專利名稱：級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊、傳輸系統(tǒng)及修復方法
技術領域：
本發(fā)明涉及數(shù)字信號通信領域，尤其涉及一種級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊、傳輸系統(tǒng)及修復方法。
背景技術：
隨著信息化社會的日益推進，數(shù)字信號逐漸取代了模擬信號的傳輸，其應用越來越廣泛。數(shù)字信號有高低電平組成，高電平時通常用“1”表示，低電平時通常用“0”表示， 數(shù)字信號由一連串的“ 1 ”和“ 0 ”組成?，F(xiàn)有技術中，需要實時傳輸大量的數(shù)字信號的數(shù)據(jù)時，各節(jié)點之間不會對信號進行處理，而是采用直通的方式進行傳輸(如圖1)，這里每個節(jié)點看到的數(shù)據(jù)是一樣的，采用直通方式進行傳輸，每個節(jié)點只截取自己的數(shù)據(jù)不會對數(shù)據(jù)進行處理，因為每一節(jié)點都用了緩沖單元加強，因此圖1的情況可以等效為圖2，這種級聯(lián)數(shù)很大用緩沖單元進行加強的傳輸方式。但是由于CMOS管工藝實際生產(chǎn)存在的誤差，P型MOS管和N型MOS管的上升、下降時間帶來誤差，使每級的緩沖單元上升時間和下降時間不相等，而且這種誤差會隨著緩沖單元的級聯(lián)數(shù)增大不斷累積，以下降時間減少為例如3所示這種下降時間減少的積累會使高電平脈沖不斷變窄，如果我們傳輸?shù)氖窍衤兴固鼐幋a這樣的對高低脈沖敏感的信號那么會帶來負面影響。以曼切斯特編碼數(shù)據(jù)為例主要會出現(xiàn)以下兩種情況的衰減。如圖 4 圖6所示，圖4為正常的波形，圖5為高電平衰減的波形，圖6為低電平衰減的波形，當信號衰減到一定程度就會使數(shù)據(jù)出錯，這會很大程度上影響信號的傳輸能力。

發(fā)明內容
本發(fā)明主要解決的技術問題是由于CMOS管的生產(chǎn)工藝存在誤差而使級聯(lián)緩沖單元中數(shù)字信號波形的上升時間和下降時間不相等影響數(shù)字信號的傳輸，提供一種級聯(lián)數(shù)字信號的修復模塊、傳輸系統(tǒng)及修復方法。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是提供一種級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊，包括檢測控制單元、緩沖單元、反相器；所述檢測控制單元包括用于檢測數(shù)字信號衰減程度的檢測器、用于根據(jù)數(shù)字信號衰減程度判斷數(shù)字信號衰減電平類型的第一判斷器和用于根據(jù)數(shù)字信號衰減電平類型產(chǎn)生修復信號的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點；所述檢測器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述檢測器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型 MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。
其中，所述檢測控制單元還包括用于判斷修復信號發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。其中，所述緩沖單元包括P型MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型 MOS管的柵極連接的公共接點為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述 P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器反相作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一個技術方案是提供一種級聯(lián)數(shù)字信號傳輸系統(tǒng)，包括多個依次連接的數(shù)字信號修復模塊，所述數(shù)字信號修復模塊包括檢測控制單元、緩沖單元、反相器，所述檢測控制單元包括用于檢測數(shù)字信號衰減程度的檢測器、用于判斷衰減電平類型的第一判斷器和用于產(chǎn)生修復信號的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點；所述檢測器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述檢測器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。其中，所述檢測控制單元還包括用于判斷修復信號發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。