[0013]所述的電壓采樣模塊包括相互并聯(lián)的電容C3和C4,電容C3和C4的一端通過開關(guān)S2相連，電容C3的一端連接比較器的正極，并通過開關(guān)SI與接口電路的輸出端Vout相連，電容C4兩端并聯(lián)有開關(guān)s3。
[0014]所述的基準源包括第一 PMOS管Ml、第二 PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第一 PNP型三極管Q1、第二 PNP型三極管Q2、第三PNP型三極管Q3以及電阻Rl和R2 ；
[0015]其中，第一 PMOS管Ml、第二 PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4的柵極依次連接、源極均接接口電路的輸出端Vout，第一 PMOS管Ml和第二 PMOS管M2的漏極分別接第一 NMOS管NI和第二 NMOS管N2的漏極，且第一 PMOS管Ml的柵極、第二 PMOS管M2的柵極均接第二 NMOS管N2的漏極，第一 PMOS管Ml的漏極接第一 NMOS管NI的柵極及第二NMOS管N2的柵極；
[0016]第一 NMOS管NI的源極接第一 PNP型三極管Ql的發(fā)射極，第二 NMOS管N2的源極通過電阻Rl接第二 PNP型三極管Q2的發(fā)射極；
[0017]第三PMOS管M3的漏極接電阻R2的一端以及比較器的反相輸入端，電阻R2的另一端接第三PNP型三極管Q3的發(fā)射極，且第一 PNP型三極管Q1、第二 PNP型三極管Q2以及第三PNP型三極管Q3的基極及集電極均接地。
[0018]所述的比較器包括第五PMOS管M5、第六PMOS管M6、第七PMOS管M7、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5以及第六NMOS管N6 ；
[0019]其中，第五PMOS管M5、第六PMOS管M6及第七PMOS管M7的源極均接接口電路的輸出端Vout，柵極依次連接，且第五PMOS管M5、第六PMOS管M6的柵極均接第三NMOS管N3的漏極，第五PMOS管M5的漏極接第三NMOS管N3的漏極，第六PMOS管M6的漏極分別接第五NMOS管N5的漏極和第六NMOS管N6的柵極，第三NMOS管N3和第五NMOS管N5的柵極分別接電壓采樣模塊的輸出端和基準源的輸出端；第三NMOS管N3和第五NMOS管N5的源極均接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的源極與第六NMOS管N6的源極均接地，第六NMOS管N6的漏極、第七PMOS管M7的漏極均與控制模塊相連。
[0020]所述的驅(qū)動模塊由尺寸逐級放大的緩沖器鏈組成。
[0021]所述的電感L為nH級電感，輸出存儲電容為pF級的電容，實現(xiàn)了單片全集成。
[0022]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明通過mV級電壓振蕩器產(chǎn)生啟動電路所需頻率的時鐘信號；時鐘信號通過啟動管Mstart、電感L和P型功率管MP寄生的二極管共同實現(xiàn)啟動功能，比較器將基準電壓和電壓采樣模塊輸出電壓的比較結(jié)果輸出給控制模塊，控制模塊根據(jù)比較器的輸出調(diào)節(jié)整形模塊輸出的方波信號的占空比；驅(qū)動模塊將該方波信號的驅(qū)動能力提升后，調(diào)節(jié)每個周期P型功率管MP和N型功率管MN的導(dǎo)通時間，實現(xiàn)能量收集，并將輸出電壓穩(wěn)定在一定的范圍內(nèi)。該接口電路能夠?qū)崿F(xiàn)自供電而獨立工作。本發(fā)明十分適合應(yīng)用于微功耗電子器件與系統(tǒng)，如為腦電圖、肌電圖、心電圖等醫(yī)療監(jiān)測系統(tǒng)供電。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為本發(fā)明的系統(tǒng)框圖；
