專利名稱：一種無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子控制、電源變換和電源管理領(lǐng)域，具體是一種無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)。
背景技術(shù)：
無(wú)極性電源即外接電源連接時(shí)無(wú)需考慮正負(fù)極連接關(guān)系，可以做任意正反接線。目前，無(wú)極性電源的導(dǎo)通方式主要采用繼電器來(lái)實(shí)現(xiàn)的，但繼電器體積大、可靠性低，滿足不了可靠性要求高或開(kāi)關(guān)頻度高的場(chǎng)合。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)，其可實(shí)現(xiàn)電源回路雙向?qū)ê妥钄嗟哪康?。本?shí)用新型的技術(shù)方案為一種無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)，包括有殼體、殼體上設(shè)置有電源回路3、4引腳和驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳，殼體內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)相互連接的MOSFET管，兩個(gè)MOSFET管的門極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路I引腳連接，兩個(gè)MOSFET管的源極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路2引腳連接，兩個(gè)MOSFET管的漏極分別與電源回路3、4引腳連接。所述的兩個(gè)MOSFET管選用兩個(gè)N型MOSFET管或兩個(gè)P型MOSFET管。所述的無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)還包括有放電電阻，放電電阻的兩端并聯(lián)連接于驅(qū)動(dòng)電路
1、2引腳上。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)(I)、本實(shí)用新型的漏極分別與電源回路3、4引腳連接，電源回路3、4引腳可分別作為電源回路的正極或負(fù)極連接端，無(wú)需區(qū)分本實(shí)用新型連接時(shí)的正負(fù)極，不受極性限制可隨便對(duì)接，安裝連接簡(jiǎn)單方便；(2)、本實(shí)用新型的導(dǎo)通和阻斷依據(jù)驅(qū)動(dòng)電路正負(fù)極電壓的大小，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路正負(fù)極電壓大于本實(shí)用新型MOSFET管的導(dǎo)通電壓時(shí)，開(kāi)關(guān)即導(dǎo)通，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路正負(fù)極電壓小于本實(shí)用新型MOSFET管的截止電壓時(shí)，開(kāi)關(guān)即阻斷，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)極性開(kāi)關(guān)的作用，解決了如DC/DC、BMS電池管理系統(tǒng)和其它工業(yè)控制電路內(nèi)要求電子開(kāi)關(guān)可以雙向?qū)ê妥钄嗟膱?chǎng)
八
口 ο

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1的連接結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例2的連接結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例3的連接結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例4的連接結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
見(jiàn)圖1，一種無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)，包括有殼體1、殼體I上設(shè)置有電源回路3、4引腳和驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳，殼體I內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)相互連接的MOSFET管Ql、Q2，兩個(gè)MOSFET管Ql、Q2的門極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路I引腳連接，兩個(gè)MOSFET管Ql、Q2的源極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路2引腳連接，兩個(gè)MOSFET管Ql、Q2的漏極分別與電源回路3、4引腳連接，驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳上并聯(lián)連接有放電電阻Rl。實(shí)施例1見(jiàn)圖2, —種為無(wú)極性電子開(kāi)關(guān),包括有殼體1、殼體I上設(shè)置有電源回路3、4引腳和驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳，殼體I內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)相互連接的N型MOSFET管Ql、Q2，兩個(gè)N型MOSFET管Ql、Q2的門極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路I引腳連接，兩個(gè)N型MOSFET管Ql、Q2的源極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路2引腳連接，兩個(gè)N型MOSFET管Ql、Q2的漏極分別與電源回路
3、4引腳連接；驅(qū)動(dòng)電路I引腳與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路2正極連接，驅(qū)動(dòng)電路2引腳與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路2負(fù)極連接，電源回路3引腳與電源回路的正極(高端)連接，電源回路4引腳通過(guò)負(fù)載RL與電源回路的負(fù)極(接地端)連接，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路I引腳和驅(qū)動(dòng)電路2引腳之間的電壓大于N型MOSFET管Q1、Q2的導(dǎo)通電壓時(shí)，N型MOSFET管Ql正向?qū)?，Q2反向低阻導(dǎo)通，即無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)開(kāi)啟；反之，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路I引腳和驅(qū)動(dòng)電路2引腳之間的電壓小于N型MOSFET管的截止電壓時(shí)，Ql截止，從而Ql、Q2兩N型MOSFET管組成的電源回路3、4引腳處于電源的截止?fàn)顟B(tài)，即無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)關(guān)閉。實(shí)施例2見(jiàn)圖3, —種為無(wú)極性電子開(kāi)關(guān),包括有殼體1、殼體I上設(shè)置有電源回路3、4引腳和驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳，殼體I內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)相互連接的N型MOSFET管Ql、Q2，兩個(gè)N型MOSFET管Ql、Q2的門極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路I引腳連接，兩個(gè)N型MOSFET管Ql、Q2的源極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路2引腳連接，兩個(gè)N型MOSFET管Q1、Q2的漏極分別與電源回路