其中，所述緩沖單元包括P型MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型 MOS管的柵極連接的公共接點為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述 P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器。為解決上述技術問題，本發(fā)明還采用了一個技術方案提供了一種級聯(lián)數(shù)字信號修復方法，包括如下步驟Si、輸入數(shù)字信號；S2、檢測輸入數(shù)字信號的衰減情況；S3、判斷輸入數(shù)字信號衰減類型，若輸入數(shù)字信號為高電平衰減，則同時發(fā)送第一修復信號和第二修復信號，第一修復信號使反相器中P型MOS管導通，第二修復信號使反相器中N型MOS管截止；若輸入數(shù)字信號為低電平衰減，則發(fā)送第一修復信號和第二修復信號，第一修復信號使反相器中P型MOS管截止，第二修復信號使反相器中N型MOS管導通；S4、輸出修復后的數(shù)字信號。其中，步驟1具體為若輸入數(shù)字信號的波形衰減超過預定數(shù)值，則執(zhí)行步驟S3， 反之則重復步驟S2。其中，步驟S3之后還包括步驟S301判斷發(fā)送修復信號的次數(shù)，若修復信號發(fā)送的次數(shù)不超過五次，則重復發(fā)送修復信號；若修復信號發(fā)送的次數(shù)超過五次，則停止發(fā)送修復信號。
本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術中采用直通的方式來傳輸數(shù)字信號，而傳輸?shù)倪@些數(shù)字信號在經(jīng)過緩沖單元時會出現(xiàn)衰減，并且這種衰減在多次傳輸后會使數(shù)字信號出現(xiàn)失真，進而影響數(shù)字信號的傳輸質量的問題，本發(fā)明提供了一種級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊、傳輸系統(tǒng)及修復方法，能夠解決背景技術中存在的問題。本發(fā)明通過采用在緩沖單元的前面加入一級檢測控制單元，能夠檢測在數(shù)字信號的波形存在一定程度的衰減時，產(chǎn)生修復信號；在緩沖單元的后面加入一級反相器，通過控制單元產(chǎn)生的修復信號來控制反相器工作。當檢測控制單元檢測到高電平衰減時，就會發(fā)出了兩個低電平信號，反相器中的P 型MOS管處于導通狀態(tài)，相當于并入一個P型MOS管，緩沖單元中的MOS管的上拉電阻減小，使得數(shù)字信號高電平的寬度增加；當檢測控制單元檢測到低電平失真時，就會發(fā)出了兩個高電平信號，反相器中的N型MOS管處于導通狀態(tài)，相當于并入一個N型MOS管，緩沖單元中的MOS管的上拉電阻減小，使得數(shù)字信號低電平的寬度增加。本發(fā)明通過在節(jié)點處對數(shù)字信號的處理，能夠修復緩沖單元中由于MOS管工藝的不同而對數(shù)字信號的衰減，尤其是在級聯(lián)數(shù)字信號傳輸時，對節(jié)點處的數(shù)字信號處理能夠減少數(shù)字信號的衰減，從而保證數(shù)字信號的傳輸質量。


圖1是現(xiàn)有技術中數(shù)字信號的直通傳輸過程；圖2是現(xiàn)有技術中數(shù)字信號的直通傳輸中的緩沖單元加強的過程；圖3是現(xiàn)有技術中數(shù)字信號傳輸?shù)氖д娌ㄐ?；圖4是現(xiàn)有技術中數(shù)字信號采用曼切斯特編碼正常傳輸?shù)牟ㄐ螆D；圖5是現(xiàn)有技術中數(shù)字信號高電平的波形失真圖；圖6是現(xiàn)有技術中數(shù)字信號低電平的波形失真圖；圖7是本發(fā)明級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊的電路圖；圖8是本發(fā)明級聯(lián)數(shù)字信號修復方法的流程圖；圖9是本發(fā)明級聯(lián)數(shù)字信號高電平失真補償?shù)木植侩娐穲D；圖10是本發(fā)明級聯(lián)數(shù)字信號低電平失真補償?shù)木植侩娐穲D；圖11是本發(fā)明級聯(lián)數(shù)字信號高電平失真補償?shù)牟ㄐ螆D；圖12是本發(fā)明級聯(lián)數(shù)字信號低電平失真補償?shù)牟ㄐ螆D。標號說明1-檢測控制單元，11-檢測器，12-第一判斷器，13-控制器，14-第二判斷器，2_緩沖單元，3-反相器。
具體實施例方式為詳細說明本發(fā)明的技術內容、構造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖詳予說明。