[0024]圖2為本發(fā)明啟動工作時的等效電路圖，圖中虛線表示不工作部分，實線表示工作部分；
[0025]圖3為本發(fā)明的mV級電壓振蕩器圖；
[0026]圖4為本發(fā)明的輸出電壓采樣模塊圖；
[0027]圖5為本發(fā)明的基準源圖；
[0028]圖6為本發(fā)明的比較器圖；
[0029]圖7為本發(fā)明的驅(qū)動模塊圖；
[0030]圖8為本發(fā)明的整形模塊功能示意圖；
[0031]圖9為本發(fā)明中控制模塊的可調(diào)占空比脈沖信號示意圖。

【具體實施方式】
[0032]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步詳細說明:
[0033]參見圖1，本發(fā)明的一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，包括功率級轉(zhuǎn)換模塊、mV級電壓振蕩器、啟動管、電壓采樣模塊、基準源、比較器、控制模塊、驅(qū)動模塊、整形模塊。mV級電壓振蕩器用于產(chǎn)生電路所需時鐘信號，該時鐘信號在電路啟動后，用來控制P型功率管MP和N型功率管MN的通斷以實現(xiàn)熱電能量收集；功率級轉(zhuǎn)換模塊中的nH級的電感L和P型功率管MP寄生的二極管及啟動管Mstart共同實現(xiàn)啟動功能；整形模塊將mV級電壓振蕩器產(chǎn)生的正弦信號轉(zhuǎn)變?yōu)榉讲ㄐ盘?；電壓采樣模塊采樣接口電路的輸出電壓、并輸出反饋電壓；基準源用于產(chǎn)生接口電路內(nèi)部所需電壓和電流；比較器用于比較反饋電壓和基準電壓；控制模塊根據(jù)比較器的輸出調(diào)節(jié)功率級中功率管在每個周期的導(dǎo)通時間；驅(qū)動模塊用于提高功率管控制信號的驅(qū)動能力。其中，功率級轉(zhuǎn)換模塊包括nH級的電感L、PF級的輸出存儲電容、P型功率管MP和N型功率管MN ;nH級的電感L的一端與熱電發(fā)生器TEG和mV級電壓振蕩器的輸入端連接，另一端接啟動管的漏極、N型功率管MN的漏極以及P型功率管MP的源極，P型功率管MP的漏極接pF級輸出存儲電容Csto的一端以及電壓采樣模塊，PF級輸出存儲電容Csto的另一端接地；
[0034]電壓采樣模塊的輸出端接與比較器的正相輸入端，比較器的反相輸入端接基準源的輸出端，比較器的輸出端接控制模塊，控制模塊的輸出端接驅(qū)動模塊，驅(qū)動模塊接P型功率管MP和N型功率管MN的柵極;mV級電壓振蕩器的輸出端與啟動管的柵極以及通過整形模塊與控制模塊相連，基準源的輸入端接接口電路的輸出端Vout ；
[0035]其中，mV電壓振蕩器是射頻振蕩器，如科耳皮茲振蕩器(但不局限于科耳皮茲振蕩器)，采用nH級電感和pF級電容。為實現(xiàn)最大效率轉(zhuǎn)換，系統(tǒng)時鐘頻率滿足:
[0036]f =^J-
SL
[0037]其中，Rt為熱電能量收集器的內(nèi)阻，L為功率級轉(zhuǎn)換模塊中的電感。
[0038]進一步地，Rt約為5-12 Ω，L為nH級，所以實現(xiàn)最大效率轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)時鐘頻率為百MHz級，恰好在射頻振蕩器的輸出范圍內(nèi)。通過調(diào)節(jié)mV電壓振蕩器的電感和電容，可使振蕩器的輸出頻率等于接口電路實現(xiàn)最大轉(zhuǎn)換效率所需的時鐘頻率。
[0039]啟動管與功率級轉(zhuǎn)換模塊中的電感L、P型功率管MP寄生的二極管共同實現(xiàn)啟動功能。整形模塊將振蕩器產(chǎn)生的正弦信號轉(zhuǎn)換為方波信號。本發(fā)明通過mV級電壓振蕩器產(chǎn)生的時鐘信號來控制P型功率管MP和N型功率管MN的交替導(dǎo)通實現(xiàn)熱電能量收集，控制模塊根據(jù)比較器的輸出信號產(chǎn)生相應(yīng)的脈沖寬度以調(diào)節(jié)每個周期功率級轉(zhuǎn)換模塊中功率管導(dǎo)通時間。
