專利名稱：一種模式選擇電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種模式選擇電路。
背景技術(shù)：
在紅外遙控電路的芯片中，隨著行業(yè)競爭越來越激烈，要求在產(chǎn)品成本越來越低的同時(shí)，芯片需要集成多個(gè)模式的碼型可供選擇，但是現(xiàn)有技術(shù)的模式選擇電路需要管腳數(shù)和模式數(shù)量相等，以圖1所示的模式選擇電路為例，集成了 4種模式的芯片，需要封裝4個(gè)管腳，通過邏輯控制電路與內(nèi)部模式選擇模塊連接來實(shí)現(xiàn)模式選擇；但是芯片的管腳數(shù)越多，芯片的成本越高，而且芯片正常工作時(shí)只處于一種模式下，其他模式對(duì)應(yīng)的管腳處于閑置狀態(tài)，是對(duì)芯片資源的一種浪費(fèi)；因此必須減少封裝的管腳數(shù)量。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種模式選擇電路，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中多模式芯片需要封裝對(duì)應(yīng)數(shù)量管腳導(dǎo)致芯片成本提高和浪費(fèi)芯片資源的問題。本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種模式選擇電路，包括芯片的內(nèi)部模式選擇電路和芯片的管腳，所述管腳外部通過電阻接地，所述管腳內(nèi)部通過轉(zhuǎn)換電路與內(nèi)部模式選擇電路相連，所述管腳內(nèi)部與轉(zhuǎn)換電路的連接點(diǎn)通過串聯(lián)的電阻和開關(guān)管與電源相連。本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)方案是，轉(zhuǎn)換電路為AD轉(zhuǎn)換電路，將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為模式選擇的數(shù)字信號(hào)。本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)方案是，開關(guān)管為增強(qiáng)型PMOS管，所述增強(qiáng)型PMOS管的漏極與電阻相連，源極與電源相連，柵極通過接口 CON與外部啟動(dòng)電路相連。本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)方案是，開關(guān)管為NPN型三極管，所述NPN型三極管的發(fā)射極與電阻相連，集電極與電源相連，基極通過接口 CON與外部啟動(dòng)電路相連。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點(diǎn)在于:只需要使用I個(gè)管腳，增加I個(gè)管腳外部連接的電阻，用AD轉(zhuǎn)換電路代替邏輯控制電路，通過調(diào)整管腳外部連接電阻的阻值，就可以實(shí)現(xiàn)集成了多模式的芯片在不同模式間的選擇，充分利用芯片的管腳資源，有效降低芯片成本，而且芯片集成的模式越多，效果越明顯。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的模式選擇電路的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2為本實(shí)用新型所述的模式選擇電路實(shí)施例1的電路結(jié)構(gòu)圖。圖3為本實(shí)用新型所述的模式選擇電路實(shí)施例2的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
[0014]實(shí)施例1如圖2所示的一種模式選擇電路，包括芯片的內(nèi)部模式選擇電路I和芯片的管腳2，所述管腳2外部通過電阻3接地，所述管腳2內(nèi)部通過轉(zhuǎn)換電路6與內(nèi)部模式選擇電路I相連，所述管腳2內(nèi)部與轉(zhuǎn)換電路6的連接點(diǎn)通過串聯(lián)的電阻4和開關(guān)管5與電源相連。如圖2所示，轉(zhuǎn)換電路6為AD轉(zhuǎn)換電路，將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為模式選擇的數(shù)字信號(hào)。如圖2所示，開關(guān)管5為增強(qiáng)型PMOS管，所述增強(qiáng)型PMOS管的漏極與電阻4相連，源極與電源相連，柵極通過接口 CON與外部啟動(dòng)電路相連。當(dāng)芯片工作的時(shí)候，增強(qiáng)型PMOS管5在柵極接收啟動(dòng)信號(hào)后導(dǎo)通，使電阻3和電阻4所在支路導(dǎo)通形成分壓電路，其分壓值經(jīng)AD轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于芯片集成的模式的數(shù)字信號(hào)，輸出紅外發(fā)碼信號(hào)。實(shí)施例2如圖3所示，與實(shí)施例1相比，實(shí)施例2的區(qū)別在于:開關(guān)管5為NPN型三極管，所述NPN型三極管的發(fā)射極與電阻4相連，集電極與電源相連，基極通過接口 CON與外部啟動(dòng)電路相連。當(dāng)芯片工作的時(shí)候，NPN型三極管在基極接收啟動(dòng)信號(hào)后導(dǎo)通，使電阻3和電阻4所在支路導(dǎo)通形成分壓電路，其分壓值經(jīng)AD轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于芯片集成的模式的數(shù)字信號(hào)，輸出紅外發(fā)碼信號(hào)。
權(quán)利要求1.一種模式選擇電路，包括芯片的內(nèi)部模式選擇電路(I)和芯片的管腳(2)，其特征在于:所述管腳(2)外部通過電阻(3)接地，所述管腳(2)內(nèi)部通過轉(zhuǎn)換電路(6)與內(nèi)部選擇電路(I)相連，所述管腳(2)內(nèi)部與轉(zhuǎn)換電路(6)的連接點(diǎn)通過串聯(lián)的電阻(4)和開關(guān)管(5)與電源相連。
2.如權(quán)利要求1所述的一種模式選擇電路，其特征在于:所述轉(zhuǎn)換電路(6)為AD轉(zhuǎn)換電路，將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為模式選擇的數(shù)字信號(hào)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種模式選擇電路，其特征在于:所述開關(guān)管(5)為增強(qiáng)型PMOS管，所述增強(qiáng)型PMOS管的漏極與電阻(4)相連，源極與電源相連，柵極通過接口 CON與外部啟動(dòng)電路相連。
4.如權(quán)利要求1所述的一種模式選擇電路，其特征在于:所述開關(guān)管(5)為NPN型三極管，所述NPN型三極管的發(fā)射極與電阻(4)相連，集電極與電源相連，基極通過接口 CON與外部啟動(dòng)電路相連。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種模式選擇電路，涉及集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，包括芯片的內(nèi)部模式選擇電路和芯片的管腳，所述管腳外部通過電阻接地，所述管腳內(nèi)部通過轉(zhuǎn)換電路與內(nèi)部模式選擇電路相連，所述管腳內(nèi)部與轉(zhuǎn)換電路的連接點(diǎn)通過串聯(lián)的電阻和MOS管與電源相連。本實(shí)用新型只需要使用1個(gè)管腳，增加1個(gè)管腳外部連接的電阻，用AD轉(zhuǎn)換電路代替邏輯控制電路，通過調(diào)整管腳外部連接電阻的阻值，就可以實(shí)現(xiàn)集成了多模式的芯片在不同模式間的選擇，充分利用芯片的管腳資源，有效降低芯片成本，而且芯片集成的模式越多，效果越明顯。
文檔編號(hào)H03K19/0185GK202940791SQ20122062089
公開日2013年5月15日 申請日期2012年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月22日
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