請參閱圖7，本發(fā)明提供了一種級聯(lián)數(shù)字信號的修復模塊，包括檢測控制單元1、 緩沖單元2、反相器3;所述檢測控制單元1包括用于檢測數(shù)字信號衰減程度的檢測器11、用于根據(jù)數(shù)字信號衰減程度判斷數(shù)字信號衰減電平類型的第一判斷器12和用于根據(jù)數(shù)字信號衰減電平類型產(chǎn)生修復信號的控制器13，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器3包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元2的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述緩沖單元2的輸出端連接至所述反相器 3中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點；所述檢測器11的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述檢測器11的輸出端連接至所述第一判斷器12的輸入端，所述第一判斷器12的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器13的第一輸出端連接至所述反相器3中P型MOS管的柵極，所述控制器13的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。本發(fā)明區(qū)別于現(xiàn)有技術中采用直通的方式來傳輸數(shù)字信號，而傳輸?shù)倪@些數(shù)字信號在經(jīng)過緩沖單元2時會出現(xiàn)衰減，并且這種衰減在多次傳輸后會使數(shù)字信號出現(xiàn)失真， 進而影響數(shù)字信號的傳輸質量的問題，本發(fā)明提供了一種級聯(lián)數(shù)字信號的修復模塊、傳輸系統(tǒng)及修復方法，能夠解決背景技術中存在的問題。本發(fā)明通過采用在緩沖單元2的前面加入一級檢測控制單元1，能夠檢測在數(shù)字信號的波形存在一定程度的衰減時，產(chǎn)生修復信號；在緩沖單元2的后面加入一級反相器3，通過控制單元產(chǎn)生的修復信號來控制反相器3 工作。當檢測控制單元1檢測到高電平衰減時，就會發(fā)出了兩個低電平信號，反相器3中的 P型MOS管處于導通狀態(tài)，相當于并入一個P型MOS管，緩沖單元2中的MOS管的上拉電阻減小，使得數(shù)字信號高電平的寬度增加；當檢測控制單元1檢測到低電平失真時，就會發(fā)出了兩個高電平信號，反相器3中的N型MOS管處于導通狀態(tài)，相當于并入一個N型MOS管， 緩沖單元2中的MOS管的上拉電阻減小，使得數(shù)字信號低電平的寬度增加。本發(fā)明通過在節(jié)點處對數(shù)字信號的處理，能夠修復緩沖單元2中由于MOS管工藝的不同而對數(shù)字信號的衰減，尤其是在級聯(lián)數(shù)字信號傳輸時，對節(jié)點處的數(shù)字信號處理能夠減少數(shù)字信號的衰減， 從而保證數(shù)字信號的傳輸質量。參閱圖7，在一具體的實施例中，本發(fā)明一種級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊包括檢測控制單元1、緩沖單元2、反相器3 ；所述檢測控制單元1包括用于檢測數(shù)字信號衰減程度的檢測器11、用于判斷衰減電平類型的第一判斷器12、用于產(chǎn)生修復信號的控制器13和用于判斷修復信號發(fā)送次數(shù)的第二判斷器14 ；所述反相器3包括P型MOS管和N型MOS管，P型MOS 管的源極連接高電平或電源(VCC)，所述P型MOS管的漏極連接N型MOS管的漏極，所述N 型MOS管的源極連接低電平或接地；所述緩沖單元2包括P型MOS管和N型MOS管；所述P 型MOS管的柵極與N型MOS管的柵極連接的公共接點為緩沖單元2的輸入端，所述P型MOS 管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元2中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點作為緩沖單元2的輸出端連接至所述反相器3。所述檢測控制單元1還包括用于判斷修復信號發(fā)送次數(shù)的第二判斷器14，所述第二判斷器14連接所述控制器13。本發(fā)明提供了一種級聯(lián)數(shù)字信號傳輸系統(tǒng)，包括多個依次連接的數(shù)字信號修復模塊，所述數(shù)字信號修復模塊包括檢測控制單元、緩沖單元、反相器，所述檢測控制單元包括用于檢測數(shù)字信號衰減程度的檢測器、用于判斷衰減電平類型的第一判斷器和用于產(chǎn)生修復信號的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型 MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點；所述檢測器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述檢測器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。在一具體實施例中，所述緩沖單元包括P型MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型MOS管的柵極連接的公共接點為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地， 所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點與反相器中P型MOS 管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點相連接；所述檢測控制單元還包括用于判斷修復信號發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。