[0040]參見圖2,本發(fā)明在啟動工作時的等效電路圖；包括mV級電壓振蕩器、啟動管、功率級轉(zhuǎn)換模塊中的nH級電感L、pF級輸出存儲電容以及功率管MP寄生的二極管。nH級電感L的一端與熱電發(fā)生器TEG和mV級電壓振蕩器的輸入端連接，另一端接啟動管的漏極、功率管MP寄生的二極管以及pF級輸出存儲電容的一端，pF級輸出存儲電容的另一端接地，啟動管的源極接地。圖中虛線表示不工作部分，實現(xiàn)表示工作部分。
[0041]進一步地，轉(zhuǎn)換工作時所有電路均工作，如圖1。轉(zhuǎn)換工作時啟動管并聯(lián)到N型功率管MN，相當(dāng)于略微增大了 N型功率管MN的尺寸。
[0042]參見圖3，mV級電壓振蕩器采用射頻振蕩器，該射頻振蕩器為科耳皮茲振蕩器但不局限于科耳皮茲振蕩器，該科耳皮茲振蕩器包括電感L1、電感L2、電容Cl、電容C2以及NMOS管Mf，電感LI的一端接熱電發(fā)生器TEG的輸出Vt，并和NMOS管的柵端連接，電感LI的另一端、NMOS管的漏端以及電容Cl的一端均與啟動管的柵極以及控制模塊連接，電容Cl的另一端接電容C2的一端，電容C2的另一端與電感L2的另一端相連并接地，電感L2的一端接NMOS管mf的源端，NMOS管的源端接電容C2的一端。
[0043]參見圖4，為本發(fā)明的電壓采樣模塊，該電壓采樣模塊包括相互并聯(lián)的電容C3和C4，電容C3和C4的一端通過開關(guān)S2相連，電容C3的一端連接比較器的正極，并通過開關(guān)SI與電壓采樣模塊的輸出端相連，電容C4兩端并聯(lián)有開關(guān)S3。
[0044]參見圖5，為本發(fā)明的基準源，基準源包括第一 PMOS管Ml、第二 PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第一 PNP型三極管Q1、第二PNP型三極管Q2、第三PNP型三極管Q3以及電阻Rl和R2 ；
[0045]其中，第一 PMOS管Ml、第二 PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4的柵極依次連接、源極均接接口電路的輸出端Vout，第一 PMOS管Ml和第二 PMOS管M2的漏極分別接第一 NMOS管NI和第二 NMOS管N2的漏極，且第一 PMOS管Ml的柵極、第二 PMOS管M2的柵極均接第二 NMOS管N2的漏極，第一 PMOS管Ml的漏極接第一 NMOS管NI的柵極及第二NMOS管N2的柵極；
[0046]第一 NMOS管NI的源極接第一 PNP型三極管Ql的發(fā)射極，第二 NMOS管N2的源極通過電阻Rl接第二 PNP型三極管Q2的發(fā)射極；
[0047]第三PMOS管M3的漏極接電阻R2的一端以及比較器的反相輸入端，電阻R2的另一端接第三PNP型三極管Q3的發(fā)射極，且第一 PNP型三極管Q1、第二 PNP型三極管Q2以及第三PNP型三極管Q3的基極及集電極均接地。
[0048]通過合理設(shè)計電路中R2和Rl的比例關(guān)系，可以將Λ VBE(第一PNP型三極管Ql、第二PNP型三極管Q2的VBE的差)的溫度正相關(guān)特性和VBE (第三PNP型三極管Q3的VBE)的溫度負相關(guān)特性抵消，進而產(chǎn)生與溫度和電源電壓無關(guān)的基準電壓Vref。同時，該電路也產(chǎn)生具有正溫度系數(shù)的基準電流Iref。
[0049]參見圖6，本發(fā)明的比較器采用二級結(jié)構(gòu)，由第五PMOS管M5、第六PMOS管M6、第七PMOS管M7、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5以及第六NMOS管N6組成；