3、4引腳連接；驅(qū)動(dòng)電路I引腳與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路2正極連接，驅(qū)動(dòng)電路2引腳與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路2負(fù)極連接，電源回路3引腳與電源回路的負(fù)極(接地端)連接，電源回路4引腳通過(guò)負(fù)載RL與電源回路的正極(高端)連接，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路I引腳和驅(qū)動(dòng)電路2引腳之間的電壓大于N型MOSFET管的導(dǎo)通電壓時(shí)，N型MOSFET管Q2正向?qū)?，Ql反向低阻導(dǎo)通，即無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)開(kāi)啟；反之，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路I引腳和驅(qū)動(dòng)電路2引腳之間的電壓小于N型MOSFET管的截止電壓時(shí)，Q2截止，從而Q1、Q2兩N型MOSFET管連接的電源回路3、4引腳處于電源的截止?fàn)顟B(tài)，即無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)關(guān)閉。實(shí)施例3見(jiàn)圖4, 一種為無(wú)極性電子開(kāi)關(guān),包括有殼體1、殼體I上設(shè)置有電源回路3、4引腳和驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳，殼體I內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)相互連接的P型MOSFET管Ql、Q2，兩個(gè)P型MOSFET管Ql、Q2的門極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路I引腳連接，兩個(gè)P型MOSFET管Ql、Q2的源極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路2引腳連接，兩個(gè)P型MOSFET管Q1、Q2的漏極分別與電源回路
3、4引腳連接；驅(qū)動(dòng)電路I引腳與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路2負(fù)極連接，驅(qū)動(dòng)電路2引腳與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路2正極連接，電源回路3引腳與電源回路的正極(高端)連接，電源回路4引腳通過(guò)負(fù)載RL與電源回路的負(fù)極(接地端)連接，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路I引腳和驅(qū)動(dòng)電路2引腳之間的電壓大于P型MOSFET管的導(dǎo)通電壓時(shí)，P型MOSFET管Ql正向?qū)?，Q2反向低阻導(dǎo)通，即無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)開(kāi)啟；反之，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路I引腳和驅(qū)動(dòng)電路2引腳之間的電壓小于P型MOSFET管的截止電壓時(shí)，Ql截止，從而Q1、Q2兩P型M0SFET管組成的電源回路3、4引腳處于電源的截止?fàn)顟B(tài)，即無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)關(guān)閉。實(shí)施例4見(jiàn)圖5, —種為無(wú)極性電子開(kāi)關(guān),包括有殼體1、殼體I上設(shè)置有電源回路3、4引腳和驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳，殼體I內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)相互連接的P型MOSFET管Ql、Q2，兩個(gè)P型MOSFET管Ql、Q2的門極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路I引腳連接，兩個(gè)P型MOSFET管Ql、Q2的源極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路2引腳連接，兩個(gè)P型MOSFET管Q1、Q2的漏極分別與電源回路
3、4引腳連接；驅(qū)動(dòng)電路I引腳與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路2負(fù)極連接，驅(qū)動(dòng)電路2引腳與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路2正極連接，電源回路3引腳與電源回路的負(fù)極(接地端)連接，電源回路4引腳通過(guò)負(fù)載RL與電源回路的正極(高端)連接，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路I引腳和驅(qū)動(dòng)電路2引腳之間的電壓大于P型MOSFET管的導(dǎo)通電壓時(shí)，P型MOSFET管Q2正向?qū)?，Ql反向低阻導(dǎo)通，即無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)開(kāi)啟；反之，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路I引腳和驅(qū)動(dòng)電路2引腳之間的電壓小于P型MOSFET管的截止電壓時(shí)，Q2截止，從而Q1、Q2兩P型MOSFET管組成的電源回路3、4引腳處于電源的截止?fàn)顟B(tài)，即無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)關(guān)閉。
權(quán)利要求1.一種無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)，其特征在于:包括有殼體、殼體上設(shè)置有電源回路3、4引腳和驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳，殼體內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)相互連接的MOSFET管，兩個(gè)MOSFET管的門極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路I引腳連接，兩個(gè)MOSFET管的源極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路2引腳連接，兩個(gè)MOSFET管的漏極分別與電源回路3、4引腳連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)，其特征在于:所述的兩個(gè)MOSFET管選用兩個(gè)N型MOSFET管或兩個(gè)P型MOSFET管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)，其特征在于:所述的無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)還包括有放電電阻，放電電 阻的兩端并聯(lián)連接于驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳上。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種無(wú)極性電子開(kāi)關(guān)，包括有殼體、殼體上設(shè)置有電源回路3、4引腳和驅(qū)動(dòng)電路1、2引腳，殼體內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)相互連接的MOSFET管，兩個(gè)MOSFET管的門極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路1引腳連接，兩個(gè)MOSFET管的源極相互連接后與驅(qū)動(dòng)電路2引腳連接，兩個(gè)MOSFET管的漏極分別與電源回路3、4引腳連接。本實(shí)用新型的漏極分別與電源回路3、4引腳連接，電源回路3、4引腳可分別作為電源回路的正極或負(fù)極連接端，無(wú)需區(qū)分本實(shí)用新型連接時(shí)的正負(fù)極，不受極性限制可隨便對(duì)接，安裝連接簡(jiǎn)單方便。
文檔編號(hào)H03K17/687GK202918265SQ20122061702
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月21日
發(fā)明者袁廷華, 袁旭, 秦彥超, 施東仁 申請(qǐng)人:合肥創(chuàng)源車輛控制技術(shù)有限公司