參閱圖8，本發(fā)明級聯(lián)數(shù)字信號修復方法，包括如下步驟Si、輸入數(shù)字信號；S2、檢測輸入數(shù)字信號的衰減情況；S3、判斷輸入數(shù)字信號衰減類型，若輸入數(shù)字信號為高電平衰減，則同時發(fā)送第一修復信號和第二修復信號，第一修復信號使反相器中P型MOS管導通，第二修復信號使反相器中N型MOS管截止；若輸入數(shù)字信號為低電平衰減，則發(fā)送第一修復信號和第二修復信號，第一修復信號使反相器中P型MOS管截止，第二修復信號使反相器中N型MOS管導通；S4、輸出修復后的數(shù)字信號。在一優(yōu)選的實施例中，步驟1具體為若輸入數(shù)字信號的波形衰減的寬度超過預定數(shù)值，則執(zhí)行步驟S3，反之則重復步驟S2，可以根據(jù)實際的要求來設計該數(shù)值的大小，以保證數(shù)字信號傳輸?shù)馁|量。在一優(yōu)選的實施例中，步驟S3之后還包括步驟S301判斷發(fā)送修復信號的次數(shù)，若修復信號發(fā)送的次數(shù)不超過五次，則重復發(fā)送修復信號；若修復信號發(fā)送的次數(shù)超過五次， 則停止發(fā)送修復信號，能夠避免控制器因單個或多個信號故障進入死循環(huán)，保證控制器的正常工作。本發(fā)明級聯(lián)數(shù)字信號的修復模塊的工作過程為檢測器檢測到輸入數(shù)字信號波寬的衰減超過預定數(shù)值(例如數(shù)字信號波寬衰減為原始波寬1/20)時，第一判斷器判斷衰減波形的類型，并通過控制器發(fā)送信號控制反相器工作；當?shù)谝慌袛嗥髋袛噍斎霐?shù)字信號為低電平衰減時，控制器產(chǎn)生第一修復信號和第二修復信號，第一修復信號和第二修復信號均為低電平修復信號，第一修復信號控制P型MOS管并使P型MOS管導通，第二修復信號控制N型MOS管并使N型MOS管截止，這樣相當于P型MOS管接入緩沖單元中(如圖9所示)，這時緩沖單元上拉管的寬長比增加，減少了緩沖單元的上拉電阻，使輸入數(shù)字信號的上升時間縮短，下降時間延長起到增加數(shù)字信號高電平寬度的作用，圖11是數(shù)字信號高電平修復的波形仿真圖，從圖中可以看出數(shù)字信號波形上升時間大概延長了 0. ^s，其中右邊的曲線為緩沖單元加了上拉PMOS管的波形圖；當?shù)谝慌袛嗥髋袛噍斎氲臄?shù)字信號為高電平衰減時，控制器產(chǎn)生第一修復信號和第二修復信號，第一修復信號和第二修復信號均為高電平修復信號，第一修復信號控制P
8型MOS管并使P型MOS管截止，第二修復信號控制N型MOS管并使N型MOS管導通，這樣相當于N型MOS管接入緩沖單元中，(如圖10所示)，這時buffer下拉管的寬長比增加，減少了緩沖單元的下拉電阻，使輸入數(shù)字信號的上升時間延長，下降時間縮短起到增加數(shù)字信號低電平寬度的作用，圖12是數(shù)字信號低電平修復的波形仿真圖，從圖中可以看出數(shù)字信號波形下降時間大概延長了 Hns，其中右邊的曲線為緩沖單元加了下拉NMOS管的波形圖。本發(fā)明的技術方案作用于單獨傳輸單元時效果不是很明顯，因為增加的數(shù)字信號寬度有限，但是作用于相當級聯(lián)數(shù)量的傳輸單元時就能把增加的下降時間逐漸累加把衰減信號修復過來。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
權利要求
1.一種級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊，其特征在于，包括檢測控制單元、緩沖單元、反相器；所述檢測控制單元包括用于檢測數(shù)字信號衰減程度的檢測器、用于根據(jù)數(shù)字信號衰減程度判斷數(shù)字信號衰減電平類型的第一判斷器和用于根據(jù)數(shù)字信號衰減電平類型產(chǎn)生修復信號的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型 MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點；所述檢測器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述檢測器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型 MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。
2.根據(jù)權利要求1所述的級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊，其特征在于，所述檢測控制單元還包括用于判斷修復信號發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。