[0050]其中，第五PMOS管M5、第六PMOS管M6及第七PMOS管M7的源極均接接口電路的輸出端Vout，柵極依次連接，且第五PMOS管M5、第六PMOS管M6的柵極均接第三NMOS管N3的漏極，第五PMOS管M5的漏極接第三NMOS管N3的漏極，第六PMOS管M6的漏極分別接第五NMOS管N5的漏極和第六NMOS管N6的柵極，第三NMOS管N3和第五NMOS管N5的柵極分別接電壓采樣模塊的輸出端和基準源的輸出端；第三NMOS管N3和第五NMOS管N5的源極均接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的源極與第六NMOS管N6的源極均接地，第六NMOS管N6的漏極、第七PMOS管M7的漏極均與控制模塊相連。
[0051]第一級采用第三NMOS管N3和第五NMOS管N5作為差分輸入，第一級的輸出連接到第二級的輸入，即第六NMOS管N6的柵端。第四NMOS管N4是尾電流源，第五PMOS管M5、第六PMOS管M6及第七PMOS管M7構(gòu)成電流鏡。比較器對輸出電壓采樣值Vfb與電壓基準Vref比較，得到調(diào)節(jié)占空比的控制信號。
[0052]參見圖7，驅(qū)動模塊由一系列尺寸逐級增大的緩沖器buffer組成，用于提高脈沖信號的驅(qū)動能力，以控制功率管MP和MN的導(dǎo)通與關(guān)斷，將能量存儲到電容Csto。
[0053]參見圖8和圖9，其中實線表示整形前，虛線表示整形后，整形模塊將振蕩器產(chǎn)生的正弦信號整形為同頻率的方波信號，如圖8所示。該方波的占空比為50%，方波的高電平與正弦信號的峰值相等，方波的低電平為O。
[0054]根據(jù)比較器的輸出信號，控制模塊調(diào)節(jié)整形模塊輸出的方波信號的占空比，如圖9所示。進一步，驅(qū)動模塊將該方波信號的驅(qū)動能力提升后，控制功率管MP和MN的通斷實現(xiàn)能量收集，并將輸出電壓穩(wěn)定在一定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，其特征在于:包括功率級轉(zhuǎn)換模塊、mV級電壓振蕩器、啟動管、電壓采樣模塊、基準源、比較器、控制模塊、驅(qū)動模塊、整形模塊； 所述的功率級轉(zhuǎn)換模塊包括電感L、輸出存儲電容Csto、P型功率管MP和N型功率管MN ; 所述的電感L的一端與熱電發(fā)生器TEG和mV級電壓振蕩器的輸入端連接，電感L的另一端接啟動管Mstart的漏極、N型功率管MN的漏極以及P型功率管MP源極，P型功率管MP的漏極接輸出存儲電容Csto的一端以及電壓采樣模塊，輸出存儲電容Csto的另一端接地； 電壓采樣模塊的輸出端接與電源相連的比較器的正相輸入端，比較器的反相輸入端接基準源的輸出端，比較器的輸出端接控制模塊，控制模塊的輸出端接驅(qū)動模塊，驅(qū)動模塊接P型功率管MP和N型功率管MN的柵極，基準源的輸入端接接口電路的輸出端Vout ； 所述的mV級電壓振蕩器的輸出端與啟動管Mstart的柵極相連，且mV級電壓振蕩器的輸出端通過整形模塊與控制模塊相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，其特征在于:所述的mV級電壓振蕩器為射頻振蕩器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，其特征在于:所述的射頻振蕩器為科耳皮茲振蕩器，該科耳皮茲振蕩器包括電感L1、電感L2、電容Cl、電容C2以及NMOS管Mf，電感LI的一端接熱電發(fā)生器TEG的輸出端Vt，并和NMOS管Mf的柵極連接，電感LI的另一端、NMOS管Mf的漏極以及電容Cl的一端接啟動管Mstart的柵極以及整形模塊，電容Cl的另一端接電容C2的一