3.根據(jù)權利要求1所述的級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊，其特征在于，所述緩沖單元包括P型 MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型MOS管的柵極連接的公共接點為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器反相作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器。
4.一種應用所述級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊的級聯(lián)數(shù)字信號傳輸系統(tǒng)，其特征在于，包括多個依次連接的數(shù)字信號修復模塊，所述數(shù)字信號修復模塊包括檢測控制單元、緩沖單元、 反相器，所述檢測控制單元包括用于檢測數(shù)字信號衰減程度的檢測器、用于判斷衰減電平類型的第一判斷器和用于產(chǎn)生修復信號的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型 MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；所述緩沖單元的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述緩沖單元的輸出端連接至所述反相器中P型MOS管漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點；所述檢測器的輸入端用于外接輸入數(shù)字信號，所述檢測器的輸出端連接至所述第一判斷器的輸入端，所述第一判斷器的輸出端連接至所述控制單元的輸入端，所述控制器的第一輸出端連接至所述反相器中P型 MOS管的柵極，所述控制器的第二輸出端連接至所述反相器中N型MOS管的柵極。
5.根據(jù)權利要求4所述的級聯(lián)數(shù)字信號傳輸系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測控制單元還包括用于判斷修復信號發(fā)送次數(shù)的第二判斷器，所述第二判斷器連接所述控制器。
6.根據(jù)權利要求4所述的級聯(lián)數(shù)字信號傳輸系統(tǒng)，其特征在于，所述緩沖單元包括P型 MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的柵極與N型MOS管的柵極連接的公共接點為緩沖單元的輸入端，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地，所述緩沖單元中P型MOS管的漏極與N型MOS管漏極連接的公共接點作為緩沖單元的輸出端連接至所述反相器。
7.一種根據(jù)權利要求1-3任一項所述的級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊的級聯(lián)數(shù)字信號修復方法，其特征在于，包括如下步驟51、輸入數(shù)字信號；52、檢測輸入數(shù)字信號的衰減情況；53、判斷輸入數(shù)字信號衰減類型，若輸入數(shù)字信號為高電平衰減，則同時發(fā)送第一修復信號和第二修復信號，第一修復信號使反相器中P型MOS管導通，第二修復信號使反相器中 N型MOS管截止；若輸入數(shù)字信號為低電平衰減，則發(fā)送第一修復信號和第二修復信號，第一修復信號使反相器中P型MOS管截止，第二修復信號使反相器中N型MOS管導通；54、輸出修復后的數(shù)字信號。
8.根據(jù)權利要求7所述的級聯(lián)數(shù)字信號修復方法，其特征在于，步驟1具體為若輸入數(shù)字信號的波形衰減超過預定數(shù)值，則執(zhí)行步驟S3，反之則重復步驟S2。
9.根據(jù)權利要求7所述的級聯(lián)數(shù)字信號修復方法，其特征在于，步驟S3之后還包括步驟S301判斷發(fā)送修復信號的次數(shù)，若修復信號發(fā)送的次數(shù)不超過五次，則重復發(fā)送修復信號；若修復信號發(fā)送的次數(shù)超過五次，則停止發(fā)送修復信號。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種級聯(lián)數(shù)字信號修復模塊、傳輸系統(tǒng)及修復方法，其中，數(shù)字信號修復模塊，包括檢測控制單元、緩沖單元、反相器；所述檢測控制單元包括用于檢測數(shù)字信號衰減程度的檢測器、用于根據(jù)衰減程度判斷衰減電平類型的第一判斷器和用于根據(jù)衰減電平類型產(chǎn)生修復信號的控制器，所述控制器包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源極連接電源，所述P型MOS管的漏極與所述N型MOS管的漏極相連接，所述N型MOS管的源極接地；本發(fā)明能夠修復緩沖單元中由于MOS管工藝的不同而對數(shù)字信號的衰減，能夠保證數(shù)字信號的傳輸質量。
文檔編號H03K5/04GK102571039SQ201210023028
公開日2012年7月11日 申請日期2012年2月2日 優(yōu)先權日2012年2月2日
發(fā)明者林豐成, 林喬嵩, 林昕, 沈鎏 申請人:天利半導體(深圳)有限公司