端，電容C2的另一端與電感L2的另一端相連并接地，電感L2的一端接NMOS管Mf的源極，NMOS管Mf的源極接電容C2的一端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，其特征在于:所述的電壓米樣模塊包括相互并聯(lián)的電容C3和C4,電容C3和C4的一端通過開關(guān)S2相連，電容C3的一端連接比較器的正極，并通過開關(guān)S1與接口電路的輸出端Vout相連，電容C4兩端并聯(lián)有開關(guān)S3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，其特征在于:所述的基準源包括第一 PMOS管Ml、第二 PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第一NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第一 PNP型三極管Q1、第二 PNP型三極管Q2、第三PNP型三極管Q3以及電阻Rl和R2 ； 其中，第一 PMOS管Ml、第二 PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4的柵極依次連接、源極均接接口電路的輸出端Vout，第一 PMOS管Ml和第二 PMOS管M2的漏極分別接第一NMOS管NI和第二 NMOS管N2的漏極，且第一 PMOS管Ml的柵極、第二 PMOS管M2的柵極均接第二 NMOS管N2的漏極，第一 PMOS管Ml的漏極接第一 NMOS管NI的柵極及第二 NMOS管N2的柵極； 第一 NMOS管NI的源極接第一 PNP型三極管Ql的發(fā)射極，第二 NMOS管N2的源極通過電阻Rl接第二 PNP型三極管Q2的發(fā)射極； 第三PMOS管M3的漏極接電阻R2的一端以及比較器的反相輸入端，電阻R2的另一端接第三PNP型三極管Q3的發(fā)射極，且第一 PNP型三極管Ql、第二 PNP型三極管Q2以及第三PNP型三極管Q3的基極及集電極均接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，其特征在于:所述的比較器包括第五PMOS管M5、第六PMOS管M6、第七PMOS管M7、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5以及第六NMOS管N6 ； 其中，第五PMOS管M5、第六PMOS管M6及第七PMOS管M7的源極均接接口電路的輸出端Vout，柵極依次連接，且第五PMOS管M5、第六PMOS管M6的柵極均接第三NMOS管N3的漏極，第五PMOS管M5的漏極接第三NMOS管N3的漏極，第六PMOS管M6的漏極分別接第五NMOS管N5的漏極和第六NMOS管N6的柵極，第三NMOS管N3和第五NMOS管N5的柵極分別接電壓采樣模塊的輸出端和基準源的輸出端；第三NMOS管N3和第五NMOS管N5的源極均接第四NMOS管N4的漏極，第四NMOS管N4的源極與第六NMOS管N6的源極均接地，第六NMOS管N6的漏極、第七PMOS管M7的漏極均與控制模塊相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，其特征在于:所述的驅(qū)動模塊由尺寸逐級放大的緩沖器鏈組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于熱電能量收集的自供電式接口電路，其特征在于:所述的電感L為nH級電感，輸出存儲電容為pF級的電容。
【文檔編號】H03K19/0175GK104320124SQ201410550047
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】李尊朝, 王闖, 鄭曉玉, 趙凱, 張也非, 駱東旭 申請人:西安交通大學(xué)